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华中科技大学鄂州工业技术研究院专利技术
华中科技大学鄂州工业技术研究院共有490项专利
一维Bi基钙钛矿晶片的制备方法、晶片及X射线探测器技术
本发明提供了一维Bi基钙钛矿晶片的制备方法、晶片及X射线探测器,属于钙钛矿材料领域。将Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;溶解于氢溴酸中,得到BiBr<subgt;3<...
一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法技术
本申请涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法;所述方法包括:混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液,对混合物进行静置,得到饱和混合物;于饱和混合物中加入种子层,得到种子混合物;对种子混合物进行静置,后采用苯...
一种羟基磷灰石基骨植入物及其制备方法技术
本申请涉及一种羟基磷灰石基骨植入物及其制备方法,属于骨植入物技术领域;方法包括:将羟基磷灰石和聚乙烯醇进行混合,得到含羟基磷灰石原料;采用3D打印对含羟基磷灰石原料进行打印,得到骨植入物胚;向骨植入物胚中浸入柠檬酸水溶液,以增加骨植入物...
一种有机塑料闪烁体及其制备方法技术
本发明公开了一种有机塑料闪烁体及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:称取塑料单体、闪烁物质和引发剂置于密闭瓶中;溶解密闭瓶中的物质并混合均匀;将所述密闭瓶中物质进行缓慢变温聚合反应,聚合反应完成后得到有机塑料闪烁体。本方法采用缓慢变温...
X射线面阵探测器的制作方法、及X射线面阵探测器技术
本申请的实施例提供了一种X射线面阵探测器的制作方法、及X射线面阵探测器,所述方法包括:提供CMOS基底,以及用于承载所述CMOS基底的导电底板,并将所述CMOS基底与所述导电底板贴合;在所述CMOS基底与所述导电底板贴合后,在所述CMO...
一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法技术
本申请涉及半导体材料技术领域,尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法;所述制备方法包括:在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层,得到复合AlGaN层;在复合AlGaN层至少部分表面固定连...
一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜技术
本发明提供了一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜,属于光电子材料领域。所述方法包括:S1、将钙钛矿前驱体溶液与辅助溶剂混合,得到混合溶液;S2、将两片基底组合形成具有设定厚度的二维限域空间;S3、将所述混合溶液加入至所述二维限域空间...
一种双金属增材及其制备方法技术
本申请涉及一种双金属增材及其制备方法,属于增材制造技术领域;方法包括:得到第一金属、梯度材料和第二金属,第二金属的熔点高于第一金属,梯度材料的熔点在第一金属和第二金属之间;将第一金属、梯度材料和第二金属分别和粘结剂混合,配制成第一浆料、...
一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法技术
本申请的实施例提供了一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法,所述方法包括:在预处理后的衬底基板上旋涂钼源溶液,所述衬底基板上沉积有氮化铝缓冲层,所述氮化铝缓冲层上沉积有氮化铝镓薄膜层,所述钼源溶液中含有钼酸钠和催化剂;将石英舟放置...
一种钙钛矿X射线探测器集成界面应力缓释的方法技术
本发明提供了一种钙钛矿X射线探测器集成界面应力缓释的方法,属于X射线探测器领域。所述方法包括:得到钙钛矿厚膜;将ACA胶涂覆到TFT像素基板的至少部分表面,得到含有ACA胶层的TFT像素基板;将所述钙钛矿厚膜覆盖到ACA胶层的至少部分表...
发光器件及其制备方法技术
本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,能够提高多波段发光器件的集成度和小型化程度,降低制备难度。其中,上述发光器件包括:衬底;缓冲层,设置于所述衬底的一侧;量子阱光学谐振腔,设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧;发...
一种提高单元系粉末烧结致密度的方法技术
本申请涉及一种提高单元系粉末烧结致密度的方法,属于粉末冶金技术领域;方法包括:把单元系粉末和粘结剂进行混合,得到混合料;把所述混合料制成生坯;对所述生坯进行脱脂处理,以去除所述生坯中的粘结剂形成连通孔隙,得到中间坯;对所述中间坯进行预烧...
一种红外光电探测器制造技术
本发明提供一种红外光电探测器,涉及半导体光电探测器件技术领域,探测器包括:纤维素导电衬底,其中,衬底中掺杂有银纳米线;电子传输/注入层;半导体材料活性层;空穴传输/注入层;以及光线可穿透金属电极,光线可穿透金属电极的第一侧用于接收红外光...
一种正面出光深紫外LED芯片制备方法技术
本申请提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合,在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构,经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器,最后二次外延生长深紫外LED结构,通过引入高深紫外反射率的...
一种紫外探测器及制备方法技术
本申请实施例提供一种紫外探测器及制备方法,涉及半导体器件技术领域,该紫外探测器包括:衬底层;第一有源层,设置于所述衬底层的一侧;第二有源层,设置于所述第一有源层远离所述衬底层的一侧,其中,所述第一有源层的带隙与所述第二有源层的带隙不同;...
一种闪烁体材料及其制备方法和应用技术
本申请涉及一种闪烁体材料及其制备方法和应用,属于闪烁体材料技术领域;闪烁体材料包括零维有机无机杂化锰基金属卤化物,所述零维有机无机杂化锰基金属卤化物的化学式为(C<subgt;19</subgt;H<subgt;18&...
机器人跟随避障方法及相关设备技术
本发明提供一种机器人跟随避障方法及相关设备,涉及机器人控制技术领域,方法包括:获取跟随行人目标的运动状态信息和速度变化信息;基于跟随行人目标的运动状态信息,预测跟随行人目标的未来轨迹;基于跟随行人目标的未来轨迹,确定机器人的期望位置。由...
一种二硫化钼钨纳米片及其制备方法技术
本发明提供了一种二硫化钼钨纳米片及其制备方法,属于纳米材料领域。所述方法包括:将钼源溶液旋涂于第一衬底,将钨源和催化剂的混合溶液旋涂于第二衬底;将硫源放入分区加热装置的第一温区,将所述第一衬底和所述第二衬底放入所述分区加热装置的第二温区...
一种钙钛矿太阳能电池制造技术
本实用新型涉及一种钙钛矿太阳能电池,包括:由下至上依次层叠设置的透明基底、第一电荷传输层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、第二电荷传输层和金属电极,所述第一电荷传输层为空穴传输层且所述第二电荷传输层为电子传输层,或者所述第一电荷传格努输层为电子...
一种偏振无关的光学角度滤波器制造技术
本实用新型公开了一种偏振无关的光学角度滤波器,涉及光学技术领域,光学角度滤波器包括:第一介质膜层,第一介质膜层设置于第一金属膜层的上表面;第三介质膜层的上表面与第一金属膜层的下表面连接,第二金属膜层的上表面与第三介质膜层的下表面连接,第...
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