本发明涉及射频微波半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆孔洞制作方法，包括以下步骤：在测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率，计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率及两个孔洞的刻蚀时间；在晶圆表面铺设第一光...

本发明公开了一种平面级联半导体芯片装置及级联方法，装置包括：载板；至少两个组装在所述载板同一平面的半导体芯片；其中，每个半导体芯片均具有至少一个盲孔，在组装完成后两个半导体芯片的盲孔位置对应形成一个完整的盲孔；所述的盲孔包括金属化侧壁；...

本发明涉及一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，包括以下步骤：a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；c、采用等离子体对晶圆外延...

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法，T型光刻图形包括栅脚光刻图形和栅帽光刻图形，其特征在于，包括以下步骤：利用等离子去胶机轰击栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁，使栅脚光刻图形和/或栅帽光...

本发明提供一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，包括如下步骤：S1、在晶体管表面生长Si3N4介质层；S2、在Si3N4介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘；S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口；S4...

本发明提供一种具备空气沟结构的T型栅制作方法，包括以下步骤：S1、在晶体管表面生长Si3N4介质钝化层；S2、在所述介质钝化层上沉积TiW金属形成金属空间层；S3、在金属空间层上均匀涂抹电子束光刻胶并进行烘烤；S4、对电子束光刻胶进行曝...

本发明涉及一种基于氮化铝阻挡层的GaN_HEMT器件制备方法，包括以下步骤：a1、欧姆接触制备；a2、有源区隔离；a3、氮化铝阻挡层淀积：在上述完成有源区隔离的晶圆上淀积氮化铝阻挡层；a4、表面钝化层淀积：在上述完成氮化铝阻挡层淀积的晶...

本发明涉及一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺，包括以下内容：GaN HEMT器件正面工艺制备；GaN HEMT正面器件区保护；图形化载片制备：将背面接地孔图形投影到载片的相应位置，再移除该位置的载片材料以形成散热孔；G...

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个...

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法，包括：S1：采用有限元热仿真方法，提取GaN HEMT器件非线性热阻随器件功耗和尺寸的变化关系式；S2：利用冷态夹断偏置条件下的S参数测试数据，提取GaN ...

本发明公开了一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：S1：得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第...

本发明公开了一种MIM电容制造方法，包括：S1：得到带有M1图形的下层金属电板；S2：沉积一层氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上光刻出NM图形；S4：溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti作为上层金属电板；S5：对上层金属电板进行lift...

本发明公开了一种划片道制作工艺，在芯片前端工艺完成之后进行，所述的芯片前端工艺包括芯片正面工艺和接地通孔工艺；所述的划片道制作工艺包括以下步骤：S1：在具有接地通孔和电镀金属层的晶圆的衬底背面涂覆保留出划片道部分的PBO，并完成曝光、显...

本实用新型涉及半导体制作设备领域，具体涉及一种光刻机光源漏光监测系统，包括光刻机本体，光刻机本体的遮光器远离光源的一侧设置有光电探测器，光电探测器通过光电模块与光刻机本体的主控制模块电连接。本实用新型的光电探测器在挡片闭合的状态下侦测是...

本发明涉及一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，在基极基座上进行返工程序，包括以下内容：101、采用BP光罩，重新光刻制作出掩膜图形，形成返工BP光阻，开始返工程序；102、进行InGaP侧壁补湿法蚀刻及SiN ...

本实用新型涉及一种新型mHEMT器件，GaAs CC‑mHEMT器件外延结构由在GaAs衬底上依次外延生长的多量子阱、Buffer晶格量子阱应变缓冲层、复合沟道层、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖...

本发明涉及一种MMIC芯片及其背面划片道制作工艺，在前道工艺完成接地通孔工艺的基础上，采用纳米银浆烧结工艺与厚金层制作工艺相结合，在接地通孔中实现纳米银浆填充，固化完成后，使得接地通孔填充满金属Ag层，整个晶圆表面高低起伏在20um以内...

本发明涉及一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺，包括以下步骤：101、采用离子体轰击晶圆表面；102、在晶圆表面接地通孔区域注入光刻胶，并在一定固化温度下固化；103、在接地通孔区域光刻胶固化后的晶圆上制作出划片道图形；104...

本发明公开了一种深Si通孔结构，包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。本发明采用金属Ag替代传统金属Cu填充工艺...

本实用新型涉及一种InP HEMT结构，该InP HEMT材料由在InP衬底上依次外延生长的缓冲层In0.52Al0.48As、复合沟道层、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层InAlAs和高掺杂渐进盖帽层InXG...