基于双面平行线的小型化均衡器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于双面平行线的小型化均衡器，双面平行线上层金属带线层设置于介质基板层的上表面，双面平行线上层金属带线层包括双边平行传输线上层金属带线和至少一级的枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，各级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线与双边平行传输线上层金属带线之间通过薄膜电阻相连；双面平行线下层金属带线层双面平行传输线上层金属带线的形状与双面平行线上层金属带线层在介质基板上的投影重合。本发明专利技术提升了均衡器的功率容量，减小了尺寸，对微波电路小型化设计具有极其重要的意义；还实现了较高的均衡精度。因此，本发明专利技术具有功率容量大、均衡精度高且尺寸小的效果，适用于高均衡量、高功率、高均衡精度的微波均衡电路。

Miniaturized Equalizer Based on Double Parallel Lines

The invention discloses a miniaturized equalizer based on two-sided parallel lines, in which the upper metal strip layer of the double-sided parallel lines is arranged on the upper surface of the dielectric substrate layer, and the upper metal strip layer of the double-sided parallel lines includes the upper metal strip line of the double-sided parallel transmission lines and the upper metal strip line of the branch step impedance resonator at least one stage, and the upper metal strip line and the double metal strip line of the branch step impedance resonator at all levels. The upper metal strip line on the side parallel transmission line is connected by thin film resistance; the shape of the upper metal strip line on the lower metal strip line and the upper metal strip line on the double parallel transmission line coincides with the projection of the upper metal strip line layer on the dielectric substrate. The invention improves the power capacity of the equalizer, reduces the size, has extremely important significance for the miniaturization design of the microwave circuit, and achieves high equalization accuracy. Therefore, the invention has the effect of large power capacity, high equalization accuracy and small size, and is suitable for microwave equalization circuit with high equalization quantity, high power and high equalization accuracy.

【技术实现步骤摘要】
基于双面平行线的小型化均衡器
本专利技术涉及功率器件
，具体涉及小型化均衡器。
技术介绍
均衡器在现代通讯、雷达及电子战系统中的功率发射机、微波功率模块中被广泛应用，其基本功能是：解决通信、雷达中的放大器或其他功率源如行波管等的增益不平坦问题。常用的均衡器种类主要有：波导均衡器，同轴均衡器及平面传输线均衡器等。其中，平面传输线均衡器由传输线主线和连接在传输线主线的若干个谐振吸收单元组成。当传输线主线上传输的能量经过某个谐振吸收单元时，该谐振吸收单元将该谐振吸收单元的谐振频率及其附近的一部分能量耦合入谐振吸收单元内，依靠该谐振吸收单元的吸收机构将能量吸收，谐振吸收单元的吸收机构可由吸波材料或者电阻组成。目前应用最广泛的平面均衡器结构是微带加电阻式均衡器，微带均衡器的结构及制作工艺简单，体积较小，有比较成熟的电路拓扑结构和设计步骤，然而，微带线作为现在主流使用的传输线，一方面要提高阻抗仍然需要减小宽度，造成工艺公差的影响增大，降低其均衡精度；减小宽度必然会降低其功率容量，无法满足大功率均衡的需要。另一方面，当均衡量较大时，微带均衡器需要较小的电阻值，对电阻精度要求极高，电阻误差极易降低均衡精度。因此，均衡量大、均衡精度高且尺寸很小的均衡器仍然是研究的热点。为解决现有技术中的上述缺陷，本专利技术提出了一种新的解决方案。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有平面均衡器结构阻抗、微带线宽度、均衡精度、功率容量、电阻精度不能兼顾的问题，提供一种均衡量大、均衡精度高且尺寸很小的均衡器。为达到上述目的，本专利技术的提供了一种基于双面平行线的小型化均衡器，包括双面平行线上层金属带线层和介质基板层，双面平行线上层金属带线层设置于介质基板层的上表面，双面平行线上层金属带线层包括双边平行传输线上层金属带线和至少一级的枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，各级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线与双边平行传输线上层金属带线之间通过薄膜电阻相连；还包括双面平行线下层金属带线层，所述双面平行线下层金属带线层的形状与双面平行线上层金属带线层在介质基板上的投影重合；所述双面平行线下层金属带线层包括双边平行传输线下层金属带线和数量与枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线数量对应的各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线；各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线分别与双面平行线下层金属带线层连接。进一步的，所述双面平行线上层金属带线层包括第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线分别通过第一薄膜电阻和第二薄膜电阻与所述双边平行传输线上层金属带线连接；所述双面平行线下层金属带线层包括第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线、第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线，所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线和第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线分别与所述双面平行线下层金属带线层连接；所述双面平行传输线上层金属带线的形状与双面平行传输线下层金属带线在介质基板上的投影重合；第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线的形状和第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线在介质基板上的投影重合；第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线的形状和第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线在介质基板上的投影重合。。再进一步的，所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线均为“L”形，两者以双边平行传输线上层金属带线的几何中心对称设置；所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线、第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线均为“L”形，两者以双边平行传输线下层金属带线的几何中心对称设置。本专利技术的效果是：本专利技术实施例提供的均衡器中，一方面，采用双面平行线实现具有较大传输线线宽以及较大的阶跃阻抗比的阶跃阻抗谐振器结构，从而提升了均衡器的功率容量，减小了尺寸。这对微波电路小型化设计具有极其重要的意义。另一方面，该均衡器的陷波器结构在同等均衡量条件下比微带线陷波器具有较大的电阻阻值，在同等工艺条件下可以明显减小电阻公差对均衡精度的影响，从而实现较高的均衡精度。因此，本专利技术具有功率容量大、均衡精度高且尺寸小的效果，适用于高均衡量、高功率、高均衡精度的微波均衡电路。附图说明图1本专利技术的结构爆炸图；图2本专利技术实施例的上视图；图3本专利技术实施例的下视图；图4本专利技术实施例的前视图；图5本专利技术实施例的S21及S11仿真曲线。其中，双面平行传输线上层金属带线(1)、第一薄膜电阻(2)、第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线(3)、第二薄膜电阻(4)、第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线(5)、双面平行传输线下层金属带线(6)、第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线(7)、第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线(8)、双面平行线上层金属带线层(9)、介质基板层(10)、双面平行线下层金属带线层(11)、均衡器陷波衰减量(S21)、输入驻波系数(S11)。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的阐述。如图1至4所示，本专利技术与现有小型化均衡器最在的区别是，将现有小型化均衡器最下次的整块金属层改变为了形状与上层微带层在介质基板上的投影重合的结构。本专利技术是基于小型化均衡器，包括双面平行线上层金属带线层9和介质基板层10，双面平行线上层金属带线层9设置于介质基板层10的上表面，双面平行线上层金属带线层9包括双边平行传输线上层金属带线1和至少一级的枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，各级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线与双边平行传输线上层金属带线1之间通过薄膜电阻相连；还包括双面平行线下层金属带线层11，所述双面平行线下层金属带线层11的形状与双面平行线上层金属带线层9在介质基板上的投影重合；所述双面平行线下层金属带线层11包括双边平行传输线下层金属带线6和数量与枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线数量对应的各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线；各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线分别与双面平行线下层金属带线层11连接。在本专利技术的一个实施例中。所述双面平行线上层金属带线层9包括第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线3和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线5，第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线3和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线5分别通过第一薄膜电阻2和第二薄膜电阻4与所述双边平行传输线上层金属带线1连接；所述双面平行线下层金属带线层11包括第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线7、第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线8，所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线7和第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线8分别与所述双面平行线下层金属带线层11连接。进一步的，双面平行传输线上层金属带线1为条状。进一步的，所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线3和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线5均为“L”形，两者以双边平行传输线上层金属带线1的几何中心对称设置；所述第一级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线7、第二级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线8均为“L”形，两者以双边平行传输线下层金属带线6的几何中心对称设置。所述双面平行线下层金属带线层11的形状与双面平行线上层金属带线层9在介质基板上的投影重合。也就是：所述双面平行传输线上层金属带线1的形状与双面平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于双面平行线的小型化均衡器，包括双面平行线上层金属带线层(9)和介质基板层(10)，双面平行线上层金属带线层(9)设置于介质基板层(10)的上表面，双面平行线上层金属带线层(9)包括双边平行传输线上层金属带线(1)和至少一级的枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，各级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线与双边平行传输线上层金属带线(1)之间通过薄膜电阻相连；其特征在于，还包括双面平行线下层金属带线层(11)，所述双面平行线下层金属带线层(11)的形状与双面平行线上层金属带线层(9)在介质基板上的投影重合；所述双面平行线下层金属带线层(11)包括双边平行传输线下层金属带线(6)和数量与枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线数量对应的各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线；各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线分别与双面平行线下层金属带线层(11)连接。

【技术特征摘要】
2018.05.11 CN 20181044669541.基于双面平行线的小型化均衡器，包括双面平行线上层金属带线层(9)和介质基板层(10)，双面平行线上层金属带线层(9)设置于介质基板层(10)的上表面，双面平行线上层金属带线层(9)包括双边平行传输线上层金属带线(1)和至少一级的枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线，各级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线与双边平行传输线上层金属带线(1)之间通过薄膜电阻相连；其特征在于，还包括双面平行线下层金属带线层(11)，所述双面平行线下层金属带线层(11)的形状与双面平行线上层金属带线层(9)在介质基板上的投影重合；所述双面平行线下层金属带线层(11)包括双边平行传输线下层金属带线(6)和数量与枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线数量对应的各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线；各级枝节阶跃阻抗谐振器下层金属带线分别与双面平行线下层金属带线层(11)连接。2.如权利要求要求1所述的基于双面平行线的小型化均衡器，其特征在于，所述双面平行线上层金属带线层(9)包括第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线(3)和第二级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线(5)，第一级枝节阶跃阻抗谐振器上层金属带线(3)和第二级枝节阶跃阻抗谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏雷，郭文瑛，王子健，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51