本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层...

本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括：衬底，衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在衬底下表面内的集电区，集电区包括第一区以及包围第一区的第二区；设置在漂移区内的第一载流子低寿命薄...

一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括：衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区；设置在所述漂移区内的载流子...

本发明提供公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命...

本发明实施例公开了一种快恢复二极管及其制作方法，除包括漂移区、阳极电极和阴极电极外，还包括位于所述漂移区与所述阴极电极之间的场截止层，所述场截止层的掺杂浓度较高，使得所述快恢复二极管关断时，耗尽区只能扩展到漂移区，而无法扩展到整个场截止...

本发明实施例公开了一种IGBT及其制作方法，该IGBT包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面的集电极；位于所述半导体第一表面，且环设于所述集电极四周的绝缘结构；位于所述集电极背离所述半导体衬底一侧的金属电极层，所述金属电极层覆盖所...

本发明实施例公开了一种IGBT及其制作方法，该IGBT包括：半导体衬底、位于半导体衬底第一表面的正面结构和终端结构、位于半导体衬底第二表面的背面结构，和位于半导体衬底侧面的隔离层，隔离层覆盖半导体衬底的侧面、终端结构的侧面和背面结构的侧...

本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，包括：基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区；位于所述基底正面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的栅极，所述栅极和所述本体层之间的第一介质层的厚度范围为1nm～100nm...

本发明公开了一种RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片，当对衬底的正面结构和背面结构均制备完毕后，对衬底的正面的划片区进行P型掺杂，以得到一预设深度的P型隔离区，而后采用激光划片工艺沿P型隔离区进行划片，由于激光产生高温，使得...

本发明公开了一种RB-IGBT芯片的制作方法及RB-IGBT芯片，在制作RB-IGBT芯片的隔离层时，通过在衬底的两表面分别设置对应的划片区，而后对划片区进行P型掺杂以得到P型隔离区，最后在制作RB-IGBT芯片正面和背面结构完毕后，通...

本发明提供了一种逆阻型IGBT芯片及其制作方法，包括：提供基底；在所述基底正面的预设隔离区形成沟槽；对所述沟槽进行掺杂，以在所述沟槽内形成隔离区。由于本发明中通过刻蚀沟槽使得隔离区的厚度小于现有技术中隔离区的厚度，因此，大大缩减了隔离区...

一种TI‑IGBT器件，包括器件衬底，所述衬底的正面为MOS元胞，所述衬底的反面为集电极金属，所述器件衬底为所述器件的N

本发明公开了一种压接式IGBT器件，其包括IGBT芯片和第一金属电极，其中，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距...

本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括：元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IG...

本发明公开了一种RB-IGBT及其制作方法，该RB-IGBT包括：衬底，衬底具有漂移区；漂移区包括：第一区、第二区以及包围第二区的第三区；设置在衬底对应第二区的上表面内的主结，主结包围第一区；设置在第三区内的隔离区；设置在衬底对应第一区...

本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括：元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成...

本发明公开了一种FRD及其制作方法，该FRD包括：衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的主结；设置在衬底上表内的场限环以及截止环，场限环包围所述主结，截止环包围所述场限环；设置在衬底下表面内的阴极区；设置在漂移区内的载流子低寿命...

本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI-IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电...

本发明属于射频微波测量技术领域，公开了一种低阻抗宽带测试夹具，包括：阻抗变换器和支撑件；所述阻抗变换器固定在所述支撑件上；所述阻抗变换器包括：第一渐变微带线、第一偏置电路、第二渐变微带线以及第二偏置电路；所述第一渐变微带线、所述第一偏置...

本发明涉及射频微波设计、测量领域，提供了一种匹配电路确定方法及负载牵引系统，以解决现有技术中无法准确设计出高功率的功率放大器的匹配电路的技术问题。该方法应用于负载牵引系统，该系统中设置有被测器件，被测器件的第一端连接有第一测试夹具，第一...