一种MEMS芯片唯一标识符装置，包括MEMS芯片，MEMS芯片敏感元件区域，MEMS芯片唯一标识符电阻，MEMS芯片唯一标识符电阻焊盘；MEMS芯片敏感元件区域有多种结构；MEMS芯片敏感元件区域周围制作的电阻条；MEMS芯片唯一标识符...

一种可无线通讯植入式压力传感器的结构，包括两片相匹配的、与人体生物兼容的玻璃晶圆作为压力传感器基材，L‑C振荡位于电路通过两片玻璃晶圆通过阳极键合形成密封的空腔中，形成可感应绝对压力变化的薄膜层，在空腔内加入吸气层。电感作为天线来感知外...

一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆，测...

一种同轴频率调制MEMS陀螺仪，包括硅弹簧、锚点、内部质量块、外部质量块、感应梳齿状结构、共振微调；共振微调设置在内部质量块的四个侧面以及外部质量块的四个侧面上；四个感应梳齿状结构设置在内部质量块的周围，分别通过硅弹簧与内部质量块连接；...

一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；其中：硅电阻层为高温压力传感器电阻层，组成电桥，金属圆片为高温压力传感器主体结构，为硅...

一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，顶层硅层，顶层氧化层，内部电学连接，封堵结构，顶层金属件，空腔结构，谐振器结构；衬底硅作为谐振器的支撑层，底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层；顶层硅层为...

一种压电式微镜的结构，包括衬底晶圆，空腔，反射镜金属表面，悬臂梁结构，金属连接线，压电薄膜，盖板晶圆，键合界面，吸气剂盒；衬底晶圆作为微镜的支撑与结构层，空腔在沉积晶圆上，为凹槽结构；反射镜金属表面通过悬臂梁结构连接微镜与衬底晶圆；金属...

一种电磁式微镜结构，其特征在于：所述的电磁式微镜结构，包括无磁性基底晶圆，盖板晶圆，悬臂梁结构，铁磁性镜面，晶圆键合界面层，吸气薄膜，空腔，电磁铁，金属片；其中：无磁性基底晶圆与盖板晶圆之间带有晶圆键合界面层，悬臂梁结构与无磁性基底晶圆...

一种医疗用温度和化学传感器结构，其特征在于：所述的医疗用温度和化学传感器结构，包括温度传感器和湿度传感器；温度传感器和湿度传感器均包括由金属薄膜，玻璃衬底，钝化层组成；其中：在金属薄膜和玻璃衬底之间，带有一层金属粘附层，温度传感器外部带...

一种MEMS芯片级正交信号消除装置，框架电极设置在框架质量块上面，质量块上面通过弹簧设置在框架质量块上，质量块下面通过阻尼器与框架质量块连接，质量块下面对应感应电极，框架质量块通过弹簧和阻尼器与外部框架连接；框架质量块与驱动电容转换器和...

一种堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆，光波导层，光纤，光纤底座，键合界面；衬底晶圆之间带有键合界面，衬底晶圆上带有光波导层，在衬底晶圆上带有光纤底座，光纤固定在光纤底座上，多层衬底晶圆为整体结构，实现堆叠式多光波导器件；在衬底晶圆上利用刻...

一种新型压力传感器，其特征在于：包括惠斯通主桥电阻R1，惠斯通主桥电阻R2，惠斯通主桥电阻R3，惠斯通主桥电阻R4，惠斯通次级桥电阻R1’，惠斯通次级桥电阻R2’，惠斯通次级桥电阻R3’，惠斯通次级桥电阻R4’，惠斯通主桥输入电源，惠斯...

一种MEMS 5G通讯射频天线，包括盖帽晶圆，键合界面，衬底晶圆，微型天线，微型天线锚点，金属焊盘，中间晶圆，电学连接点，金属侧壁，硅通孔连接，薄膜滤波器，真空腔；衬底晶圆为微型天线提供基座和外接集成电路；微型天线锚点是微型天线与衬底晶...

一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测...

一种同轴频率调制MEMS陀螺仪，包括硅弹簧、锚点、内部质量块、外部质量块、感应梳齿状结构、共振微调；共振微调设置在内部质量块的四个侧面以及外部质量块的四个侧面上；四个感应梳齿状结构设置在内部质量块的周围，分别通过硅弹簧与内部质量块连接；...

一种MEMS芯片级正交信号消除装置，框架电极设置在框架质量块上面，质量块上面通过弹簧设置在框架质量块上，质量块下面通过阻尼器与框架质量块连接，质量块下面对应感应电极，框架质量块通过弹簧和阻尼器与外部框架连接；框架电极和框架电容转换器连接...

一种MEMS单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器，硅晶圆为整个器件的衬底，作为支撑结构；绝缘层由氮化硅或者氮氧硅化物构成，板状结构，起到绝缘作用，绝缘隔离金属薄膜与硅晶圆；敏感材料层设置在金属薄膜上；腔室由晶圆背面或正面对其内部进行刻蚀...

一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；硅电阻层组成电桥，金属圆片为硅电阻层提供衬底结构，硅晶圆与金属圆片键合形成键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。一种由硅到金属晶圆键合的高...

一种MEMS芯片唯一标识符装置，包括MEMS芯片，MEMS芯片敏感元件区域，MEMS芯片唯一标识符电阻，MEMS芯片唯一标识符电阻焊盘；MEMS芯片敏感元件区域是MEMS芯片的主要敏感元件区域，有多种结构；MEMS芯片唯一标识符电阻的焊...

可集成式硅振荡器结构，有三种谐振器的结构，MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起，在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器，单独的MEMS硅谐振器，集成电路芯片也是单独的；MEMS谐振器通过键合工艺与CMOS集成电路集成在一起...