磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术的磁传感器装置包括磁体(4)、在面向所述磁体(4)的面的相反侧的面上安装有沿所述磁体(4)的长边方向配置的磁阻效应元件(2)的磁阻效应元件安装体(3)、收纳或保持所述磁体(4)及所述磁阻效应元件安装体(3)的壳体(6)、以及除了所述磁阻效应元件安装体(3)安装有所述磁阻效应元件(2)的面以外覆盖所述壳体(6)的磁屏蔽(7)，所述磁屏蔽(7)覆盖所述壳体(6)中所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置，或从所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置起覆盖所述磁体(4)的相反侧的方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器装置
本专利技术涉及对在纸币等纸片状介质上形成的磁性图案进行检测的磁传感器装置。
技术介绍
国际公开第2014/123142号(参照专利文献1)中记载的磁传感器装置具备磁体及磁阻效应元件。磁体面向具有磁性成分的被检测物的一个面，在与被检测物的传送方向垂直的方向上交替地具有不同的磁极，并形成与被检测物交叉的交叉磁场。磁阻效应元件设置在该磁体的一个磁极与被检测物之间，将因在交叉磁场内传送的被检测物的磁性成分而引起的交叉磁场的传送方向分量的变化作为电阻值的变化来输出。该磁阻效应元件设置在磁体的一个磁极的传送方向长度内，并从磁体的一个磁极的传送方向长度的中心向传送方向偏移地进行配置。此外，专利文献1中记载的磁传感器装置具备磁路及磁阻效应元件。磁路面向具有磁性成分的被检测物的一个面，并在设置于中央部以及相对于该中央部的被检测物的传送方向的输入侧和输出侧的磁轭之间形成与被检测物交叉的交叉磁场。磁阻效应元件设置在被检测物与中央部之间，将因在交叉磁场内传送的被检测物的磁性成分而引起的交叉磁场的传送方向分量的变化作为电阻值的变化来输出。该磁阻效应元件设置在中央部的传送方向长度内，并从中央部的传本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器装置，其特征在于，包括：磁体；在面向所述磁体的面的相反侧的面上安装有沿所述磁体的长边方向配置的磁阻效应元件的磁阻效应元件安装体；收纳或保持所述磁体及所述磁阻效应元件安装体的壳体；以及除了所述磁阻效应元件安装体安装有所述磁阻效应元件的面以外覆盖所述壳体的磁屏蔽，所述磁屏蔽覆盖所述壳体中所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置，或从所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置起覆盖所述磁体的相反侧的方向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.30 JP 2016-0678851.一种磁传感器装置，其特征在于，包括：磁体；在面向所述磁体的面的相反侧的面上安装有沿所述磁体的长边方向配置的磁阻效应元件的磁阻效应元件安装体；收纳或保持所述磁体及所述磁阻效应元件安装体的壳体；以及除了所述磁阻效应元件安装体安装有所述磁阻效应元件的面以外覆盖所述壳体的磁屏蔽，所述磁屏蔽覆盖所述壳体中所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置，或从所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置起覆盖所述磁体的相反侧的方向。2.如权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述磁屏蔽包括：底面，该底面与经由所述磁体相对于所述磁阻效应元件安装体位于相反侧的所述壳体的面相对；以及侧壁部，该侧壁部沿着所述底面的与所述长边方向相交的短边方向，从所述底面起垂直设置在所述磁阻效应元件安装体一侧的方向上，并在所述磁体的长边方向上延伸，所述侧壁部的所述磁阻效应元件安装体一侧的方向的前端与所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置相等，或者与所述磁阻效应元件安装体面向所述磁体的面的位置相比更向所述磁体的相反侧的方向延伸。3.如权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，所述磁屏蔽包括：第2侧壁部，该第2侧壁部沿着所述底面的所述长边方向，从所述底面起垂直设置在所述磁阻效应元件安装体一侧的方向上，并在所述短边方向上延伸，所述第2侧壁部的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井秀树，尾込智和，冈田正明，下畑贤司，吉冈贞明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP