一种红外光电探测器制造技术

技术编号:40465972 阅读:31 留言:0更新日期:2024-02-22 23:19
本发明专利技术提供一种红外光电探测器,涉及半导体光电探测器件技术领域,探测器包括:纤维素导电衬底,其中,衬底中掺杂有银纳米线;电子传输/注入层;半导体材料活性层;空穴传输/注入层;以及光线可穿透金属电极,光线可穿透金属电极的第一侧用于接收红外光源,光线可穿透金属电极的第二侧依次层叠设置有空穴传输/注入层、半导体材料活性层、电子传输/注入层和纤维素导电衬底。根据上述技术方案,不仅可以实现器件的高灵敏、低功耗的红外探测功能,同时纤维素导电衬底易于集成,还可以展现出高耐弯折性能,具有强柔韧性和可穿戴等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电探测器件,更具体地,涉及一种红外光电探测器


技术介绍

1、红外光电探测器能够探测0.8-30μm波长范围内光信号,被广泛应用在医学成像、光通信、安全监控等领域。到目前为止,大多数可用的高性能商用红外光电探测器通常依赖于具有3d晶体结构的化合物半导体,例如ii-vi hgxcd1-xte和iii-v inxga1-xas或insb,以及ii型inas/gasb超晶格。由于这些材料通常严重依赖于分子束外延(mbe)、金属有机化学气相沉积(mocvd)等复杂和高成本的外延生长方法技术,只能在耐高温的刚性衬底上生长,这也限制了红外光电探测器在柔性发展方向上的进一步应用。

2、由此,亟需一种新的技术方案以解决上述技术问题。


技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种红外光电探测器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底通过以下方式获得:

3.如权利要求2所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底中掺杂的所述银纳米线的数量满足所获得的所述纤维素导电衬底的电导率大于40S/m。

4.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述半导体材料活性层为量子点薄膜。

5.如权利要求4所述的红外光电探测器,其特征在于,所述量子点薄膜通过以下方式获得:

6.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述光线可穿透金属电极为透明金属...

【技术特征摘要】

1.一种红外光电探测器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底通过以下方式获得:

3.如权利要求2所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底中掺杂的所述银纳米线的数量满足所获得的所述纤维素导电衬底的电导率大于40s/m。

4.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述半导体材料活性层为量子点薄膜。

5.如权利要求4所述的红外光电探测器,其特征在于,所述量子点薄膜通过以下方式获得:<...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹君扬曾钰晖彭孟戴江南吴峰
申请(专利权)人:华中科技大学鄂州工业技术研究院
类型:发明
国别省市:

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