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超威半导体公司专利技术
超威半导体公司共有642项专利
基于转换后备缓冲器逐出的高速缓存替换制造技术
一种处理系统基于从转换后备缓冲器(TLB)逐出映射虚拟到物理地址转换的条目而调整高速缓存处的高速缓存线的高速缓存替换优先级。在逐出TLB条目时,所述处理系统识别与所述逐出的TLB条目的所述物理地址相对应的高速缓存线,并逐出所述高速缓存线...
用于在神经网络中处理数据的静态生成的经编译表示制造技术
一种电子装置,包括:存储器,其存储输入矩阵A和B;高速缓存存储器;以及处理器。所述处理器生成经编译表示,所述经编译表示包括用于在通过神经网络处理输入数据实例时从输入矩阵A获取数据的值,所述值包括输入矩阵A中针对多个线程中的每个线程的基址...
具有混合精度运算的处理单元制造技术
一种图形处理单元(GPU)[100]实现具有相关联的运算码的运算[105]以执行混合精度数学运算。所述GPU包括具有不同执行路径[106、107]的算术逻辑单元(ALU)[104],其中每个执行路径执行不同的混合精度运算。通过响应于指定...
具有指定区域存储器访问调度的存储器系统技术方案
集成电路器件包括可耦合至存储器的存储器控制器。所述存储器控制器基于专用于区域的存储器时序参数,调度至所述存储器的所述区域的存储器访问。一种方法包括接收在存储器器件的存储器访问请求。所述方法还包括从所述存储器器件的时序数据存储访问表示专用...
具有抗翘曲性的扇出型封装制造技术
公开了各种模制扇出型半导体芯片装置。在一个方面,提供了一种半导体芯片装置,所述半导体芯片装置包括:第一模制层(237),所述第一模制层具有内部导体结构(238);重分布层(RDL)结构(205),所述RDL结构位于所述第一模制层上并且电...
处理器处的松弛度感知、动态优先级变化制造技术
一种处理系统(100)包括任务队列(232)、耦合到任务队列的松弛度感知任务调度程序(234)以及耦合到松弛度感知任务调度程序的工作组分派器(238)。基于对与存储在所述任务队列中的多个任务相关联的松弛度值的松弛度评估,所述工作组分派器...
常驻图描述符制造技术
处理器接收访问部分常驻纹理(PRT)资源的一个或多个级别的请求。所述级别表示不同细节级别(LOD)下的纹理并且所述请求包括指示所述纹理中的位置的标准化坐标。所述处理器访问纹理描述符,其包括所述级别中的第一级别的维度以及参考级别和一个或多...
由输入输出存储器管理单元进行的域标识符和装置标识符转译制造方法及图纸
一种电子装置包括执行访客操作系统和管理程序的处理器、输入输出(IO)装置以及输入输出存储器管理单元(IOMMU)。所述IOMMU通过以下操作处理所述IOMMU与所述访客操作系统之间的通信:在从所述访客操作系统接收的通信中,在进一步处理所...
具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片制造技术
公开了各种半导体芯片金属化层及其制造方法。一方面,提供了一种半导体芯片(15),所述半导体芯片包括:衬底(50);所述衬底上的多个金属化层(75、80);所述金属化层中的一个中的第一导体线(175b)和所述金属化层中的所述一个中的第二导...
用于多芯片模块上的物理层接口的偏斜校正方法技术
公开了用于实施用于多芯片模块上的物理层接口的偏斜校正方法的系统、设备和方法。连接到多个通信通道的电路训练每个通道以在时序窗口的开始处使所述通道的本地时钟与对应全局时钟同步。接下来,响应于确定所有所述多个通道具有不正确的符号对齐,电路将每...
具有集成电压调节器的集成电路封装制造技术
公开了各种半导体芯片装置及其制造方法。在一个方面,提供了一种设备,所述设备包括:具有第一多个导体迹线(165d、165e)的第一再分布层(RDL)结构(172);在所述第一RDL结构上的第一模制层(120);在所述第一模制层中的多个导电...
射线跟踪中用于三角形和方盒相交测试的合并数据路径制造技术
本文描述了一种合并数据路径单元,所述合并数据路径单元具有可配置为在不同指令类型之间切换的元件。合并数据路径单元是具有多个级的流水线单元。多路复用器层位于不同级之间,所述多路复用器层可配置为将数据从前一级的功能块路由到下一级。针对特定级配...
神经网络训练期间的数据稀疏度监视制造技术
本公开描述了一种电子装置,所述电子装置包括处理器和稀疏度监视器,所述处理器被配置为在神经网络的训练过程期间执行训练迭代,每次训练迭代包括通过神经网络处理单独的训练数据实例。在操作期间,稀疏度监视器在一个或多个监视周期中的每个监视周期中的...
为虚拟页面分配非邻接备份物理子页面的方法技术
一种设备包括地址转换缓冲器(303),其为多个虚拟页面号中的每个虚拟页面号(621)存储与所述虚拟页面号相关联的映射(650)。所述映射识别分配给所述虚拟页面号的一组物理子页面(622),且所述组物理子页面包括物理存储器区中的多个邻接子...
压缩数据以存储在高速缓存存储器层次结构中的高速缓存存储器中制造技术
一种电子装置,包括至少一个压缩‑解压缩功能块和高速缓存存储器层次结构,该高速缓存存储器层次结构具有第一高速缓存存储器和第二高速缓存存储器。至少一个压缩‑解压缩功能块接收处于未压缩状态的数据,使用第一压缩或第二压缩中的一者来压缩数据,并且...
用于容忍存储器违反排序检查缓冲器的排空延迟的推测性指令唤醒制造技术
一种用于推测性地执行加载依赖性指令的技术包括检测对于完成的加载指令而言,存储器排序一致性队列已满。所述技术还包括当所述存储器排序一致性队列已满时,将由所述完成的加载指令加载的数据存储至用于存储数据的存储位置中。所述技术还包括推测性地执行...
基于缓存行地址在流中聚合命令制造技术
操作组合器[240]接收具有读取地址、修改操作和写入地址的一系列命令。在某些情况下,命令具有串行依赖性,这些依赖性限制了它们的处理速度。操作组合器比较地址的兼容性、转换操作以打破串行依赖性,并将多个源命令组合为较少数量的聚合命令,所述聚...
从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出制造技术
一种处理系统(100),包括存储器控制器(110),所述存储器控制器基于所述存储器控制器将接收到对访问动态随机存取存储器(DRAM)集成电路排(115)的请求(102)的预测时间来使所述DRAM排从诸如掉电模式的低功率模式抢先地退出。所...
可变比率着色和超样本着色的集成制造技术
本文提供一种用于以解耦分辨率执行光栅化和像素着色的技术。所述技术涉及正常执行光栅化以生成四边形。所述四边形被累积到图块缓冲器中。为所述图块缓冲器的所述内容确定着色率。如果所述着色率是子采样着色率,则对所述图块缓冲器中的所述四边形进行下采...
注视点译码的切片大小地图控制制造技术
公开了用于基于每个块到聚焦区域的距离调整用于帧的块的压缩水平的系统、设备和方法。一种系统包括发射器,所述发射器通过无线链路向接收器发送视频流。所述发射器在向所述接收器发送所述视频流的帧之前对所述帧进行压缩。针对帧的每个像素块,所述发射器...
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