一种用于电子器件的次粘着基台包括：基片，由松散材料形成，在基片的相对两侧上包括第一主表面和第二主表面；表面绝缘层，在基片的第一主表面上；以及模片连结垫，在表面绝缘层上。模片连结垫可以借助于表面绝缘层而与基片电绝缘。次粘着基台还包括：散热...

固态照明设备包括：第一多个发光装置，被配置成在被激励时发射具有第一色度的光；第二多个发光装置，被配置成在被激励时发射具有与第一色度不同的第二色度的光；以及控制器，被配置成控制供给第一多个发光装置的电流的占空比。控制器被配置成响应固态照明...

根据一些实施例的固态照明装置包括包含多个发光器件的电路，和被配置为旁路所述多个发光器件中的至少一个发光器件周围的至少一些电流的可配置的分流器。所述可配置的分流器可以包括例如可调的电阻器、熔断器、开关、热敏电阻器、和/或可变电阻器。

一种LED照明灯具(10)，包括外壳(20)，其具有由后壁(22)和向前向边(24)延伸的环绕壁(23)界定的中空内部空腔(21)。LED发光体(11)被安装在外壳中。LED支撑结构(30)在内部空腔中从外壳处延伸至LED支承面(31)...

本发明涉及一种照明器材(10)，其配置成用以将由光源(34)和任何相关联的电子器件所生成的热朝向照明器材的前部传递。照明器材包括一种由高效地传导热的材料所形成的散热杯(4)和一种连接到散热杯内侧的光源。散热杯具有底面板(20)、边沿和在...

一种发光二极管封装固定设备，包括散热器(10)，其限定了支撑表面(14)并且具有至少一个设置在所述表面(14)上的保持臂(24)，并且限定了介于所述保持臂(24)与所述表面(14)之间的间隔(25)。LED封装(1)具有一种基座(4)，...

公开了用于LED灯的热绝缘装置。本发明的实施例在LED灯的电源与LED组件（508）之间提供热绝缘，从而在大多数情况下允许电源在比其它情况下可能的温度更低的温度范围中工作。在电源与LED组件之间提供至少一个接触部件（208、212、30...

介绍了高密度多芯片LED器件(600，700，800，900，1100，1200)。本发明的实施例提供了相对高效和紧凑尺寸光输出的高密度多芯片LED器件(600，700，800，900，1100，1200)。LED器件(600，700，...

介绍了多芯片LED器件(200,300)。本发明的实施例提供了相对高效且显色度良好的多芯片LED器件(200,300)。LED器件(200,300)包括多个互连的LED芯片(202,302)和光学元件例如透镜。光学元件可以由硅树脂模制而...

本公开涉及无线通信设备的传输电路。所述传输电路包括功率放大电路、输出匹配网络和阻抗控制电路。功率放大电路放大射频（RF）输入信号以提供放大的RF输出信号，RF输出信号通过输出匹配网络且经由一个或多个天线发送。随着RF输入信号的中心频率和...

LED灯具(10)包括(a)前壳体部分(20)，具有限定了前空腔(22)并延伸到在开口前端(24)的前壳体前向边缘(23)处的环绕侧壁(21)，(b)后壳体部分(30)具有后壁(31)和限定了后空腔(33)的环绕壁(32)，环绕壁延伸到...

一种LED芯片包括子基板上的多个子LED。包括导电和电绝缘特征，所述特征使所述子LED串联互连以使得施加到所述串联互连的子LED的电信号沿所述导电特征扩散到所述串联互连的子LED。包括布置成将所述子LED中的一个子LED电耦接到所述子基...

公开了一种半导体材料的平滑方法以及使用该方法制造的晶片。具有减少的原子台阶（104），以及减少的刮痕和表面下缺陷的半导体晶片（100）可以被制造。这种晶片（100）特征在于一种可为外延层的生长提供减少的宏观缺陷和缺陷密度的改进的生长表面...

可提供包括陶瓷材料以及在陶瓷材料上的引线框结构的固态发光二极管封装，所述引线框结构包括其将所述引线框结构与所述陶瓷材料整合的部分。

通过设置宽带隙半导体层、在该宽带隙半导体层中设置多个凹进部、以及在该多个凹进部内中设置金属栅接触来制造宽带隙半导体器件。保护层可设置在宽带隙半导体层上，该保护层具有延伸穿过其的第一开口，电介质层可设置在该保护层上，该电介质层具有延伸穿过...

公开了一种用于光源的光学元件(100,400,500,610)和一种使用所述光学元件(100,400,500,610)的照明系统。在示例性实施例中，光学元件(100,400,500,610)包括入射面(104,404)以及与入射面(10...

一种电路，包括：检测器，所述检测器被配置为检测包括能量存储部件的电源的状态并且响应于所述电源的状态而产生控制信号；耗散部件；以及开关，所述开关被配置为响应于由所述检测器输出的所述控制信号而将所述耗散部件可控制地耦接到所述能量存储部件。公...

一种电路，用于改变提供呈现给包括电源线路在内的电源的阻抗的水平，包括：能量消散电路；检测电路，所述检测电路其配置成生成指示耦合于所述电源线路的负载电路中的功耗水平的控制信号；以及激活电路，所述激活电路其配置成响应于所述控制信号可控地将所...

本发明公开了用于碳化硅的受控生长的方法以及通过所述方法生产的结构。可通过将牺牲基底（104）放置在具有源材料（102）的生长区中而生长碳化硅（SiC）晶体。源材料（102）可包括低溶解度的杂质。随后在牺牲基底（104）上生长SiC以调节...

本发明公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm-cm，微管密度小于200cm-2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。