本发明提供了一种冒泡瓶高液位安全互锁装置及方法，所述冒泡瓶高液位安全互锁装置包括冒泡瓶主体、液位计、控制装置以及液位控制模块；液位计包括磁簧开关，出口管路上固接有气动阀；工作组件或感应组件包括环形磁铁以及浮球，环形磁铁设于磁簧开关的下方...

本发明提供一种碳化硅外延设备的校温方法，该方法包括：将反应腔升温至目标温度，并在碳化硅外延片表面进行碳化硅同质外延掺杂生长，获得碳化硅校温片；基于碳化硅校温片的掺杂浓度与碳化硅同质外延掺杂生长温度的对应关系，校准红外测温装置的测量温度

本发明实施例提供一种碳化硅外延生长控制方法，应用于碳化硅外延设备；外延气体经多个导流管至出气口后，碳化硅衬底在外延气体的作用下形成条形外延区域；方法包括：获取各导流管的出气口处条形外延区域的外延层厚度；根据导流管的出气口处条形外延区域的...

本发明提供了一种碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件，所述碳化硅外延用上半月加热座包括上座体，上座体底部开设有凹槽，凹槽呈圆形，凹槽的半径比衬底的半径大预设尺寸。所述碳化硅外延用石墨件包括下半月加热座和上述的上半月加热座，下半月...

本申请提供一种测量外延设备中基座水平度装置。该装置包括安装底座、第一条形支架、第二支架、第三条形支架、测距传感器和控制器；安装底座安在外延设备的铁质底板上，第一条形支架安于安装底座上，平行第一平面，第一平面为安装底座上表面位于的平面；第...

本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置；基座位于钟罩内；基座的上表面为圆形；至少两个测距传感器设于基座上方，且位于钟罩外；至少两个测距传感器处于同一水平面，至少两个测...

本实用新型提供了一种硅外延设备的托盘支撑结构，属于硅外延设备技术领域，转轴、三个支撑杆以及石英支撑柱；支撑杆沿转轴的周向均匀连接在转轴的外周壁上，石英支撑柱与支撑杆一一对应，且石英支撑柱固定在支撑杆的自由端；其特征在于，托盘支撑结构还包...

本发明提供一种红外光谱仪测量外延层厚度的校准方法及校准片，其中，校准方法包括采用红外光谱仪测定目标标准片的实测外延厚度；基于目标标准片的实测外延厚度、红外光谱仪的预设的拟合线性方程，确定目标标准片的拟合厚度；其中，拟合线性方程为基于多个...

本实用新型提供了一种衬底传输腔机械手冷却装置和衬底传输腔机械手，所述衬底传输腔机械手冷却装置包括两个冷却半环和安装组件，两个冷却半环呈对称设置，组成冷却环；每个冷却半环内部均设有导流槽，且均设有进水口和出水口，导流槽内适于流通冷却介质；...

本实用新型提供了一种硅外延设备的石英安装总成，属于石英加工设备技术领域，包括基座环金属法兰以及上法兰，基座环金属法兰的内孔具有适于承托石英的承托台，上法兰的内孔具有凸台；承托台和凸台上均设有适于与石英接触的密封圈；石英安装总成还包括定位...

本实用新型提供了一种HCL气瓶防松装置和HCL气瓶，所述HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干凸起；安装架适于与气瓶连接；限位件与安装架转动连接，并适于与凸起的一...

本实用新型提供了一种压力变送器连接装置及硅外延尾气处理器，压力变送器连接装置包括三通连接管、压力变送器以及非反应气源，本实用新型实施例提供的压力变送器连接装置，通过设置压力变送器接口、气源接口以及尾气反应器接口，连通了压力变送器、非反应...

本实用新型提供了一种顶压式HCL气瓶防松装置和HCL防松气瓶，所述顶压式HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干抵压面；安装架适于与气瓶上的阀门连接；限位件与安装架...

本发明提供了一种单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，属于半导体制作技术领域，所述调整方法包括：将衬底基板放入反应腔，升温进行H2烘烤和HCl高温腐蚀抛光；再次通入H2，对所述反应腔吹扫清洁；调节五路进气管的针阀，使进气口对应的不同位...

本实用新型提供了一种用于半导体材料沉积设备的移动装置，包括安装座、上滑移件、下滑移件、双向伸缩件、沉积件以及支撑件，安装座设有立板以及位于立板顶部的顶板，立板上设有两个分别沿上下方向延伸的滑轨；上滑移件和下滑移件均滑动连接于两个滑轨上；...

本实用新型提供了一种单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉，属于硅外延技术领域，包括进气管组、分流导流槽、两个进气导流槽及承载导流槽。进气管组包括一中心进气管及对称分布于中心进气管两侧的外进气管；分流导流槽用于连接进气管组，分流导...

本实用新型提供了一种硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，存放凹槽为圆形，存放凹槽槽底为弧形面，且存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干排气孔均布在存放凹槽槽底。本实用新型提供的硅外延用...

本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法，属于半导体材料制备技术领域，方法包括硅衬底片的预处理：外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光，并在抛光时，外延腔室内温度升温至1030～1060℃；外延生长：在外延腔室内通入三氯...

本实用新型提供了一种硅外延炉装置，所述硅外延炉装置包括壳体、石墨基座、保温隔热托盘、加热器、旋转结构以及转接件，所述壳体外周环设有冷却水结构，具有反应腔，所述壳体上设有进气孔、出气孔以及第一穿孔，所述石墨基座转动设置在所述反应腔内，所述...

本实用新型提供了一种碳化硅外延设备，所述碳化硅外延设备包括壳体、加热器、基座、测距仪以及控制器；所述壳体设有透视结构，所述加热器位于所述壳体内，具有用于吹浮所述基座的气道；所述基座包括可旋转地设置在所述加热器顶部的基座本体以及与所述基座...