用于半导体装置的晶片盖帽附接制造方法及图纸

技术编号:46454101 阅读:5 留言:0更新日期:2025-09-23 22:20
本公开涉及用于半导体装置的晶片盖帽附接。实例设备(900)包含具有相对的第一表面和第二表面的衬底(804)。所述设备(900)还包含位于所述衬底(804)的所述第一表面上的衬底上装置(904)和在所述衬底的所述第一表面上位于所述衬底上装置上方的晶片盖帽(808)。易熔合金的外围环层(907)配置成围绕所述衬底上装置(904)将所述晶片盖帽(808)气密地密封到所述衬底的所述第一表面。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于半导体装置的晶片盖帽附接


技术介绍

1、晶片级封装为通常用于将电路和组件与封装环境隔离的封装技术。举例来说,晶片级封装可用于形成微机电系统(mems)或体声波谐振器,例如包含传感器、加速计、光学传感器或微致动器。作为实例,可实施晶片级封装以将晶片盖帽贴附到可形成在衬底上的mems或baw谐振器上方的衬底,且将装置单体化并封装。


技术实现思路

1、一个所描述实例涉及一种设备,其包含具有相对的第一表面和第二表面的衬底。所述设备还包含位于所述衬底的所述第一表面上的衬底上装置和在所述衬底的所述第一表面上位于所述衬底上装置上方的晶片盖帽。易熔合金的外围环层配置成围绕所述衬底上装置将所述晶片盖帽气密地密封到所述衬底的所述第一表面。

2、另一所描述实例提供一种制造设备的方法。所述方法可包含提供衬底,所述衬底包含位于所述衬底的第一表面上的衬底上装置。所述方法还可包含在所述衬底的所述第一表面上将晶片盖帽放置在所述衬底上装置上方,其中所述晶片盖帽包含位于所述晶片盖帽的相应表面上的易熔合金的连续环,且所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶片盖帽具有相对的第三表面和第四表面,且所述晶片盖帽的所述第四表面联接到所述衬底的所述第一表面,且所述晶片盖帽进一步包括:

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述支撑层包括聚酰亚胺。

4.根据权利要求2所述的设备,其中所述易熔合金的至少一部分驻留在所述通道中。

5.根据权利要求2所述的设备,其中所述晶片盖帽进一步包括:

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶片盖帽进一步包括沿着所述晶片盖帽的外围从所述晶片盖帽的所述第二表面向外延伸以终止于所述支座环的远端的支座环,所...

【技术特征摘要】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶片盖帽具有相对的第三表面和第四表面,且所述晶片盖帽的所述第四表面联接到所述衬底的所述第一表面,且所述晶片盖帽进一步包括:

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述支撑层包括聚酰亚胺。

4.根据权利要求2所述的设备,其中所述易熔合金的至少一部分驻留在所述通道中。

5.根据权利要求2所述的设备,其中所述晶片盖帽进一步包括:

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶片盖帽进一步包括沿着所述晶片盖帽的外围从所述晶片盖帽的所述第二表面向外延伸以终止于所述支座环的远端的支座环,所述易熔合金插入于所述支座环的所述远端与所述衬底的所述第一表面之间。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底进一步包括位于所述衬底的所述第一表面上的外围金属材料层,所述外围金属材料层与所述衬底上装置间隔开且包围所述衬底上装置,所述易熔合金与所述外围金属材料层共同延伸且联接到所述外围金属材料层,以围绕所述衬底上装置气密地密封所述晶片盖帽。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底为裸片且所述设备进一步包括:

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底上装置包括体声波装置。

10.一种制造设备的方法,其包括:

11.根据权利要求10所述的方法,其中:

12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·J·坎达J·奥斯特里亚L·R·基哈诺
申请(专利权)人:德州仪器公司
类型:发明
国别省市:

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