一种功率放大器，包括基于GaN的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中在功率放大器在26.5GHz和30.5GHz之间运行期间功率放大器的功率附加效率(PAE)在P1DB处大于32％。功率附加效率(PAE)在P1DB处大于32％。功率...

功率半导体器件包括包含至少一个回流电介质材料图案和至少一个不可回流电介质材料图案的多层金属间电介质图案。在其他实施例中，功率半导体器件包括回流金属间电介质图案，其使用诸如坝料之类的牺牲结构形成以在回流处理期间限制金属间电介质图案的可回流...

一种晶体管装置，包括在半导体结构上延伸的栅极指和漏极指、耦接到栅极指的栅极接合焊盘以及耦接到漏极指的漏极接合焊盘。栅极接合焊盘在栅极指上延伸和/或漏极接合焊盘在漏极指上延伸。指上延伸。指上延伸。

本公开涉及具有旁路栅极结构的晶体管。晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之间。该器件还包括在所...

功率放大器包括具有主放大器和峰化放大器的半导体管芯。主放大器包括至少一个第一晶体管，并且峰化放大器包括与第一晶体管不同的至少一个第二晶体管。峰化放大器被配置为响应于施加到第一晶体管和第二晶体管的相应栅极的公共栅极偏置来调制主放大器的负载...

半导体装置包括在宽带隙半导体层结构上延伸的多个栅极指。在栅极指上形成金属间电介质图案，所述金属间电介质图案包括覆盖相应栅极指的多个电介质指。在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上设置顶侧金属化。顶侧金属化包括在...

提供了封装晶体管器件，包括在封装晶体管器件的基部上的晶体管，晶体管包括控制端子和输出端子、电耦合在输入引线和晶体管的控制端子之间的第一接合线、电耦合在输出引线和晶体管的输出端子之间的第二接合线、以及物理地在第一接合线和第二接合线之间的隔...

一种晶体管器件包括：晶体管单元，所述晶体管单元包括沟道区；栅极道，所述栅极道电连接到在沟道区上方的栅极电极并与栅极电极物理地分离；以及谐波终止电路，所述谐波终止电路在晶体管器件的输入端子和栅极电极之间电连接到栅极道，谐波终止电路被配置为...

一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在...

一种基于氮化镓的单片微波集成电路包括基板(110)、基板上的沟道层(130)和沟道层上的阻挡层(140)。在阻挡层的顶表面中提供凹部(412)。在阻挡层上与沟道层相对地提供第一栅电极、第一源电极和漏电极，其中，第一栅电极(210、310...

依据本发明的一些实施例，提供了晶体管器件，该晶体管器件包括：半导体结构；在第一方向上在半导体结构上延伸的栅极指；以及栅极互连件，在第一方向上延伸并且被构造为在栅极互连件的内部位置处耦合到栅极信号，其中栅极互连件在从栅极互连件的内部位置偏...

一种稳定化的氟化物磷光体，其用于发光二极管(LED)应用，包括含有锰活化的氟硅酸钾的颗粒和在每个颗粒上的无机涂层。所述无机涂层包含硅酸盐。一种制备稳定化的氟化物磷光体的方法，包括形成反应混合物，该反应混合物包括含有锰活化的氟硅酸钾的颗粒...

一种电子电路，包括：具有上表面的基板、在基板的上表面上的第一金属层、与基板相反地在第一金属层上的第一聚合物层、与第一金属层相反地在第一聚合物层上的第二金属层、在第二金属层的至少一部分和第一聚合物层上的电介质层、以及在电介质层上的第二聚合...

一种半导体发光装置，包括：发光二极管(LED)芯片；LED芯片上的受体发光介质；与LED芯片相反地在受体发光介质上的图案化覆板，该图案化覆板包括与LED芯片相反地在受体发光介质上的图案化覆板，该图案化覆板包括图案化表面，该图案化表面被配...

用于放大器装置的示例性阻抗匹配电路包括宽带阻抗变换器，其被配置为在基频范围内变换与阻抗匹配电路的输入端口或输出端口相关联的阻抗；以及发射具有在基频范围内的基频的RF信号。阻抗匹配电路还包括相移器电路，该相移器电路被配置为对具有在基频范围...

稳定化的量子点复合材料包括在包含离子性金属氧化物的基体中嵌入的多个发光半导体纳米颗粒。制备稳定化的量子点复合材料的方法包括形成混合物，该混合物包含在包含离子性金属氧化物的水溶液中分散的多个发光半导体纳米颗粒。干燥该混合物以形成稳定化的量...

用于发光二极管应用的稳定化的发光纳米颗粒包含由氧化物涂层包封的钙钛矿纳米晶体，其中该氧化物涂层包括配体残余物，所述配体残余物包含选自以下的一种或多种元素：氮、碳、磷和硫。制备稳定化的发光纳米颗粒的方法包括在非极性溶剂中分散钙钛矿纳米晶体...

功率开关装置包括具有有源区和非有源区的半导体层结构。有源区包括多个单位单元，并且非有源区包括在半导体层结构上的场绝缘层和与半导体层结构相对地在场绝缘层上的栅极焊盘。栅极绝缘图案设在有源区和场绝缘层之间的半导体层结构上，并且至少一个源极/...

封装的晶体管放大器包括：具有输入引线和输出引线的封装；晶体管级，具有并联电耦接至输入引线的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管具有输出；第一输出接合焊盘，通过第一馈电网络耦接至单位单元晶体管的输出的第一子集；与第一输出接合焊盘分开的第...

半导体装置包括在公共的半导体结构上的多个单位单元晶体管，所述单位单元晶体管并联电连接，并且每个单位单元晶体管包括各自的栅极指。所述单位单元晶体管中的第一和第二单位单元晶体管的各自的阈值电压相差至少0.1伏和/或所述单位单元晶体管中的第三...