In the described example, the flux gate device (100) comprises a first core (112, 114) and a second core (152, 154). The first core (112, 114) has a first magnetization direction (116, 118) which deviates from the first sensing direction (120) and is greater than 0 degrees and less than 90 degrees. The second magnetic cores (152, 154) are arranged orthogonally to the first magnetic cores (112, 114). The second core (152, 154) has a second magnetization direction (156, 158) which deviates from the second sensing direction (160) and is greater than 0 degrees and less than 90 degrees.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双轴磁通栅装置
技术介绍
磁通栅装置大体上包含磁芯结构及卷绕在磁芯周围的线圈部件。磁通栅装置可以用作磁力计,以检测邻近于磁芯结构的环境中的磁通量变化。已作出尝试来介接磁通栅装置与集成电路,以适配各种工业应用。举例来说,与控制电路介接的磁通栅装置可适配为供用于电机控制系统的电流测量装置,或供用于机器人系统的位置感测装置。此外,磁通栅装置可以经调适以执行双轴感测应用,诸如电子指南针应用。然而,这些解决方案通常涉及高灵敏度与低噪声性能之间的权衡。
技术实现思路
在所描述实例中,集成电路包含半导体衬底、形成于所述半导体衬底上方的磁通栅装置,以及传感电路,其具有部分地形成于所述半导体衬底中且在所述磁通栅装置下方的晶体管。磁通栅装置包含第一磁芯、第二磁芯、第一传感线圈及第二传感线圈。第一磁芯具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向。第一传感线圈包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件,所述第一传感线圈限定垂直于所述第一线圈部件的所述第一传感方向。第二磁芯布置为正交于第一磁芯。类似于第一磁芯,第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向。第二传感线圈包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件,所述第二传感线圈限定垂直于所述第二线圈部件的所述第二传感方向。为了处理由第一及第二传感线圈接收的信号,传感电路被耦合到第一传感线圈及第二传感线圈,来接收这些信号。在描述的另一实例中,磁通栅装置包含第一磁芯及第二磁芯。第一磁芯具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向。第二磁芯布置为正交于第一磁芯。第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路,其包括:半导体衬底;磁通栅装置,其形成于所述半导体衬底上方,所述磁通栅装置具有:第一磁芯,其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向;第一传感线圈,其包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件,所述第一传感线圈限定垂直于所述第一线圈部件的所述第一传感方向;第二磁芯,其布置为正交于所述第一磁芯,所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向;以及第二传感线圈,其包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件,所述第二传感线圈限定垂直于所述第二线圈部件的所述第二传感方向;以及传感电路,其具有部分地形成于所述半导体衬底中且在所述磁通栅装置下方的晶体管,所述传感电路耦合到所述第一传感线圈及所述第二传感线圈。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.11 US 15/152,0021.一种集成电路,其包括:半导体衬底;磁通栅装置,其形成于所述半导体衬底上方,所述磁通栅装置具有:第一磁芯,其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向;第一传感线圈,其包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件,所述第一传感线圈限定垂直于所述第一线圈部件的所述第一传感方向;第二磁芯,其布置为正交于所述第一磁芯,所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向;以及第二传感线圈,其包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件,所述第二传感线圈限定垂直于所述第二线圈部件的所述第二传感方向;以及传感电路,其具有部分地形成于所述半导体衬底中且在所述磁通栅装置下方的晶体管,所述传感电路耦合到所述第一传感线圈及所述第二传感线圈。2.根据权利要求1所述的集成电路,其中:所述第一传感方向正交于所述第二传感方向。3.根据权利要求1所述的集成电路,其中:所述第一磁化方向从所述第一传感方向顺时针偏离大约45度;且所述第二磁化方向从所述第二传感方向逆时针偏离大约45度。4.根据权利要求1所述的集成电路,其中:所述第一磁芯具有小于30的第一高宽比;且所述第二磁芯具有小于30的第二高宽比。5.根据权利要求1所述的集成电路,其中:所述第一磁芯遍及所述第一传感方向具有等于或大于50μm的第一宽度;且所述第二磁芯遍及所述第二传感方向具有等于或大于50μm的第二宽度。6.一种磁通栅装置,其包括:第一磁芯,其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向;以及第二磁芯,其布置为正交于所述第一磁芯,所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向。7.根据权利要求6所述的磁通栅装置,其中所述第一传感方向布置为正交于所述第二传感方向。8.根据权利要求6所述的磁通栅装置,其中所述第一磁化方向平行于所述第二磁化方向。9.根据权利要求6所述的磁通栅装置,其中所述第一磁化方向从所述第一传感方向偏离大约45度。10.根据权利要求6所述的磁通栅装置,其中所述第二磁化方向从所述第二传感方向偏离大约45度。11.根据权利要求6所述的磁通栅装置,其中:所述第一磁芯具有小于30的第一高宽比;且所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:李德远,W·D·佛兰茨,R·A·杰克逊,A·M·加布雷希,
申请(专利权)人:德州仪器公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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