一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途技术

本发明专利技术公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途，属于电解铜箔技术领域，以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结合层适配与构建。本发明专利技术方法生产的超低轮廓电解铜箔具有超低的表面轮廓度、微细粗糙化化组织、特殊形貌粗化组织、不含铁磁性金属含量、稳定的抗剥离性能、出色的信号完整性等典型特征；在加工覆铜板产品时，电解铜箔与树脂基材之间的结合强度也足够。且由于产品不含铁磁性金属含量，作为PCB产品的原料，从根本上消除铁磁性金属对信号传输的不利影响，保证信号的完整性。保证信号的完整性。保证信号的完整性。

【技术实现步骤摘要】
一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途


[0001]本专利技术属于电解铜箔
，具体涉及一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途。

技术介绍

[0002]高性能电子电路铜箔是5G通讯、高速服务器应用领域不可或缺的关键原料。进入高速数字线路和毫米波通讯时代，新一代印制线路板(PCB,printed circuit board)中的信号完整性(SI,signal integrity)，功率完整性(PI,power integrity)和电磁兼容性(EMC,electromagnetic compatibility)的要求随着技术的迭代升级也水涨船高。作为PCB中信号传输的导体，电子电路铜箔自身的性能，以及后续加工过程中的工艺对信号传输性能发挥着决定性作用。
[0003]根据信号传输相关理论，信号在PCB中的损失α
totalc
可分为介电损失α
dielectric
,导体损失α
conductor
，辐射损失α
radiation
和泄露损失α
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法,其特征在于:该方法分为以下步骤：S1、添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔；在酸性硫酸铜溶液中引入具有细化晶粒尺寸的光亮剂、具有增强添加剂在钛阴极浸润的走位剂以及改善铜箔电化学沉积均匀性的整平剂，通过以上3类添加剂的协调作用，通过直流电作用下电化学沉积在钛阴极的辊面生成具有超低轮廓毛面的生箔；S2、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理及固化；选择S1中生成的超低轮廓生箔毛面为处理面，待开卷端放卷后将铜箔运行至含有添加剂的电解槽中进行微细粗糙化处理，超微细粗化处理后的电解铜箔经过水洗、挤干水分后转移至固化槽中进行固化处理；S3、零含量铁磁性功能层构建；为了提升电解铜箔在下游加工过程中的抗氧化性能，需要对电解铜箔的光面和毛面进行钝化处理，该处理过程不引入含有铁磁性的非铜金属元素，其中阻挡层中镍和钴等铁磁性成分的含量为0mg/m2，即构建零含量铁磁性功能层；S3.1双面电沉积含锌阻挡层；通过电化学沉积工艺依次在微细粗糙化铜箔的光面和毛面同时沉积含锌的阻挡层，严格控制毛面和光面的锌含量15
‑
30g/m2之间，提升铜箔的高温抗氧化性能；S3.2双面电沉积含铬钝化层；同时电沉积含铬的功能层，提升铜箔在室温条件下的耐候性；S4、化学结合层适配与构建；在超低轮廓电解铜箔的毛面构建化学结合层，有针对性地选择与树脂官能团匹配的硅烷偶联剂；将钝化处理后的铜箔运行至硅烷偶联剂处理槽，通过辊涂的方式在粗糙化和钝化处理后光面涂覆化学结合层；以上工艺制得的产品即为HVLP超低轮廓电解铜箔。2.如权利要求1所述的一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法，其特征在于:S1中光亮剂为硫脲、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3
‑
巯基丙烷磺酸钠(MPS)、烯丙基磺酸钠(ALS)含有巯基或磺酸基的有机类添加剂中的一种或几种，电解液中光亮剂的含量介于5
‑
10ppm之间。3.如权利要求1或2所述的一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法，其特征在于:S1中走位剂为聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)等链状醚类聚合物中的一种或几种，电解液中走位剂的含量介于10
‑
20ppm之间。4.如权利要求3所述的一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法，其特征在于:S1中整平剂为明胶、胶原蛋白、羟乙基纤维素(HEC)等含氮类有机化合物，电解液中整平剂的含量介于10
‑
20ppm之间。5.如权利要求4所述的一种超低轮廓HVLP电解铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，钟鸿杰，庞志君，杨红光，金荣涛，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：