【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备,特别是涉及一种异常确定方法、一种异常确定装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主,利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、其中,当多晶硅原料融化完成后,还不能马上开始引晶,因为这时的温度要高于引晶温度,还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度,将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触,然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下,硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长,从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径,在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长,直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体,以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后,进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤,在该步骤中,通过对拉
...【技术保护点】
1.一种异常确定方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域,确定所述亮环区域的交集区域和并集区域包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述交集区域和并集区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述计算所述交集区域和所述并集区域之间的重合性程度包括:
【技术特征摘要】
1.一种异常确定方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域,确定所述亮环区域的交集区域和并集区域包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述交集区域和并集区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述计算所述交集区域和所述并集区域之间的重合性程度包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一像素点个数和所述第二像素点个数,确定所述重合性程度包括:
7.根据权利要求3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭力,李广砥,王正远,杨正华,周宏坤,卓珍珍,
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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