罕王微电子辽宁有限公司专利技术

罕王微电子辽宁有限公司共有76项专利

  • 一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构,其中:衬底为圆片结构,第一层氧化层在衬底通过氧化工艺生长出;第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层,第一层硅层为多晶硅或单晶硅层,第一层硅层上有第二层氧化层;第二层氧化层上通过CVD...
  • 一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件,传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成;两层吸气金属,使得键合后腔体成为真空,CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成,有源区为CMOS器件的主要...
  • 一种具有片上温度补偿的双谐振器,包括锚点,弹簧,振荡器,驱动电极,感应电极,重掺杂氧化层,锚点通过弹簧与振荡器连接,驱动电极和感应电极与振荡器连接,振荡器表面带有重掺杂氧化层;分为高温振荡器和低温振荡器两段,低温振荡器与MEMS芯片边缘...
  • 一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构,其中:衬底为圆片结构,第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层,第二层氧化层上有第二层硅层;第二层硅层上设有通孔,形成低真空度腔室和高真空度腔室,设有多个腔室,在CVD工艺过程中,通入...
  • 减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构,其特征在于:所述的减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构,包括端点,刚体,刚性连接模块,柔性梁,固定点;其中:刚体上端为端点结构,平行于位移方向的柔性梁之间设置有刚性连接模块,固定点,刚体...
  • 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统,包括过渡金属,盖片,真空腔,密封金属条,谐振腔,MEME晶圆,吸气层;在盖片内刻蚀有真空腔,在盖片的外侧墙上淀积有过渡金属,过渡金属的扩散,使其到达盖片的内侧墙,形成金属吸气层;过渡金属...
  • 减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构,包括端点,刚体,刚性连接模块,柔性梁,固定点;其中:刚体上端为端点结构,平行于位移方向的柔性梁之间设置有刚性连接模块,固定点,刚体下方设置有固定点。一种减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结...
  • 本实用新型提供了一种基于正交信号消除的突起电极,其特征在于:所述的基于正交信号消除的突起电极,包括突出部分,正交消除电极,刚性质量块,基底;其中:刚性质量块下面设有突出部分,基底上设有正交消除电极,突出部分与正交消除电极相对布置。本实用...
  • 一种改进的MEMS封装结构,包括CMOS或者MEMS芯片,钝化层,密封真空腔,硅晶元盖,谐振器,接触界面,热机械隔离玻璃平台晶片,承载晶片,氧化层,刻蚀后的器件,刻蚀孔;CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层,硅晶元盖和CMOS或者ME...
  • 一种阳极压力传感器结构,硅压力传感器芯片与玻璃芯片阳极键合,玻璃芯片与低金属热导系数的垫片键合,然后再与压力传感器不锈钢管壳焊接在一起,用金属封装金属密封外壳密封,内部装有硅压力传感器芯片和键合引线,使用EVG 520进行玻璃芯片、硅压...
  • 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统,MEME晶圆上设置有谐振器,MEME晶圆和盖片之间设置有密封金属条,盖片内设置有真空腔,盖片上设置有吸气剂层和过渡金属。硅
  • 本发明提供了一种基于正交信号消除的突起电极,其特征在于:所述的基于正交信号消除的突起电极,包括突出部分,正交消除电极,刚性质量块,基底;其中:刚性质量块下面设有突出部分,基底上设有正交消除电极,突出部分与正交消除电极相对布置。本发明的优...
  • 一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,所述的基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,包括为压力薄膜,谐振器固定点,谐振器,HF释放孔,感应电极和驱动电极,谐振器弹簧,外表面层;其中:压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上...
  • 一种改进的MEMS封装结构,包括CMOS或者MEMS芯片,钝化层,密封真空腔,硅晶元盖,谐振器,接触界面,热机械隔离玻璃平台晶片,承载晶片,氧化层,刻蚀后的器件,刻蚀孔;CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层,硅晶元盖和CMOS或者ME...
  • 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统,在盖片内刻蚀有真空腔,在盖片的外侧墙上淀积有过渡金属,过渡金属的扩散,使其到达内侧墙,形成金属吸气层;盖片与晶圆之间设置有密封金属条,谐振腔设置在MEME晶圆上,MEME晶圆和吸气层内带...
  • 一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件,传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成;两层吸气金属,使得键合后腔体成为真空,CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成,有源区为CMOS器件的主要...
  • 一种具有片上温度补偿的双谐振器,锚点通过弹簧与振荡器连接,驱动电极和感应电极与振荡器连接,振荡器表面带有重掺杂氧化层;分为高温振荡器和低温振荡器两段,低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15
  • 一种阳极压力传感器结构,硅压力传感器芯片与玻璃芯片阳极键合,玻璃芯片与低金属热导系数的垫片键合,然后再与压力传感器不锈钢管壳焊接在一起,用金属封装金属密封外壳密封,内部装有硅压力传感器芯片和键合引线,使用EVG 520进行玻璃芯片、硅压...
  • 一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上,谐振器上带有HF释放孔,感应电极和驱动电极与谐振器连接,谐振器上带有谐振器弹簧,谐振器侧壁带有外表面层。一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传...
  • 一种MEMS单芯片集成流量温度湿度化学传感器,硅晶圆为整个器件的衬底,作为支撑结构;绝缘层板状结构,绝缘隔离金属薄膜与硅晶圆;敏感材料层设置在金属薄膜上;钝化层设置在金属薄膜上,金属焊盘为芯片的对外电学连接端子;腔室由晶圆背面或正面对其...