本发明公开了一种无缝浅沟隔离的制作方法，首先提供具有至少一浅沟槽的半导体基底，该半导体基底上形成有介电层，该介电层填满该浅沟槽且具有接缝（ｓｅａｍ）。随后在该介电层表面形成至少一修补层，最后进行低温蒸气退火工艺，用以消除该接缝。

本发明公开了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。一种磁性随机存取存储器，包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间，且绝缘层...

本发明公开了一种非对称金属氧化物半导体晶体管及其制造方法及使用此晶体管的反向器与存储器。一种非对称金属氧化物半导体晶体管，其具有可变电阻器特性与晶体管特性。非对称金属氧化物半导体晶体管包括基底、栅极结构、一对间隙壁、一对偏移间隙壁、源极...

本发明提出一种高压金属氧化物半导体晶体管，其包括掺杂基底、两个第一隔离结构、栅极结构、源极区、漏极区、两个第二隔离结构以及两个漂移区。其中，两个第一隔离结构分别配置于掺杂基底中。栅极结构配置于部分两个第一隔离结构及其之间的掺杂基底上。源...

本发明公开了一种测试用集成电路结构，位于切割道区，且包括第一／第二测试键、第一／第二导电插塞、第一／第二测试焊垫及保护层。第一／二测试键包括配置在切割道区的基底中的第一／二有源电路元件及电学连接其的第一／二内连线。第二测试键与第一测试键...

一种缩短多个晶片的光致抗蚀剂涂布流程的方法。以第一光致抗蚀剂对第一晶片进行第一涂布工艺，以第二光致抗蚀剂对第二晶片进行第二涂布工艺，此方法包括于第一涂布工艺后段未使用喷嘴的期间，同时执行第二光致抗蚀剂的预喷操作。

一种抛光头，其适用于化学机械抛光工艺。此抛光头包括固定环、可挠性薄膜以及边缘控制环。固定环用以固持晶片。可挠性薄膜包括唇部与底部，其中唇部与底部连接，且底部的底表面可与晶片贴合。边缘控制环包括一底部，其具有一接触底面。接触底面与可挠性薄...

一种具多阶输出功能的缺陷检测系统及方法，利用多阶信号检测技术以检测一集成电路的缺陷，缺陷检测系统使用一模／数转换器将一模拟读出信号转换为一具有多个位的输出码。缺陷检测方法包含一开路检测方法及一短路检测方法，开路及短路检测方法均包含一校正...

本发明公开了一种互补式金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）晶体管的制作方法。该互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法是在完成栅极结构、轻掺杂漏极、源极／漏极掺杂区、或ＳＥＧ工艺之后，分别利用回蚀刻工艺回蚀刻覆盖第一型栅极结构的硬掩模层，以减少覆...

一种内连线工艺，首先提供具有导电区的基底。于基底上形成介电层。接着，于介电层上形成具有沟槽开口的图案化金属硬掩模层。于图案化金属硬掩模层上共形地形成介电硬掩模层，并填入沟槽开口中。定义光致抗蚀剂图案以移除沟槽开口中部分介电硬掩模层与部分...

一种金属氧化物半导体元件，包含有具有第一导电类型的半导体基底、源极区域、栅极结构以及具有第二导电类型的漏极区域。栅极结构本质上平行于第一方向而设置于半导体基底上。漏极区域与源极区域皆设置于半导体基底中，分别位于栅极结构的相对二侧。源极区...

一种高压ＭＯＳ晶体管，其包含一基底、一栅极、一源极、一漏极、一设于基底内具一第一导电性的第一离子阱以及多个场电极设于该基底上。该高压ＭＯＳ晶体管另包含有一具第二导电性的第一掺杂区设于该第一离子阱中，与该第一离子阱间接近该漏极处形成一第一...

本发明揭示一种晶片层次的测试结构及测试方法，其中使用一加热层设置于晶片中以直接对设置于加热层上方或邻边的待测结构加热。加热层藉由接通电流以生热。因此，加热层的加热与待测结构的电性输出入分别控制，不互相影响。

本发明公开了一种高压ＭＯＳ晶体管，其包含基底、绝缘物、源极掺杂区、栅极、漏极掺杂区、多个掺杂区、多个离子阱以及设于该基底上的第一介电层。该高压ＭＯＳ晶体管还包含设于该第一介电层上方的多个第一场电极环以及第一导电层，且该第一导电层分别与该...

一种减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法，包括下列步骤。首先，提供基底于反应室中，且此基底中具有沟槽。然后，进行第一沉积步骤，在沟槽中部分地填入介电材料。接着，进行蚀刻步骤，部分地移除沟槽中的介电材料。之后，进行第二沉积步骤，在沟槽...

一种单片式晶片清洁工艺，包含有下列步骤：首先提供一已蚀刻晶片，该已蚀刻晶片的一晶面具有光阻图案，接着进行灰化工艺以移除该光阻图案，然后将该已蚀刻晶片顶起，使该已蚀刻晶片降温，最后在该已蚀刻晶片保持顶起的状态下，进行干式清洁工艺。

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在第一工艺中于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，此保护方法包括在第二工艺中沿着凹陷轮廓在凹陷表面形成氮化硅层。

本发明公开了一种半导体基底的清洗方法。首先，提供半导体基底，半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且图案化光刻胶层位于材料层上。之后，利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩模对材料层进行接触蚀刻工艺，以在材料层中形成蚀刻孔洞。接着，利用清洗溶剂...

一种ＣＭＯＳ图像感测元件的制作方法，包含有：　提供基底，该基底定义有传感器阵列区与周边区；　形成至少一接触垫于该基底上的该周边区；　形成第一介电层于该基底上，且该第一介电层覆盖该接触垫；　进行第一蚀刻工艺，移除部分该第一介电层，以暴露出...

本发明揭露一种电子显微镜定点试片的制法；首先提供一试片研磨机，包含有一试片固定座；；提供一待测晶片片段；，其具有一第一研磨端、一第二研磨端以及一待测定点位于该第一研磨端以及该第二研磨端之间；将该待测晶片片段黏于该试片固定座上；利用该试片...