本实用新型实施例涉及电池技术领域，公开了化成充电机的监控系统。本实用新型中，包括：监控终端、内置有N路DC/DC通道的充电机和N个电池组；N个电池组与N路DC/DC通道一一对应；其中N为大于1的自然数；监控终端与充电机连接；充电机与N个...

本发明公开了一种货物自动分拣方法及系统，属于自动分拣系统及方法领域；其包括S1：建立链表、创建指针；S2：启动分拣；S3：将扫描获得的货物信息写入链表末端新增的节点；S4：货物通过光电传感器Cj对应的分拣口j时，判断该分拣口与货物信息是...

本实用新型公开了一种固态源微波炉，其包括炉体，炉体内开设有炉腔，炉体上设置有炉门，炉腔的内壁上设置有固态微波源，固态微波源通过同轴线传输线与低通滤波器连接，低通滤波器与设置在炉腔内壁上的微波馈入口通过同轴线传输线连接，且微波馈入口的开口...

本发明属于通信抗干扰技术领域，涉及一种导频图案调制系统中的位置图案设计方法。本发明基于提高系统误码性能的目的，提出一种用于SIM‑OFDM系统的导频图案映射优化激活子载波位置分组方法。该方法提出在未知信道信息时，通过衡量所有可能发送符号...

本发明公开了一种基于流拆分的服务功能链部署方法。在本发明中，部署大象流服务功能链请求时，将该服务功能链拆分成多个子链进行部署，这样在提高大象流接受率的同时可以缓解由于大象流占用带宽资源过多导致网络堵塞导致排在大象流后的老鼠流排队时延过大...

本发明公开了一种基于信号能熵比的数字信号存在性检测方法，属于无线通信系统的信号检测领域，涉及一种计算复杂度低，不需任何先验知识的数字信号存在性检测方法，该方法可以作为非合作通信的帧同步方法，用于解决未知发送方帧结构情况下的接收端信号粗同...

本发明属于认知无线电技术领域，具体的说是涉及一种基于时域嵌套采样的宽带频谱感知方法。本发明的目的是提出一种基于时域嵌套采样的宽带频谱感知方法，目的在于克服现有频谱感知方法计算复杂度高的缺点，主要为通过嵌套采样，得到采样序列，然后计算样本...

本发明属于无线通信技术领域，具体的说是宽带频谱信号检测方法。为解决通信系统中宽频谱信号检测选择过程中系统开销和时间消耗大，以及在硬件实现中需要较高的硬件复杂度的问题，本发明提出了基于压缩感知技术的宽频谱信号检测方法。通过利用相关的压缩感...

本发明公开了一种在FC网络上实现冗余传输的方法，涉及FC网络和冗余传输领域；包括：发送端HBA卡FC接口层发送模块根据配置信息进行冗余模式选择，并且根据底层链路信息进行发送端口的选择；使能相应端口根据冗余模式选择的结果和发送端口选择的结...

本发明属于通讯技术领域，涉及一种低截获异步跳频序列的生成方法。本发明的目的在于为时钟可能异步的无线网络节点设计一种具备抗截获分析能力的盲汇聚跳频序列生成方法。在恶意干扰的无线环境中和不同网络节点跳频起始时刻可能不同的限制条件下，基于该方...

本发明实施例涉及电能存储技术领域，公开了一种充电系统及充电方法。充电系统包括：微控制器、第一选通开关和至少一个的充电单元，充电单元中包括至少一个充电电池；其中，第一选通开关包括至少两个输出端；微控制器的第一控制端与第一选通开关的输入端连...

本发明公开了一种基于新型超低频振荡附加稳定器抑制超低频振荡的方法，首先针对传统PSS结构进行改进，在传统PSS结构上附加低通分支，构建新型超低频振荡附加稳定器，然后基于多种场景集，提出了该新型超低频振荡附加稳定器的参数鲁棒整定方法，从而...

本发明公开了一种高效全光纤长波中红外激光器，包括885nm LD泵浦源，2微米掺铥光纤激光器，885nm LD泵浦源与2微米掺铥光纤激光器的泵浦光经光束耦合器输出端连接双包层掺钬氟化铟光纤，双包层掺钬氟化铟光纤的泵浦光输入的一端设置有对...

本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器。本发明在SIW本体上开一条中间槽线用来安装贴片电阻，将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻用五个并联电阻替换，每个电阻阻值为之前电阻阻值的五倍，同时两个接地...

本发明公开了一种三频段同轴内嵌圆波导蛇弯模式转换器，属于微波技术领域。该模式转换器为内导体为圆波导形式的蛇弯同轴波导结构，内外波导弯曲轴线相同，且外导体内侧沿轴线的横截面也相同。本发明基于耦合波理论，采取多频点迭代方法确定内外波导轴向弯...

本实用新型公开了一种对细胞成像的近场微波显微装置，属于近场微波特性显微领域。该装置包括：带针尖修饰的柔性金属探针、四分之一波长同轴谐振腔、滤波装置、数据采集单元组、三维位移台、成像分析单元、活体维持装置；对成像样品细胞无添加剂、无损害、...

本发明公开了一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法，涉及传感器制备技术领域。本发明采用的薄膜制备工艺，集旋涂‑喷涂工艺于一体，将传统的旋涂工艺和喷涂工艺相结合后同时具有旋涂工艺成膜均匀和喷涂工艺调控形貌等优点，在形貌调控的同...

本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属...

本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属...

本发明属于数字音频处理技术领域，涉及人声检测问题，具体为一种歌曲中人声起始位置估计方法；该方法在特征提取之前，采取了针对管弦乐器和打击乐器的乐器声抑制方法，在特征提取中，采用高重叠的长窗口对音频进行分帧，并设计了适合于乐器声抑制处理后的...