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德州仪器公司专利技术
德州仪器公司共有1313项专利
高速缓存器中的零时延预提取制造技术
所描述实例涉及数字数据处理设备中的高速缓存系统,所述数字数据处理设备包含:中央处理单元核心;一级指令高速缓存器;和二级高速缓存器。所述二级高速缓存器中的高速缓存行的大小是所述一级指令高速缓存器中的高速缓存行的大小的两倍。所述中央处理单元...
分布式传输资源分配制造技术
本申请的实施例涉及分布式传输资源分配。本发明提供一种选定网络元件(200),其经布置用于分布式传输资源分配冲突减少。所述选定网络元件(200)从第一其它网络元件及第二其它网络元件中的一者接收传输(202)且将由所接收传输(202)指示的...
斩波器稳定型可编程增益放大器制造技术
本申请案的实施例涉及一种斩波器稳定型可编程增益放大器。一种电路包含:放大器(110、120),其具有输入及输出。所述电路还包含:电流到电压放大器(152、162),其具有输入。所述电路进一步包含:电流镜(131、132、141、142)...
对多个功率转换器操作模式的共同控制制造技术
本申请的实施例涉及对多个功率转换器操作模式的共同控制。本公开的各方面提供一种电路(200)。在一些实例中,所述电路包含:放大器(258),其具有被配置成接收表示与功率转换器(102)相关的状态的信号的第一输入、被配置成接收参考信号(VR...
用于斩波稳定运算放大器中的纹波减少的经取样移动平均陷波滤波器制造技术
本申请案的实施例涉及一种用于斩波稳定运算放大器中的纹波减少的经取样移动平均陷波滤波器。一种斩波稳定放大器包含第一跨导放大器和耦合到所述第一跨导放大器的输入的第一斩波电路。第二斩波电路耦合到所述第一跨导放大器的输出。所述斩波稳定放大器还包...
用于包含至少一个触摸按钮的装置的结构和组合件制造方法及图纸
本申请实施例涉及一种用于包含至少一个触摸按钮的装置的结构和组合件。在所描述的实例中,一种用于移动通信或其它装置的触摸按钮结构包含:传感器槽,其具有形成在装置壁中的前侧及后侧槽壁,触摸按钮区域的内表面形成前侧槽壁;及传感器组件,其插入传感...
具有自操作负升压开关的切换转换器制造技术
本申请案的实施例涉及一种具有自操作负升压开关的切换转换器。一种系统(100)包含电感器(120)及耦合于所述电感器(120)的第一端与电压供应节点(112)之间的第一开关(S1)。所述系统(100)还包含耦合于所述电感器(120)的所述...
具有输出电流估计器电路的开关转换器制造技术
本公开涉及一种具有输出电流估计器电路的开关转换器。一种系统(100)包含开关转换器电路(102)和耦合到所述开关转换器电路(102)的监控电路(130)。所述监控电路(130)包含电流估计电路(132),所述电流估计电路经配置以估计所述...
具有半导体芯片端子的DC-DC转换器制造技术
本申请实施例涉及一种具有半导体芯片端子的DC‑DC转换器。在所描述实例中,一种电力供应系统(200)具有QFN引线框架,所述QFN引线框架具有引线及垫(201)。面向电路板的垫表面具有凹入的部分,所述凹入部分具有深度(270)及适于并排...
具有集成式陶瓷衬底的嵌入式裸片封装制造技术
本申请涉及具有集成式陶瓷衬底的嵌入式裸片封装。封装式电子装置和集成电路包含陶瓷材料或其它导热电绝缘衬底,其具有第一侧上的图案化导电特征,以及第二侧上的导电层。所述IC另外包含安装到所述衬底的半导体裸片,所述半导体裸片包含导电接触结构和电...
用于满足控制信号的建立时间和保持时间的电路制造技术
一种电路(300)包含串联耦合的延迟缓冲器(110a,110b)和逻辑门(310a,310b)。每个逻辑门(310a,310b)包含第一输入(330)和第二输入(332)。每个逻辑门(310a,310b)的所述第一输入(332)耦合到所...
高可靠性多晶硅组件制造技术
本揭露涉及一种包括高可靠性多晶硅组件的集成电路及其制造方法。本发明提供一种电子装置,例如集成电路(100)。所述IC包含半导体衬底(101),所述半导体衬底(101)包括第一导电类型的第一经掺杂层(108)。所述第一导电类型的第二经掺杂...
用以确定电机的可旋转轴的位置的方法及设备技术
本发明揭示用以确定电机的可旋转轴的位置的方法及设备(100)。一种用以确定电机的可旋转轴的位置的实例性设备包含:传感器印刷电路板PCB(140),其经结构化以安装到电机(110),所述传感器PCB(140)包含多个电容式传感器(144A...
感测晶体管的偏移添加电路制造技术
在实例中,一种用于感测电流的设备(500)包括功率晶体管(502);感测晶体管(504),其耦合到所述功率晶体管;及偏移添加电路(540),其耦合到所述功率晶体管及所述感测晶体管,所述偏移添加电路包括第一对晶体管(506、508)及差分...
用于联机加密处理的高性能自主硬件引擎制造技术
本申请案涉及用于联机加密处理的高性能自主硬件引擎。运行中加密引擎(101)定位在处理器总线(103及104)之间,且在总线(105)上经由外部存储器接口(106)连接到外部存储器(107)。可经由所述处理器总线中的一者(103)对配置寄...
用于晶片芯片尺度封装的印刷式再钝化制造技术
本申请案的实施例涉及用于晶片芯片尺度封装的印刷式再钝化。所描述实例提供集成电路和方法(200),其包含:至少部分地在晶片(120)的导电特征(119)上方形成(208)导电晶种层(124);在所述导电晶种层(124)的至少一部分上形成(...
用于管芯的引线框架制造技术
本申请的实施例涉及一种用于管芯的引线框架。半导体装置(100)的实施例包含具有涂覆于一侧上的金属材料涂层(112)的硅管芯(101);引线框架(102),其具有:面积小于所述硅管芯(101)的面积的安装垫(138),所述硅管芯(101)...
用于经编码超声波感测的阈值生成制造技术
本申请案的实施例涉及用于经编码超声波感测的阈值生成。在使用频率调制编码来区分从多个换能器发出的脉冲串的超声波检测系统中,与换能器相关联的接收器(600)使用动态阈值来在由多个相关器(608、610)产生的多个包络信号中鉴别有效回波(90...
在广泛范围的电流上操作的电流感测电路制造技术
本发明涉及在广泛范围的电流上操作的电流感测电路。流入负载(112)中的输出电流(I
具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成制造技术
本申请实施例涉及具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成。可通过以下操作来形成集成电路(100):从MOS晶体管栅极(114、132)的侧壁上的偏移间隔件移除源极/漏极间隔件;在所述MOS晶体管栅极的横向表面...
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