一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器制造技术

本发明专利技术涉及微波电路技术，具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器。本发明专利技术在SIW本体上开一条中间槽线用来安装贴片电阻，将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻用五个并联电阻替换，每个电阻阻值为之前电阻阻值的五倍，同时两个接地电阻阻值保持不变，构成改进的表贴电阻π型衰减器以实现衰减功能。基于此设计思路得到的SIW衰减器对应于1dB、2dB、3dB、4dB和5dB衰减量时，其工作带宽为7.2‑13.7GHz(62.2％)，其工作带宽获得了极大地拓展。

A Wide-band Surface-mounted Resistance Full-mode Substrate Integrated Waveguide Attenuator

The invention relates to microwave circuit technology, in particular to a full-mode substrate integrated waveguide attenuator with wide-band surface-mounted resistance type. The invention opens an intermediate groove line on the SIW body to install the patch resistance, replaces the series resistance in the classical patch resistance type-pi attenuator with five parallel resistors, each resistance value is five times the previous resistance value, while the two grounding resistance values remain unchanged, and forms an improved patch resistance type-pi attenuator to realize the attenuation function. When the SIW attenuator based on this design idea corresponds to 1dB, 2dB, 3dB, 4dB and 5dB attenuation, its working bandwidth is 7.2 13.7GHz (62.2%). Its working bandwidth has been greatly expanded.

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器
本专利技术涉及微波衰减器，具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide,SIW)衰减器，用来拓宽全模基片集成波导衰减器的工作带宽。
技术介绍
衰减器可对微波信号的功率进行调整，常用来将大功率信号衰减到预定的功率值范围，提高电路稳定性，改善匹配网络的端口特性等。常用的衰减器实现在各种传输线中(如微带线、共面波导、接地共面波导等)，通常的电路结构拓扑形式为π型或T型。基片集成波导具有损耗低、性能好、易于集成等优点，作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路。基片集成波导本身还具备传统金属波导和微带线的优点，能够在平面电路中很方便的实现高性能微波毫米波电路结构。根据现有的文献报道，在全模基片集成波导衰减器中，对信号功率的衰减可以使用π型衰减网络，其由三个电阻元件构成，但这种拓扑结构得到的衰减器，其带宽还有进一步拓宽的空间。全模基片集成波导(SIW)衰减器的参考文献如下：研究者Dong-SikEom等通过在SIW本体结构中，引入三个表贴电阻型π型衰减器，以实现对功率的衰减，获本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器，基于常规的全模基片集成波导电路结构，包括SIW本体、渐变线和微带线，其特征在于：SIW本体宽边长度为Ws，长边长度为Ls，渐变线的宽边长度为Wt，窄边长度为Wm，长度为Lt，窄边连接宽度为Wm、长度为Lm的微带线，SIW本体的四个角各自引入一个匹配用的金属化通孔，直径均为Match_d，共计4个；在SIW本体上设有一条中间槽线用来安装贴片电阻，中间槽线设置于SIW本体的长边中垂线上，长度为Gap_L、宽度为Gap_W，其几何中心与SIW本体的几何中心重合；所述贴片电阻采用改进的表贴电阻π型衰减器实现衰减功能，该改进的表贴电阻π型衰减器是将经典的...

【技术特征摘要】
1.一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器，基于常规的全模基片集成波导电路结构，包括SIW本体、渐变线和微带线，其特征在于：SIW本体宽边长度为Ws，长边长度为Ls，渐变线的宽边长度为Wt，窄边长度为Wm，长度为Lt，窄边连接宽度为Wm、长度为Lm的微带线，SIW本体的四个角各自引入一个匹配用的金属化通孔，直径均为Match_d，共计4个；在SIW本体上设有一条中间槽线用来安装贴片电阻，中间槽线设置于SIW本体的长边中垂线上，长度为Gap_L、宽度为Gap_W，其几何中心与SIW本体的几何中心重合；所述贴片电阻采用改进的表贴电阻π型衰减器实现衰减功能，该改进的表贴电阻π型衰减器是将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻由一个改为五个电阻并联的结构形式；五个贴片电阻垂直于中间槽线按中心距为res_L等距离设置于中间槽线上，且最中间的贴片电阻的中心点与SIW本体的中心点重合；沿信号传输的方向，在SIW的金属层上开设有两个关于中间槽线对称的过渡结构，过渡结构距中间槽线对应侧边缘的长度为b；过渡结构的形状由一个矩形和等腰三角形构成，等腰三角形的底边与矩形的宽边重合作为公共边；过渡结构靠近中间槽线的一端是长度为Kon_L、宽度为Kon_W的矩形端；远离中间槽线的一端是三角形端，其底边长度为Kon_W，底边高的长度为a；每个过渡结构的矩形端内部均设有一个矩形金属块，金属块中设有接地通孔，用来安装改进的表贴...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭浩，赵发举，刘宇，周翼鸿，杨涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51