具有防潮包封的封装电子电路及其形成方法技术

一种电子电路，包括：具有上表面的基板、在基板的上表面上的第一金属层、与基板相反地在第一金属层上的第一聚合物层、与第一金属层相反地在第一聚合物层上的第二金属层、在第二金属层的至少一部分和第一聚合物层上的电介质层、以及在电介质层上的第二聚合物层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有防潮包封的封装电子电路及其形成方法
本文描述的专利技术构思涉及电子电路，并且更具体地，涉及具有保护性包封的封装电子电路。
技术介绍
多种封装电子电路在本领域中是已知的。这些电路可以包括一个或多个半导体集成电路芯片和/或其它电子电路基板，这些半导体集成电路芯片和/或其它电子电路基板具有形成在其上的诸如电容器、电感器和/或电阻器之类的分立电子组件，这些分立电子组件容纳在公共保护性封装内。举例来说，内部匹配的场效应晶体管(“FET”)功率放大器是本领域中已知的一种封装电子电路。内部匹配的FET功率放大器可以包括一个或多个集成电路芯片，该集成电路芯片具有多个单位单元晶体管，这些单位单元晶体管被并行布置以提供多个并行放大路径。单位单元晶体管可以包括例如高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管例如可以使用诸如基于碳化硅和/或氮化镓的半导体材料之类的宽带隙半导体材料来形成。(一个或多个)集成电路芯片可以例如与其它电子电路基板一起封装在保护性封装中，其它电子电路基板诸如是印刷电路板或陶瓷电路基板并包括阻抗匹配网络、传输线、功率分裂和组合结构等。保护性封装可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备电子电路的方法，所述方法包括：/n以第一温度在第一金属层的一部分上形成第一聚合物层；/n与所述第一金属层相反地在所述第一聚合物层上形成第二金属层；/n以第二温度在所述第二金属层上和所述第一聚合物层上形成电介质层，所述第二温度小于所述第一温度；和/n以第三温度在所述电介质层上的形成第二聚合物层，所述第三温度小于所述第二温度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180424 US 15/960,6931.一种制备电子电路的方法，所述方法包括：
以第一温度在第一金属层的一部分上形成第一聚合物层；
与所述第一金属层相反地在所述第一聚合物层上形成第二金属层；
以第二温度在所述第二金属层上和所述第一聚合物层上形成电介质层，所述第二温度小于所述第一温度；和
以第三温度在所述电介质层上的形成第二聚合物层，所述第三温度小于所述第二温度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层包括第二电介质层，所述方法进一步包括：在形成所述第二金属层之前，在所述第一金属层上形成第一电介质层，其中，所述第一金属层、所述第一电介质层和所述第二金属层形成电容器。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，其中所述第一聚合物层形成在所述第二金属层的外围与所述第一金属层之间，并且其中所述第一聚合物层在垂直于所述基板的上表面的方向上的厚度大于所述第一电介质层的厚度。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二金属层的外围比所述第二金属层的中心在所述第一金属层的上方更远地间隔开。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一金属层耦接到晶体管的栅极。


6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一聚合物层不在所述第二金属层的中心与所述第一金属层之间。


7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一电介质层形成在所述第一金属层的顶表面上，所述第一聚合物层形成在所述第一金属层和所述第一电介质层中的至少一个的顶表面上，所述第二金属层形成在所述第一电介质层的顶表面上，所述第二电介质层形成在所述第一聚合物层的顶表面上，并且所述第二聚合物层形成在所述第二电介质层的顶表面上。


8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中，所述电介质层包括氧或氮中的至少一种以及硅，并且其中，所述第一聚合物层和第二聚合物层均是基于碳的层。


9.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，其中，所述电介质层和所述第二聚合物层形成在晶片上，所述方法进一步包括：在形成所述电介质层和所述第二聚合物层之后，将所述晶片切成单独的芯片。


10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括耦接在晶体管的栅极电极和栅极指之间的栅极跳线。


11.根据权利要求1-10中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层包括金属迹线，所述金属迹线包括具有基本相同的瞬时电流方向的自耦接部分。


12.根据权利要求1-11中的任一项所述的方法，其中，所述电子电路是封装的单片微波集成电路。


13.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，所述方法进一步包括：在所述基板上形成多个晶体管，其中所述电介质层形成在所述晶体管的上表面上，并且所述第二聚合物层不形成在所述晶体管的上表面上。


14.根据权利要求1-13中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，并且其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层在垂直于所述基板的上表面的方向上比所述第一电介质层厚。


15.一种制备电子电路的方法，所述方法包括：
在第一金属层的上表面上形成第一电介质层；
在所述第一金属层的上表面上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层在垂直于基板的上表面的方向上的厚度大于所述第一电介质层的厚度；
与所述第一金属层相反地在所述第一电介质层上形成第二金属层，其中所述第二金属层延伸到所述第一聚合物层上；
在所述第二金属层上和所述第一聚合物层上形成第二电介质层；和
在所述第二电介质层上形成第二聚合物层，
其中，所述第一聚合物层形成在所述第二金属层的外围与所述第一金属层之间，和
其中，所述第一金属层、所述第一电介质层和所述第二金属层形成电容器。


16.根据权利要求15所述的方法，其中，以第一温度形成所述第一聚合物层，并且以低于所述第一温度的第二温度形成所述第二电介质层。


17.根据权利要求16所述的方法，其中，以低于所述第二温度的第三温度形成所述第二聚合物层。


18.根据权利要求15-17中的任一项所述的方法，进一步包括在基板上形成多个晶体管，其中，所述电介质层形成在所述晶体管的上表面上，并且所述第二聚合物层不形成在所述晶体管的上表面上。


19.根据权利要求15-18中的任一项所述的方法，其中，所述第二电介质层和所述第二聚合物层形成在晶片上，所述方法进一步包括：在形成所述第二电介质层和所述第二聚合物层之后，将所述晶片切成单独的芯片。


20.一种制备电子电路的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一金属迹线，所述第一金属迹线包括具有基本相同的瞬时电流方向的并排自耦接部分；
在所述第一金属迹线上形成第一聚合物层；
与所述第一金属迹线相反地在所述第一聚合物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·博世，D·纳米什亚，F·拉都勒斯库，S·什帕德，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：美国;US