本实用新型属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种介质熔炼中的自动上料系统。槽型混料机一侧与出料机相连，槽型混料机另一侧与螺旋给料机相连，螺旋给料机入料端上安装有时间控制器，时间控制器与计算机相连，螺旋给料机的入料口与原料仓相连通。优点是：原...

本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺。一种多晶硅铸锭炉，保温套筒下部沿环形方向上等距开有侧部通气口。一种采用多晶硅铸锭炉的快速铸锭工艺，包括晶体长晶过程中，保持出气口为打开状态，通过顶部进气口和侧部通气口的...

本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置。一种多晶硅均匀长晶工艺，包括装料抽真空，加氩气升压，升温保温使硅料熔化，晶体长晶，退火冷却降温，晶体长晶过程中，控制坩埚温度使其下降到1400～1420℃，首次...

本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅介质熔炼后初步定向凝固工艺，包括以下步骤：（1）采用保温碳砖砌制成长宽单元数量一致的矩阵式浇注模具，矩阵式浇注模具最外层包裹有保温材料，矩阵式浇注模具底部设置有水冷装置；（2）将介质熔炼处理后...

本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种提高介质熔炼中石墨坩埚使用寿命的方法。石墨坩埚放置于炉体内，石墨坩埚和石墨坩埚中安装有感应线圈，方法如下：（1）先将石墨保护环固定在石墨坩埚上沿，然后向石墨坩埚内加入工业硅；（2）开启感应线圈，加...

本发明属于多晶硅铸锭技术领域，具体涉及一种实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚及其制备方法，包括氮化硅坩埚，其特征在于氮化硅坩埚内壁依次喷涂有氮化硅涂层和硅粉涂层，制备时将氮化硅涂层和硅粉涂层依次用喷枪喷涂到氮化硅坩埚的内壁上。本发明的优点在于：...

本实用新型属于冶金领域，特别涉及一种倾斜式助凝水冷坩埚，该坩埚成左右对称设计，并且横截面为圆形，坩埚的上部直径大于底部直径；坩埚壁为空心壁，其上端连通有坩埚壁出水口，下端连通有坩埚壁入水口；坩埚底底部连通有坩埚底入水口，一侧连通有坩埚底...

本实用新型属于真空设备领域，涉及一种定向凝固设备的拉锭机构，炉体上固定安装有丝杠和真空泵；升降台通过丝母活动安装于丝杠下端；慢速电机和快速电机固定安装于升降台外壁之上，并通过电磁离合器和传动机构与丝母连接；旋转接头固定安装于升降台内部，...

本实用新型涉及电子束熔炼领域，具体涉及一种应用于电子束硅粉熔炼的速度可控式螺旋送料机构，包括料仓，其特征在于料仓出口端通过法兰与轴套相通连，该法兰位于轴套顶部的一端，轴套的另一端底部连通有落料管；轴套的一侧固定设置有端盖，轴套内设置有螺...

本发明涉及一种多晶硅杂质检测预处理方法，具体涉及一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法，将多晶硅样品加入PTFE烧杯中，依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸，反应至多晶硅样品完全消解，然后在水浴加热锅中加入石蜡，将PTFE烧杯放入石蜡中...

本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，按照以下步骤进行：（1）多晶硅铸锭工艺中长晶结束后进行第一次退火；（2）将多晶硅铸锭冷却至室温；（3）将多晶硅铸锭进行开方，得到方锭；（4）将方锭放入热处理炉...

本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种工业硅到介质熔炼的全液态连续化生产方法。其方法如下：（1）在矿热炉中进行工业硅的冶炼，将液态工业硅导入硅包中，并对该液态工业硅进行吹氧处理；（2）向中频感应熔炼炉内的石墨坩埚中加入渣剂质量的30-...

本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固装置，包括炉体，炉体内放置有石英坩埚，石英坩埚外壁由内向外依次环绕设置有石墨发热体、保温套筒和感应线圈，石英坩埚底部设置有与炉体底部通连的拉锭机构，保温套筒的高度为石英坩埚高度的1.5...

本发明涉及一种工业硅的提纯方法，具体涉及一种工业硅分离杂质的方法，包括以下步骤：（1）在真空环境下将洗净后的工业硅原料加热至1450～1550℃，使其熔化成硅液并保温；（2）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于...

本发明涉及一种多晶硅杂质检测的预处理方法，具体涉及一种调整硝酸滴加浓度的多晶硅预处理方法。其步骤如下：（1）称取多晶硅样品0.1-0.5g于PTFE烧杯中；（2）将1%甘露醇溶液0.3-1ml加入PTFE烧杯使多晶硅样品浸润；（3）将质...

本发明属于多晶硅介质熔炼领域，具体涉及一种多晶硅介质熔炼时便于硅渣分离的造渣剂及其使用方法。造渣剂由以下原料混合而成：SiO250%～80%、CaO10%～35%和CaCl25%～15%。使用方法为：（1）将硅料加入到石墨坩埚内，采用中...

本实用新型属于冶金造渣技术领域，特别涉及一种造渣熔炼后的取渣设备，包括悬臂吊，悬臂固定安装于悬臂吊之上，悬臂上固定安装有卷线机，卷线机悬挂连接有存渣器，其中存渣器的内壁与外壁之间为闭合空腔，该闭合空腔上连通有进水管和出水管，存渣器通过真...

本发明涉及一种多晶硅杂质检测的预处理方法，具体涉及一种干冰控制消解反应热检测多晶硅杂质的预处理方法，将多晶硅样品加入烧杯中，依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸，反应至多晶硅样品完全消溶，然后低温挥硅、酸度调节后定容，最后检测多晶硅中的杂质含量...

本发明涉及一种熔炼用坩埚，具体涉及一种用于硅熔炼的石墨坩埚及其使用方法，包括坩埚体，坩埚体的外壁缠绕有电磁线圈，其特征在于坩埚体由坩埚底和坩埚壁组成，所述的坩埚壁由沿坩埚体圆周方向上等距排列的至少12片石墨板组成。将硅块放入到石墨坩埚内...

本发明属于多晶硅定向凝固技术领域，具体涉及一种多晶硅旋转凝固分离杂质的方法，当硅液定向凝固到75～85%时，按照以下步骤继续进行：（1）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶...