克里公司专利技术

克里公司共有360项专利

  • 一种功率放大器电路(200)包括将输入信号(202)分离成多个分量输入信号(218a~d)的功率分离器(212、214、216)。至少两组晶体管放大器(220、230)均被并联地耦合到功率分离器(212、214、216)以接收并放大分量...
  • 提供常关型半导体器件。提供III族氮化物缓冲层。III族氮化物阻挡层被提供在III族氮化物缓冲层上。不导电间隔物层被提供在III族氮化物阻挡层上。III族氮化物阻挡层和间隔物层被蚀刻以形成沟槽。所述沟槽延伸穿过阻挡层并且暴露一部分缓冲层...
  • 一种固态照明设备,包括:多个发光二极管(LEDs),包括至少第一LED和第二LED。其中选择所述第一和第二LED的色度,以使得来自所述LED对的光的混合所产生的合成光基本上具有目标色度。所述第一LED可以包括第一LED芯片(43)和荧光...
  • 一种电子器件包括具有第一导电类型的碳化硅漂移区,位于所述漂移区上的肖特基接触,以及相邻所述肖特基接触的所述漂移区的表面处的多个结势垒肖特基(JBS)区域。JBS区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型以及具有所述JBS区域中的相邻JBS...
  • 一种半导体基发光装置(LED),可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于比接触电阻率约小于10-3ohm·cm2。
  • 一种半导体基发光装置(LED),可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于比接触电阻率约小于10-3ohm·cm2。
  • 一种装配LED芯片的下底座包括衬底、配置以接收衬底上表面上的LED芯片的管芯附着垫、在衬底上围绕该管芯附着垫并限定衬底上表面的第一密封区的第一弯月形控制特征、和在衬底上围绕第一密封区并限定衬底上表面的第二密封区的第二弯月形控制特征。第一...
  • 本发明涉及具有反射接合焊盘的发光器件及其制造方法。发光器件包括半导体材料的有源区(14)和在有源区上的第一接触(18)。配置第一接触(18)以便由有源区(14)发射的光子通过第一接触。吸收光子的线接合焊盘(22)提供在第一接触上。线接合...
  • 本发明公开了处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件。电子器件,包括:碳化硅衬底,具有第一和第二表面,并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度;注入掺杂原子区,从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离,所述区域的掺杂浓度比所述...
  • 制造半导体器件的方法包括:形成具有第一掺杂剂浓度的第一导电类型的第一半导体层;以及在第一半导体层上形成第二半导体层。第二半导体层具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。将离子注入第二半导体层,以便形成贯穿第二半导体层以接触第一半导体层的...
  • 一种发光器件(LED)组件可以包括电绝缘基底(100a-k)以及在该绝缘基底(100a-k)的表面(105a-k)上的导热层(112a-k)。发光器件(114a-k)可以在导热层(112a-k)上使得该导热层(112a-k)在该发光器件...
  • 描述了用于可释放地安装LED的插座布置以及使用这些插座的灯具或组件。该插座布置方便替换LED,以便用较亮的替换件替换原始的LED、改变LED的颜色、用多芯片LED替换单LED、用新的LED替换受损或烧坏的LED等。在其它具有多个LED的...
  • 一种光发射器件包括:光发射管芯(24),被配置为发射具有第一主波长的光,和折射率匹配波长转换结构(10,60),被配置为接收光发射管芯(24)发射的光。折射率匹配波长转换结构(10,60)包括嵌入在基板材料(12)中的具有第一折射率的波...
  • 一种半导体器件,包含具有第一导电类型的漂移层以及邻近漂移层的体区。该体区具有与第一导电类型相反的第二导电类型并与漂移层形成p-n结。该器件还包括在体区中并具有第一导电类型的接触器区,以及从接触器区延伸通过体区到达漂移层的分流器沟道区。该...
  • 提供了一种用于提供屏幕前方的均匀性的设备和方法。方法包括估计与相对应显示器的滤光函数以及作为如经由滤光函数确定的与相对应从显示器透射的光的特性的函数而选择多个光发射器。设备被提供为包括:多个光发射器,包括与相对应多个光发射器的第一色度差...
  • 提供了用于对光发射器以及包括该光发射器的设备进行分组的设备和方法。该方法的实施例可以包括使用被配置为将多个色彩中的每一个表示为至少两个色度坐标的多轴色彩空间的区域来选择一部分光发射器。该区域可以接近多轴色彩空间上的预定的点并且包括具有第...
  • 双极结晶体管包括具有第一导电类型的集电极、在集电极上的具有第一导电类型的漂移层、在漂移层上的且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的基极层、在基极层上的具有第一导电类型的并且与基极层形成p-n结的轻度掺杂的缓冲层、以及在缓冲层上的具有第...
  • 一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)包括具有第一导电类型的衬底(12),具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移层(16),以及在漂移层中并具有第一导电类型的阱区(18)。外延沟道调节层(40)在漂移层上并且具有第二导电类型。发射极区域(...
  • 提供了用于保护显示器部件免受不利的操作条件的系统和方法。根据一些实施例的照明板系统包括照明板,所述照明板包括跨所述板布置的多个固态照明装置串,以及保护系统,所述保护系统被配置为确定不利的操作条件并且响应于所述不利的操作条件而调整照明板亮...
  • 公开了控制包括具有多个固态发光器件的背光单元的显示器的方法。该方法包括:接收该显示器的目标色点;测量与该显示器相关联的温度;响应于所测量的温度,生成补偿的目标色点;以及设置该背光单元的色点以产生补偿的目标色点。