以反向读出方式从双存储单元［ｉ］中的一个存储元件读取数据时，字线ＷＬ１被设定于Ｖｄｄ，控制栅ＣＧ［ｉ＋１］被设定于１．５Ｖ，控制栅ＣＧ［ｉ］被设定于覆写电压（例如３Ｖ）。位线ＢＬ［ｉ＋１］设为０Ｖ，位线ＢＬ［ｉ］连接至读出放大器。这时，...

提供具有在减轻粒子问题的同时达到低接触电阻和高阻挡性能的布线结构的半导体装置及其制造方法。在Ｓｉ半导体衬底上，形成与电路元件有关的扩散层１１，在导电部件１６和扩散层１１之间，设置有阻挡层１４。阻挡层１４具有作为阻挡金属的Ｔｉ层１４１。通...

非易失性半导体存储装置包括：将具有由字节门和控制门控制的第１、第２ＭＯＮＯＳ存储单元的存储单元在第１以及第２方向上多行多列配置构成的存储单元阵列区域。存储单元阵列区域具有在第２方向分割的多个区段。多个控制门驱动器的每一个可以独立于其他区...

非易失性半导体存储装置包括：将具有第１、第２ＭＯＮＯＳ存储单元的存储单元多个排列构成存储单元阵列。设置分别与多个存储单元的各群连接的沿第１方向延伸的多个比特线，在多个比特线的每一个两侧设置与第２方向上相邻２个存储单元连接的第１控制门和第...

非易失性半导体存储装置包括将具有第１、第２ＭＯＮＯＳ存储单元的存储单元多行多列配置构成的存储单元阵列区域。控制门驱动部具有多个控制门驱动器。多个主比特线的每一个与多个子比特线的每一个的共同连接部位上设置多个选择开关元件。子比特线在一方的...

具有：把具有由一个字栅和第一、第二控制栅控制的第一、第二非易失性存储元件的存储单元排列多个而构成的存储单元阵列领域。当从所述第一、第二非易失性存储元件的一方读出数据时，外加了超越控制电压的控制栅线上连接的控制栅线选择开关元件的控制电压比...

本发明的课题是在选择单元的编程时防止与其邻接的非选择单元中的干扰。本发明是对于双存储单元（ｉ）的存储元件１０８Ｂ进行数据编程的方法。将字线ＷＬ１的电压设定为编程用字线选择电压（１Ｖ），将控制栅［ｉ＋１］的电压设定为编程用控制栅电压（５．...

本发明的课题是，提供一种包括了熔丝、合格率优异的半导体器件。本发明的半导体器件包括形成了多个通过激光照射能熔断的熔丝２０的熔丝部１１０。熔丝２０以间距Ｘ排列，而且用具有规定的膜厚的绝缘层３６覆盖熔丝２０的上表面。熔丝２０的宽度Ｗ和熔丝２...

本发明的课题是提供一种包括了熔丝、合格率优异的半导体器件。包括含有多个通过激光照射被熔断的熔丝２０的熔丝部１１０。按照规定的间距排列熔丝２０。在相邻的熔丝２０之间埋入第一绝缘层３３。在第一绝缘层３３上形成第二绝缘层３９。熔丝２０的上表面...

本发明的课题是提供一种包括了熔丝、合格率优异的半导体器件。本发明的半导体器件包括含有多个通过激光照射被熔断的熔丝２０的熔丝部１１０。熔丝２０在第一绝缘层３６上形成而且按照规定的间距排列。熔丝２０的侧面及上表面被第二绝缘层１９覆盖。

位于墨盒上的电路板具有接触块，其与安装在电路板上的半导体存储元件电连接。喷墨式记录装置上的连接端子与此电路板的表面相对滑动接触，并与接触块电连接。当连接端子与接触块接触时，粘附在连接端子上的粉尘被由未形成保护膜的部分所构成且与接触块相邻...

一种压电器件，其具有基体，它包括在基体第一表面上开口的空腔，形成于基体第二表面上的第一电极层，层叠在第一电极层上的压电层，以及形成于基体第二表面之上的辅助电极层。在第一电极层和辅助电极层之间形成了绝缘间隙，以保证在这两层电极层之间形成绝...

一种半导体装置，在半导体元件（１０）的电极（１２）上设置导电构件（２４）。把导电构件（２４）压平到约２／３以下的高度，形成凸出（４０）。利用包含绝缘性填充剂（６８）的粘合剂（６４）使半导体元件（１０）和具有布线结构（６２）的衬底（６０）...

在电泳装置中，防止电泳分散液变质的同时格外提高图像保持性。本发明的电泳装置２０Ａ备有在第１基板１上形成的电极３、在第２基板２上形成的透明电极４、在这些电极３和电极４之间填充的电泳分散液１０，且在电极３和电极４的至少一个的表面上形成绝缘性...

本发明涉及一种在同一衬底上具有不同耐压漏极的高压ＭＯＳ晶体管与低压ＭＯＳ晶体管的半导体装置的制造方法，并涉及一种根据此方法制造的半导体装置。在该衬底上形成的栅极氧化膜的中央部位上形成栅极后，在包括该栅极的衬底的全部表面上形成氧化硅膜，通...

本发明公开了一种小型、高密度、低成本、可靠性高的叠层水平的半导体装置及其制造方法。该半导体装置在第一半导体芯片（１１）的表面上配置有第二半导体芯片（１２），它具有：在第一半导体芯片的表面上配置有电极取出用的金属端子（１４）；形成在第二半...

本发明公开了一种能实现小型化、高密度化的可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置在带衬底（１）表面上面朝下配置有第一半导体芯片（１１），在第一半导体芯片的背面上面朝上配置有第二半导体芯片（１２），它具有：形成在带衬底的表面上的布线...

提供一种方法用于在材料中精确的目标区内蚀刻图案，它包括在材料上选择性地沉积一种物质用于溶解该材料或与该材料起化学反应。可以从有喷嘴的这类打印头沉积微滴，可以从喷嘴以一系列微滴的形式喷射出该材料，如喷墨打印头。在优选的应用中，可以从覆盖光...

提供可形成具有ＳＯＩ结构、而且支持基片与ＳＯＩ层的热膨胀系数不同的半导体基片的半导体基片的制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备。当制造ＳＯＩ结构的基片６００时，在单晶硅层形成沟槽２６０，形成岛状单晶硅层２３０。然后实施热处理。其结...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件虽采用０．１３μｍ以下的设计规则，但仍具有在邻接布线层之间的优良填充性的层间绝缘层。半导体器件（１００）具有在基板（１０）上配置了指定图案的布线层（１２）和覆盖布线层（１２）的层间绝缘层...