【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电探测器件,更具体地,涉及一种红外光电探测器。
技术介绍
1、红外光电探测器能够探测0.8-30μm波长范围内光信号,被广泛应用在医学成像、光通信、安全监控等领域。到目前为止,大多数可用的高性能商用红外光电探测器通常依赖于具有3d晶体结构的化合物半导体,例如ii-vi hgxcd1-xte和iii-v inxga1-xas或insb,以及ii型inas/gasb超晶格。由于这些材料通常严重依赖于分子束外延(mbe)、金属有机化学气相沉积(mocvd)等复杂和高成本的外延生长方法技术,只能在耐高温的刚性衬底上生长,这也限制了红外光电探测器在柔性发展方向上的进一步应用。
2、由此,亟需一种新的技术方案以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的
【技术保护点】
1.一种红外光电探测器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底通过以下方式获得:
3.如权利要求2所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底中掺杂的所述银纳米线的数量满足所获得的所述纤维素导电衬底的电导率大于40S/m。
4.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述半导体材料活性层为量子点薄膜。
5.如权利要求4所述的红外光电探测器,其特征在于,所述量子点薄膜通过以下方式获得:
6.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述光线可穿
...【技术特征摘要】
1.一种红外光电探测器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底通过以下方式获得:
3.如权利要求2所述的红外光电探测器,其特征在于,所述纤维素导电衬底中掺杂的所述银纳米线的数量满足所获得的所述纤维素导电衬底的电导率大于40s/m。
4.如权利要求1所述的红外光电探测器,其特征在于,所述半导体材料活性层为量子点薄膜。
5.如权利要求4所述的红外光电探测器,其特征在于,所述量子点薄膜通过以下方式获得:<...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹君扬,曾钰晖,彭孟,戴江南,吴峰,
申请(专利权)人:华中科技大学鄂州工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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