本发明涉及具有气隙间隔件的FINFET及其形成方法，鳍式场效应晶体管(FinFET)包括位于相邻的金属接触件之间及/或位于金属接触件与晶体管栅极之间的气隙。该气隙在非共形沉积一隔离介电质结合一先金属工艺以形成该导电结构的期间形成。

本发明涉及降低FinFET装置的通道区中掺质浓度的方法、装置及系统，其揭露半导体装置，包括含有基材材料的半导体基材；以及设置于该基材上的多个鳍片，各鳍片包括含有该基材材料的下部区、设置于该下部区上面并含有至少一种掺质的掺质区、以及设置于...

本发明涉及具有界面衬里的IC结构及其形成方法，其实施例可提供一种形成集成电路(integrated circuit；IC)结构的方法，该方法包括：提供结构，该结构具有：导电区，以及位于该导电区上的层级间介电(inter‑level di...

本发明涉及用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法。具体实施例包括提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第...

本发明涉及具有应变沟道的鳍式场效应晶体管，揭示一鳍式场效应晶体管(FinFET)的设备结构以及一FinFET的设备结构的制造方法。形成由具有第一晶体结构的半导体材料所组成的鳍片。形成具有与该鳍片对齐的开口的介电层。一虚拟栅极结构从该介电...

本发明涉及用于形成细间距特征的光刻图案，揭示用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。一硬掩膜层形成于一介电层上。一牺牲层形成于该硬掩膜层上。第一开口与第二开口形成于该牺牲层中，并延伸通过该牺牲层至该硬掩膜层。一抗蚀层形成于该牺牲层上。...

本发明涉及切换式电容器电路结构及控制其源极‑漏极电阻的方法，其具体实施例提供一种电路结构包括：包括栅极接端、背栅极接端、源极接端、及漏极接端的切换晶体管；耦合至该切换晶体管的该背栅极接端的偏压节点，该偏压节点可于导通(on)状态与断开(...

本发明内容涉及在3D集成电路中共享的硅穿孔，大体有关于半导体结构，且更特别的是，有关于在3D‑IC集成结构中共享的智能硅穿孔及其制法。该结构包括：多个堆栈晶粒，其各自包含至少一个宏装置；以及层结构，其位在该多个堆栈晶粒之间且包含一控件，...

本发明涉及具有栅极接触的集成电路结构及其形成方法，其一个态样涉及集成电路结构。该集成电路结构可包括：位于衬底上方具有栅极导体于其中的栅极堆叠，该栅极堆叠位于介电层内；至源/漏区的源/漏接触，位于该衬底上方并与该介电层内的该栅极堆叠相邻；...

本发明涉及利用工程掺质分布具有超陡逆行井的方法、设备及系统，大体上，在一项具体实施例中，本发明针对一种用于形成晶体管的方法。本方法包括：布植衬底以形成n与p掺杂区其中至少一者；于该衬底上方沉积外延半导体层；穿过该外延层并且部分穿过n与p...

本发明涉及具有可变鳍片间距的垂直传输FINFET装置，其中，一种半导体装置包括以局部可变的鳍片间距布置的多个垂直传输鳍式场效应晶体管。在该装置的第一区域内，多个第一鳍片以第一间距(d1)布置，且在该装置的第二区域内，多个第二鳍片以小于该...

本发明涉及减少晶粒之间的热交互作用的热加强式封装，提供用于减少数个IC芯片间的热流动的方法及所得装置。数个具体实施例包括：黏贴多个IC芯片至衬底的上表面；形成盖体于该IC芯片上面；以及在毗邻IC芯片之间的分界处，形成穿过该盖体的狭缝。

本发明涉及内牺牲间隔件的互连，其揭示互连结构以及形成该互连结构的方法。一间隔件形成于一介电层中的一开口内。于形成该间隔件之后，一导电柱塞形成于该介电层中的该开口内。于形成该导电柱塞后，移除该间隔件以定义位于该介电层中的该开口内的一空气间...

本发明涉及形成SADP于SRAM上及SAQP于逻辑上的装置及方法，提供一种制造具有降低单元高度的集成电路装置的装置以及方法。一种方法包括，例如：获得具有包括一逻辑区域以及一SRAM区域的一基板，一鳍片材料层，以及一硬掩膜层的一中间半导体...

本发明涉及用于放置在具有高K介电栅极的半导体主动区内的栅极接触的方法及设备，其中，一种方法提供在Rx区中具有FinFET的结构，该FinFET包括沟道、源极/漏极(S/D)区及栅极，该栅极包括栅极金属。在具有高k介电性衬垫与核心的栅极上...

本发明涉及用于在半导体的主动区内放置栅极接触的方法及设备，其中，一种方法提供在Rx区中具有FinFET的结构，该FinFET包括沟道、源极/漏极(S/D)区与栅极，该栅极包括栅极金属。栅极上方形成覆盖体，该栅极具有衬垫与核心。该栅极的诸...

本发明涉及用于工艺感知维度目标的先进工艺控制，揭示数种用于特定工艺的先进工艺控制(APC)的方法。在晶圆上进行特定工艺(例如，光刻或蚀刻工艺)以建立由特征组成的图案。测量目标特征的参数并且将该参数的数值使用于APC。不过，APC的进行是...

本发明涉及用于垂直传输场效应晶体管的互连，提供垂直传输场效应晶体管的结构及制造方法，该结构包括垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片；以及在该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电...

本申请涉及在包括FINFET装置的IC产品的隔离区上形成保护层的方法，其中所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底中形成多个沟槽，以定义多个鳍片；形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个...

本发明涉及具有应力分量的异质接面双极晶体管，其关于半导体结构，并且尤指具有应力分量的异质接面双极晶体管及其制造方法。该异质接面双极晶体管包括集电极区、发射极区与基极区。于衬底的沟槽内形成至少围绕该集电极区与该基极区的应力材料。