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青岛隆盛晶硅科技有限公司专利技术
青岛隆盛晶硅科技有限公司共有126项专利
新型太阳能电池组件制造技术
本发明涉及新型太阳能电池组件,属于封装的半导体器件技术领域。其解决的是现有太阳能电池存在的因串联方式导致的功率损耗较高的问题。本发明包括相互串联的电池串组,电池串组包含相互并联的子串组,每个子串组由等面积切割的电池片通过互联条串联构成;...
新型太阳能电池组件制造技术
本实用新型涉及新型太阳能电池组件,属于封装的半导体器件技术领域。其解决的是现有太阳能电池存在的因串联方式导致的功率损耗较高的问题。本实用新型包括相互串联的电池串组,电池串组包含相互并联的子串组,每个子串组由等面积切割的电池片通过互联条串...
太阳能双玻组件制造技术
本实用新型涉及太阳能技术领域,为了解决水汽透过问题,提供一种成本低廉的、效果好的、具有封边材料或封边工艺的太阳能双玻组件。本实用新型包括双层玻璃,所述双层玻璃为非整齐对应的同规格尺寸或整齐对应的不同规格尺寸,在双层玻璃的外边缘处密封有密...
双玻太阳能组件制造技术
本实用新型提供一种双玻太阳能组件,属于太阳能技术领域。为了解决现有双玻太阳能组件EVA材料层被水汽腐蚀老化的问题,本实用新型包括上、下玻璃盖板和电池片,还包括EVA封装层、封边层,电池片的上下两侧分别铺设有EVA封装层,在EVA封装层的...
双玻太阳能组件制造技术
本实用新型提供一种能够防止EVA老化,增加寿命的双玻太阳能组件,属于太阳能组件技术领域。本实用新型主要解决现有双玻太阳能组件EVA老化、已有的防止EVA老化的结构复杂生产成本高的问题。采用的技术方案是包括上下玻璃盖板、EVA封装层、电池...
一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺制造技术
本发明属于多晶硅铸锭领域,特别涉及一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺。本发明包括装料抽真空,加氩气升压,加热使硅料熔化,晶体长晶,退火保温及冷却降温,装料阶段,首先在石英坩埚内底部铺上一层碎单晶或碎多晶;在熔化阶段以0.5~1cm/...
电子束除氧与初步铸锭耦合制备多晶硅的装置及方法制造方法及图纸
本发明属于多晶硅铸锭领域,特别涉及一种电子束熔炼除氧与长晶技术耦合制备多晶硅的装置及方法。其装置包括炉体顶部通连安装有电子枪,侧部上端开有充气阀,下端开有放气阀,炉体内放置有石英坩埚,石英坩埚外壁由内向外依次环绕有石墨加热器和石墨碳毡,...
一种电子束熔炼多晶硅除氧与铸锭耦合的方法及设备技术
本发明属于冶金熔炼领域,特别涉及一种电子束熔炼多晶硅除氧与铸锭耦合的方法及设备,该方法首先将炉体和电子枪抽真空,启动熔炼用电子枪对多晶硅料进行电子束熔炼,熔炼初步去除杂质氧;在辐射用电子枪作用下保持液态进一步除氧,最后通过水冷传输带引导...
电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置制造方法及图纸
本发明属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置,打破了传统的电子束熔炼模式,不在熔炼坩埚内进行电子束熔炼,而是借用导流槽进行电子束除氧熔炼,由于硅液能够在导流区域内铺散,比表面积增大,因此电子束熔炼...
一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法技术
本发明属于用电子束熔炼的技术领域,特别涉及一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法,步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料,电子束轰击硅料直到硅料全部熔化后,再调节电子束频率为5~10Hz,进行5~15min的电子束低...
电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置制造方法及图纸
本发明属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置,本发明中,打破了传统的除氧模式,而是采用电子束熔炼进行除氧,解决了多晶硅中杂质氧去除的难题。翻转机构和装载坩埚的加入,保证了电子书熔炼除氧的半连续化生...
一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法技术
本发明属于用电子束熔炼的技术领域,特别涉及一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法。步骤包括将多晶硅铸锭底料破碎,清洗烘干后放入水冷铜坩埚中;调节真空泵组,将炉体真空度抽到5×10-2Pa以下,电子枪真空度抽到5×10-3Pa以下...
一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法技术
本发明涉及一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法,在提纯后的硅锭上寻找电阻率跃变点,电阻率跃变点的高度除以硅锭总高度即为硅锭提纯工艺的出成率。此方法采用硅材料测试仪或电阻率测试仪测试硅锭电阻率,通过电阻率跃变点对应的硅锭高度除以硅锭总高度即得...
一种高硼硅材料的制备方法技术
本发明涉及一种高硼硅材料的制备方法,所述方法包括介质熔炼、配料、装料、抽真空、加热熔化、长晶、退火和冷却过程。本发明可采用纯度至少为2N的工业硅作为原料,进行高硼硅材料的制备,制备得到的高硼硅材料的纯度可以达到5N。每吨纯度为2N的工业...
一种可降低多晶硅电池片的低效片比例的铸锭工艺制造技术
本发明公开了一种可降低多晶硅电池片的低效片比例的铸锭工艺,采用GT铸锭炉进行加工,熔化阶段TC2温度维持在1350~1365°C之间。通过本发明的工艺得到的铸锭底部籽晶的有效面积能够达到95%以上,低效片的比例要小于0.5%,优于业内要...
多晶硅定向提纯炉制造技术
本实用新型公开了一种多晶硅定向提纯炉,属于多晶硅的提纯领域,用以解决多晶硅熔炼过程中的高温挥发性杂质对多晶硅定向提纯炉、真空泵组造成损害的问题。本实用新型包括炉体和真空抽气装置,所述真空抽气装置包括真空管路、安装在真空管路上的比例阀和滑...
多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法技术
本发明属于多晶硅介质熔炼领域,涉及一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法,由以下原料混合而成:SiO240%~80%、CaO10%~40%、Al2O31%-15%和NaF1%-5%。使用步骤如下:(1)将硅料加入到石墨坩埚内,加热至全部...
一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法技术
本发明属于多晶硅介质熔炼领域,涉及一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法,由以下原料混合而成:Na2SiO340%~60%、SiO220%~40%、CaO10%~20%和FeO1%-5%。使用步骤如下:(1)将硅料加入到石墨坩埚内,加热...
一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法技术
本发明属于冶金造渣技术领域,特别涉及一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法,在原有造渣设备的基础之上增加了存渣器、石墨管和真空装置,首先将硅料和渣料加热至熔融态形成硅液和渣剂,停止加热,将石墨管伸入硅液底部,之后对硅液充气体;充气结束后,将...
一种双护管真空热电偶制造技术
本实用新型涉及定向凝固提纯领域,具体涉及一种双护管真空热电偶。包括热电偶基座,热电偶基座内包括热电偶丝,热电偶丝外部由内向外依次套接有刚玉护管和石英护管;热电偶丝顶端与热电偶标准接头连接,底端焊接在一起;热电偶标准接头上端相对接位置安装...
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