基于石墨烯纳米片的可调宽带共面波导衰减器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于石墨烯纳米片的宽带可调共面波导衰减器，主要解决现有传统衰减器尺寸大，不易集成，工作频带窄，制作成本高，可调结构偏置电路复杂的问题。其包括输入端口(1)，输出端口(2)，单层介质基板(5)，中心导体带(4)和金属地板(3)，中心导体带位于基板上表面的中间位置，金属地板位于基板上表面的两侧位置，中心导体带和金属地板之间设有N对石墨烯纳米片(6)，石墨烯纳米片可等效成电阻对能量进行损耗，通过调节该等效电阻值实现对能量衰减大小的调节；本发明专利技术具有结构简洁、带宽宽、频率可调，匹配好的优点，可用于相控阵天线各单元的幅度加权，进行射频电路的阻抗匹配以及改善射频放大器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
基于石墨烯纳米片的可调宽带共面波导衰减器
本专利技术属于射频电子器件领域，特别涉及一种可调宽带共面波导衰减器，可用于相控阵天线的幅度加权、改善匹配网络以及功率放大器的稳定性。
技术介绍
石墨烯是具有特殊的二维结构的碳原子薄膜材料，具有单原子层厚度。并且石墨烯具有独特的电、热、力性质，且其表面电阻率可以通过施加偏置电压进行调节。近年来石墨烯的制备方法研究取得了很大进展，这使得它应用于微波毫米波器件的设计成为现实，而将其应用于微波器件的设计也将带来更多的便利与优势。衰减器是一种重要的射频微波器件，它可将信号电平降低到期望水平，广泛用于相控阵天线各单元的幅度加权，进行射频电路的阻抗匹配以及改善射频放大器的稳定性。如果需要在一个很宽的频带内对信号的衰减度进行动态调节，则需要引入宽带可调衰减器。传统的衰减器按照组成类型来分，主要有同轴、波导、PIN二极管等多种形式，这些衰减器多为立体结构，尺寸较大，不方便进行集成，且随着工作带宽以及频率的增加其制造成本也会越来越昂贵，所以目前对衰减器的需求向着平面结构，易于集成，衰减度可调，成本低廉，宽频带的方向转变。2014年1月RuoFengXu等人在“I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于石墨烯纳米片的宽带可调共面波导衰减器，包括输入端口(1)，输出端口(2)，金属地板(3)，中心导体带(4)和介质基板(5)，其特征在于：金属地板(3)、中心导体带(4)和介质基板(5)三者共同构成特征阻抗为50Ω的共面波导传输线；金属地板(3)与中心导体带(4)之间设有N对石墨烯纳米片(6)，1

【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯纳米片的宽带可调共面波导衰减器，包括输入端口(1)，输出端口(2)，金属地板(3)，中心导体带(4)和介质基板(5)，其特征在于：金属地板(3)、中心导体带(4)和介质基板(5)三者共同构成特征阻抗为50Ω的共面波导传输线；金属地板(3)与中心导体带(4)之间设有N对石墨烯纳米片(6)，1<N<8，用于把从输入端口(1)输入的能量转化为热能损耗掉，改善输入端口(1)的匹配性能。2.根据权利要求1所述的衰减器，其特征在于，金属地板(3)位于介质基板(5)上面的两侧位置，中心导体带(4)位于介质基板(5)上面的中间位置，金属地板(3)和中心导体带(4)之间的距离为g，0.1mm<g&am...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴边，张亚辉，樊炽，张伟，贺连星，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61