【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜制备，具体而言，涉及一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法。
技术介绍
1、相比于第一代半导体材料(硅、锗)、第二代半导体材料(砷化镓、磷化铟等)，第三代半导体材料氮化铝镓(algan)因其宽带隙、耐高压等优良特性成为了短波长发光器件和大功率电子器件的优异材料。另外，过渡金属硫族化合物因其独特的层状材料结构和物理特性而受到广泛关注，尤其是单层二硫化钼(mos2)，具有超薄的厚度、原子级平整的界面等特点，在电子器件、光电器件等中前景广阔。
2、通过范德华作用力结合的二维/三维混维异质结构，通过将二维层状材料和成熟的三维薄膜半导体材料的优势相结合，可以显著提高其响应度和有效波长范围。而将二维mos2和三维algan结合的mos2/algan混维异质结构，由于其晶格匹配、高温下良好的化学稳定性以及互补的发光和探测波段，在电子、光电和传感等诸多领域有广阔的应用前景。
3、目前，对于mos2/algan混维异质结构的制备主要是通过干法或湿法转移技术得到。而这类方法步骤繁多，且不可避免地会引入杂质和缺陷，...
【技术保护点】
1.一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底基板包括碳化硅，单晶硅，氮化铝，以及蓝宝石中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预处理后的衬底基板上旋涂钼源溶液时，旋涂的转速为800～3500rpm，旋涂时间大于30s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂为氢氧化钠。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝缓冲层的厚度大于...
【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底基板包括碳化硅，单晶硅，氮化铝，以及蓝宝石中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预处理后的衬底基板上旋涂钼源溶液时，旋涂的转速为800～3500rpm，旋涂时间大于30s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂为氢氧化钠。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝缓冲层的厚度大于或等于500nm；采用金属有机化学气相沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：蹇鹏承，赵永明，吴峰，陈长清，戴江南，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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