本发明涉及拍频高Q谐振器振荡器。用于使用自身注入锁定振荡器(600)产生低功率、低相位噪声振荡信号的方法和系统。优选实施例包含(例如)：使用振荡器(602)产生具有基频分量、M次谐波分量和P次谐波分量的信号(604)，其中M和P是选定的...

本发明涉及使用电容感测霜和冰积聚。所述电容感测系统包括：第一电容器，其由金属热交换器的部分和与所述金属热交换器电隔离的传感器电极形成；振荡回路振荡器，其包括第二电容器和彼此并联连接且与所述第一电容器并联耦合的电感器；以及电路，其耦合到所...

本申请案涉及一种具有非侵入式自测试的处理器。一种处理器(100)包含中央处理单元CPU(102)和诊断监测电路(112)。所述诊断监测电路(112)耦合到所述CPU(102)。所述诊断监测电路(112)包含监测和循环冗余检查CRC计算单...

本发明涉及一种用于在总线上执行事务的方法及系统。通过首先由起始器模块产生命令序列且在队列模块中对所述命令序列进行排队而在总线上执行事务。经由所述总线将所述命令序列中的第一者从所述队列模块发送到目标模块。暂停所述队列模块同时等待经由所述总...

本申请案涉及塞曼分裂矢量磁强计设备及方法。磁强计(100)用于测量靠近所述磁强计的外部磁场影响。所述磁强计具有：(i)容积式外壳(112)，其用于存储碱金属；(2)激光器(114)，其靠近所述容积式外壳并具有第一维度中的轴线，并且将光子...

在所描述实例中，一种集成磁通门装置(100)在控制电路(102)上具有磁芯(110)。所述磁芯(110)具有足以具有低磁性噪声和低非线性的体积和内部结构。应力控制结构(158)最接近所述磁芯(110)安置。将励磁绕组(124)、感测绕组...

本申请案涉及发射器的IQ失衡的时域估计及补偿。零IF收发器(100)包含：Rx(100b)，其具有IQ接收器路径，其中数字部分包含调制解调器及下变频器；及Tx(100a)，其具有IQ发射路径，其中数字部分包含用于生成复的且基本上平衡的时...

半导体装置(100)具有衬底(102)，所述衬底(102)具有半导体材料(104)。所述半导体装置(100)在所述半导体材料(104)中及在所述半导体材料上包含场效应晶体管(106)。所述场效应晶体管(106)具有位于所述半导体装置(1...

本发明涉及具有凸面的体声波谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器(102)包含：第一电极(112)；压电层(110)，其形成于所述第一电极(112)上，所述压电层(110)具有凸面(116)；及第二电极(120)，其形成于所述凸面(116...

本申请案涉及一种具有快捷起始指令的流式传输引擎。在数字数据处理器中采用的流式传输引擎(2800)规定从存储器再调用的固定只读数据流。流(2810、2820)由两种类型的流起始指令中的一者起始。流起始普通指令规定存储流起始地址的寄存器(1...

一种针对ESD装置(100)的触点阵列优化方案(200)。可在大小、形状、放置等方面选择性地修改穿过有源区域(126/128、134)之上的金属前电介质层(195)图案化的触点孔口(191A/191B)，以在标准ESD评分测试中增加ES...

在所描述实例中，一种集成电路(100)包含功能性电路系统(114)及测试电路系统(112)。所述测试电路系统(112)具有可在多个不同状态中操作的状态机。所述集成电路(100)还具有引脚(P2)以用于接收信号TMS。所述状态机可操作以响...

在所描述实例中，磁通栅装置(100)包含第一磁芯(112、114)及第二磁芯(152、154)。所述第一磁芯(112、114)具有从第一传感方向(120)偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向(116、118)。所述第二磁芯(152、1...

在所描述的实例中，一种灯光系统包含发光二极管LED(508)及分流晶体管(506)，所述分流晶体管具有连接到所述LED(508)的电流路径。斜坡产生器电路(522、524)产生斜坡电压。放大器(500)具有连接到所述LED(508)的第...

在所描述实例中，一种无线电通信装置(300)包含实时时钟RTC(304)，所述实时时钟经配置以甚至在睡眠期间也运行来(从异步信道跳变WPAN中的协调器节点CN)接收包含所述CN的跳变序列的异步跳变序列AHS帧。CPU(301)实施异步信...

在所描述实例中，用于DC‑DC电压转换器(200)的功率级包含电压输入、高侧n沟道晶体管(210)、高侧p沟道晶体管(215)，及低侧n沟道晶体管(220)。所述电压输入可耦合到电源电压(205)。所述高侧n沟道晶体管(210)的漏极端...

在所描述实例中，DC‑DC转换器(100)和控制电路(101)提供高侧驱动器信号HSD和低侧驱动器信号LSD，且根据比较器信号CMP选择性地调整低侧切换装置(S2)断开与高侧切换装置(SI)接通之间的延迟时间。时控比较器电路(130)参...

在所描述的实例中，响应于外部电力端子(VBUS)处的电压下降到安全限制以下：电荷泵(40)以第一频率操作以在电荷泵节点(VCP)处产生电压；且第一受控电流从所述电荷泵节点(VCP)耦合到电力开关晶体管(301、302)的控制端子。所述电...

所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)...

在所描述实例中，一种散热天线(320)包含结合到高频天线或天线阵列(112)的低衰减热量散布器(202)。集成电路(100)包含无线集成电路芯片(108)。所述散热天线(320)耦合到所述无线集成电路芯片(108)。