异常确定方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:40664221 阅读:21 留言:0更新日期:2024-03-18 18:58
本发明专利技术实施例提供了一种异常确定方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶过程中,获取等径阶段的预设时长内的至少两个单晶棒图像,检测每个单晶棒图像中的亮环区域,根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况,使得利用多个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,分析单晶棒的生长变化大小来发现单晶棒出现的异常情况,从而减少了异常情况后的异常工时,继而提高单产,避免划弧严重时发生掉棒砸埚的风险,为生产安全提供更好的保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体制备,特别是涉及一种异常确定方法、一种异常确定装置、一种电子设备以及一种存储介质。


技术介绍

1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主,利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。

2、其中,当多晶硅原料融化完成后,还不能马上开始引晶,因为这时的温度要高于引晶温度,还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度,将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触,然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下,硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长,从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径,在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长,直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体,以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后,进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤,在该步骤中,通过对拉速和温度的自动控制,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异常确定方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域,确定所述亮环区域的交集区域和并集区域包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述交集区域和并集区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述计算所述交集区域和所述并集区域之间的重合性程度包括:

>6.根据权利要求5...

【技术特征摘要】

1.一种异常确定方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域,确定所述亮环区域的交集区域和并集区域包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述交集区域和并集区域的重合性程度,确定单晶棒的异常情况包括:

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述计算所述交集区域和所述并集区域之间的重合性程度包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一像素点个数和所述第二像素点个数,确定所述重合性程度包括:

7.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭力李广砥王正远杨正华周宏坤卓珍珍
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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