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九江德福科技股份有限公司专利技术
九江德福科技股份有限公司共有285项专利
一种消除复合铜箔透光点的方法技术
本发明公开了一种消除复合铜箔透光点的方法,包括以下步骤:
一种铜箔抗氧化性的测试装置制造方法及图纸
本实用新型涉及铜箔测试设备技术领域,具体公开了一种铜箔抗氧化性的测试装置,包括烘箱壳体
一种电解槽阳极屏蔽装置制造方法及图纸
本实用新型涉及电解槽绝缘屏蔽技术领域,具体公开了一种电解槽阳极屏蔽装置,包括弧形阳极板
一种电解液热交换器高温冷却水循环使用系统技术方案
本实用新型涉及余热利用技术领域,具体公开了一种电解液热交换器高温冷却水循环使用系统,包括低位罐
一种新型溶铜装置制造方法及图纸
本实用新型涉及溶铜设备技术领域,具体公开了一种新型溶铜装置,包括罐体
一种电解液流量分配装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种电解液流量分配装置,包括外壳,外壳套接在圆柱状的分配器总组件上,分配器总组件上下两端分别穿出外壳,分配器总组件顶部和底部各设有一个开口;分配器总组件包括两个分配器,每个分配器又被管撑块分隔为穿出外壳的分配器外端部
一种电解铜箔添加剂蠕动泵自动校准装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种电解铜箔添加剂蠕动泵自动校准装置,该装置包括配制罐、输送泵、过滤器、压力表、添加剂供给罐(0.5m
一种双面粗糙可剥离载体铜箔及其印制线路板的加工方法技术
本发明公开了一本发明的目的在于提供一种双面粗糙可分离载体铜箔及印刷线路板的加工方法,包括载体铜层;然后在载体铜层的一面制备剥离层;进一步在剥离层的表面生成厚度不超过6μ
一种用于高频高速制造技术
本发明介绍了一种用于高频高速
一种直流电沉积纳米孪晶铜箔用的添加剂及其制备方法技术
本发明涉及一种直流电沉积纳米孪晶铜箔用的添加剂及其制备方法,该方法为电解铜箔技术领域,上述直流电沉积纳米孪晶铜箔用添加剂包括按质量份数计的下列组分:聚丙二醇
一种金相切片测量铜牙的方法技术
本发明公开了一种金相切片测量铜牙的方法,该金相切片测量铜牙的方法包括以下步骤:
一种双面毛面锂电铜箔的制备方法技术
本发明公开了一种双面毛面锂电铜箔的制备方法,包括以下步骤:
一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途技术
本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途,属于电解铜箔技术领域,以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结...
一种抑制可变幅宽边部结铜添加剂及其制备方法技术
本发明属于金属电解生箔技术领域,具体涉及一种抑制可变幅宽边部结铜添加剂及其制备方法。为解决电解生箔过程中出现的结铜问题,本发明的添加剂通过三苯甲烷(TPM)连接三个吡咯环得到TPM
一种制备微孔铜箔的电解液方法技术
本发明公开了一种制备微孔铜箔的电解液方法,包括如下步骤:将铜原材料根据工艺配比与硫酸、去离子水一起加入到溶铜罐中混合,在通入蒸汽条件下,铜发生氧化并与硫酸发生反应生成硫酸铜溶液,所述硫酸铜溶液经过滤后得到的硫酸铜电解液,将硫酸铜电解液加...
一种基于脉冲电镀的电解铜箔制备方法技术
本发明公开了一种基于脉冲电镀的电解铜箔制备方法,包括以下步骤:选择合适的电解液,并将电解液加入电解槽;设置合适的电解液流速;接入脉冲电源,设置平均电流密度为20~50A/dm2,脉宽为1~10ms,占空比为1~30%,脉冲波形为矩形波;...
一种生箔机阴极辊表面涂胶装置制造方法及图纸
本发明涉及阴极辊加工设备技术领域,具体公开了一种生箔机阴极辊表面涂胶装置,包括阴极辊、胶桶、磨床、设置于磨床上方的Y方向滑动导轨,Y方向滑动导轨顶部滑动设置有滑座,滑座顶部固定设有X方向滑动导轨,X方向滑动导轨顶部滑动设置有刀架台。本发...
一种降低可变幅宽铜箔边部结铜速率装置制造方法及图纸
本实用新型涉及铜箔生产设备技术领域,具体公开了一种降低可变幅宽铜箔边部结铜速率装置,包括电解槽、阳极弧形板、阴极辊、矩形辅助阴极一、矩形辅助阴极二,电解槽中部开设有弧形槽,阳极弧形板固定于弧形槽内部,阴极辊设置于阳极弧形板的弧面上方,阴...
一种铜箔表面打码定位装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种铜箔表面打码定位装置,设计铜箔打码辅助装置的技术领域,其包括包括底板和标尺,底板上端面一侧沿其长度方向设置有滑轨,标尺嵌入滑轨内并与其滑动连接,且滑轨上设置有用于锁紧标尺的锁定机构。本申请通过设置可对打码位置进行精确...
一种高模量低翘曲铜箔的制备方法技术
本发明涉及铜箔制取领域,公开了一种高模量低翘曲铜箔的制备方法。该方法包括:S1、制备电镀液;S2、对铜箔原料使用磨辊工艺进行打磨;S3、电解制备生箔,所述电解制备生箔包括:在预设电解液温度和预设电流强度条件下,进行电解制备生箔,所述预设...
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