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德州仪器公司专利技术
德州仪器公司共有1329项专利
DC-DC转换器和控制电路制造技术
在所描述实例中,DC‑DC转换器(100)和控制电路(101)提供高侧驱动器信号HSD和低侧驱动器信号LSD,且根据比较器信号CMP选择性地调整低侧切换装置(S2)断开与高侧切换装置(SI)接通之间的延迟时间。时控比较器电路(130)参...
快速导通电力开关制造技术
在所描述的实例中,响应于外部电力端子(VBUS)处的电压下降到安全限制以下:电荷泵(40)以第一频率操作以在电荷泵节点(VCP)处产生电压;且第一受控电流从所述电荷泵节点(VCP)耦合到电力开关晶体管(301、302)的控制端子。所述电...
用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受制造方法及图纸
所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100),所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102),所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)...
具有高热导率和高表面积的高频天线结构制造技术
在所描述实例中,一种散热天线(320)包含结合到高频天线或天线阵列(112)的低衰减热量散布器(202)。集成电路(100)包含无线集成电路芯片(108)。所述散热天线(320)耦合到所述无线集成电路芯片(108)。
具有低磁通门噪声的磁通门装置制造方法及图纸
在所描述实例中,一种集成磁通门装置(200)包含磁芯(101)、激励线圈(110)和感测线圈(250)。所述磁芯具有纵向边缘(102)和终端边缘(104)。所述激励线圈(110)盘绕所述磁芯(101)的所述纵向边缘(102),且所述激励...
具有背侧集成式电感组件的半导体裸片制造技术
在所描述的实例中,一种集成电路IC(300)包含电路衬底(301),所述电路衬底(301)具有前侧表面(320)和相对背侧表面。有源电路位于所述前侧表面(320)上。电感结构(310)位于深沟槽内,所述深沟槽在电路衬底(301)中形成于...
具有可渗透电极的感测电容器制造技术
所描述的实例包含一种集成电路(320),其具有在衬底的表面上制造的阻抗传感器(300)。所述阻抗传感器(300)包含在所述衬底上形成的底部导电板(301)。在所述底部导电板(301)上形成感测薄膜(304)。在所述感测薄膜(304)上形...
用于多重曝光宽动态范围图像数据的图像数据处理制造技术
在集成电路(100)、合并电路(130)及处理多次曝光图像数据的方法的所描述实例中,单个预处理电路(120)用于预处理与图像的第一曝光相关联的第一输入曝光数据,且随后用于预处理与所述图像的第二曝光相关联的第二输入曝光数据。将第一及第二预...
FMCW雷达中的动态IQ失配校正制造技术
在所描述实例中,一种FMCW雷达接收器(100)包含提供啁啾LO信号(103)的LO(102)、用于输出I数据的同相I信道和用于输出Q数据的正交Q信道。一种动态校正参数生成器(140)基于所述啁啾LO信号(103)的频率斜率生成IQ相位...
全垫覆盖边界扫描制造技术
在所描述的实例中,一种集成电路(200)包含功能电路(214)及测试电路(212)。一组垫(P0‑P4)在第一状态中可操作用于将测试信号传达到所述测试电路(212),并且在第二状态中可操作用于将输入/输出信号传达到所述功能电路(214)...
使用具有经由屏蔽线缆耦合到谐振器电容器的传感器感应器的传感器谐振器进行远程感测制造技术
在所描述的实例中,一种感应感测系统(100)包含传感器谐振器(112),其具有经由屏蔽传输线(115)耦合到谐振器电容器(112C)的遥感感应器(112L)。所述屏蔽传输线(115)包含信号线(114A)和屏蔽返回线(114B)。感测感...
借助行波激励的超声透镜清洁制造技术
所描述实例包含超声透镜清洁系统(150)和驱动器电路(100)以使用机械地耦合到透镜(202)的四个或更多个换能器片段(102)来清洁透镜,其中所述驱动器电路(100)将相移振荡信号(AS,AC)提供到所述换能器片段(102)以产生围绕...
使用先前连接参数的加速网络重新连接制造技术
本申请案涉及一种使用先前连接参数的加速网络重新连接。Wi‑Fi装置(300)包含耦合到实施MAC及PHY层的可写存储器(322)并耦合到收发器(324)的控制器(320)。存储在所述可写存储器中的连接数据包含Wi‑Fi连接参数,其包含≥...
用于MM波近场通信的无接触界面制造技术
在系统(100)的所描述实例中,第一波导(110)具有耦合到所述第一波导(110)的端部的第一谐振器(112)。第二波导(111)具有耦合到所述第二波导(111)的第二谐振器(113)。所述第一谐振器(112)与所述第二谐振器(113)...
双极半导体可控整流器制造技术
在所描述的实例中,高电压双极半导体可控整流器SCR(100)包含:发射极区(102),其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区(104);集电极区(106、108),其具有所述第一极性且处于所述基极区(104)之下...
浮动裸片封装制造技术
所描述实例包含一种浮动裸片封装(200B‑1),其包含通过在模制(216)组合件之后牺牲裸片密封剂的升华和裸片附接材料的升华或分离形成的空腔(252)。将模制结构中的针孔通风口(218)提供为升华路径以允许气体逸出,其中所述裸片(206...
用于改进晶体管性能的方法技术
一种改进晶体管性能的方法使用具有场效应晶体管FET的第一区(102)和晶片(100)表面处的电路的单晶半导体的所述晶片(100),以及红外IR激光器,所述红外IR激光器具有透镜用于将IR光聚焦到第二深度(112),所述第二深度与所述第一...
雷达硬件加速器制造技术
在所描述实例中,一种雷达硬件加速器HWA(125)包含快速傅里叶变换FFT引擎,所述FFT引擎包含预处理块(211),所述预处理块(211)用于提供干扰缓解、有限脉冲响应FIR滤波和/或用预编程复数标量或来自内部查找表LUT的指定样本乘...
多级电荷泵及集成电路IC芯片制造技术
本实用新型涉及多级电荷泵。在所描述的实例中,多级电荷泵(50)包含串联连接的第一、第二及第三电荷泵级(52、58及64)。所述第一、第二及第三电荷泵级(52、58及64)中的每一者包含第一类型的电荷泵电路(54、60及66),其将相应电...
用于使飞跨电容器在多电平转换器中达到平衡的设备制造技术
本实用新型涉及一种用于使飞跨电容器在多电平转换器中达到平衡的设备。揭示用于使飞跨电容器(120)在多电平转换器(110)中达到平衡的方法及设备。实例飞跨电容器平衡电路(124)可包含电压差感测及控制电路(140)及工作循环时序调整电路(...
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