本发明公开了一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备Ｆｅ－６．５ｗｔ％Ｓｉ薄板方法，以单晶或多晶硅为阴极靶，以低硅钢带为阳极，采用磁控溅射物理气相沉积方式在低硅硅钢带单面或双面溅射沉积硅单质薄膜；随后在高温中扩散，使表层硅原子向内扩散直至钢...

本发明公开了一种环保型无铬转化处理液，由１～２５克／升的钛元素形成的盐、１２～３０克／升的络合剂、５～１５克／升的硅酸盐、１０～２５克／升的氧化还原剂、３～６．５克／升的添加剂和余量的去离子水组成。该处理液不含有铬元素，适用于镀锌层和锌...

本发明公开了一种具有高热稳定性、抗高温烧结、低热导率的铬酸镧陶瓷层材料，是采用电子束物理气相沉积方法在镍基高温合金基体表面镀上一层粘结层材料和陶瓷层材料。粘结层材料为ＭＣｒＡｌＹ，Ｍ可以是Ｎｉ合金元素，Ｃｏ合金元素或者Ｎｉ＋Ｃｏ混合合金...

本发明公开了一种表面溅射有Ｔｉ－Ｔａ－Ｃ－Ｏ复合膜的医用ＴｉＮｉ形状记忆合金，该Ｔｉ－Ｔａ－Ｃ－Ｏ复合膜的主要组织组成相是：氧化钛ＴｉＯ↓［２］、碳化钽ＴａＣ、碳化钛ＴｉＣ和钽的氧化物，其中ＴａＣ的化学成分为２～１５ｗｔ％，ＴｉＣ的化学...

平面式磁控溅射便携插件式增磁装置，包括：附加中心圆柱形永磁强磁体、附加环形永磁强磁体、内散热环和外散热环、阴极罩和阳极罩，附加中心圆柱形永磁强磁体和附加环形永磁强磁体分别和设备阴极靶位固有的内置中心圆柱形永磁强磁体和内置环形永磁强磁体同...

为了解决耐高温、低隔热、低熔点ＬａＴｉ↓［２］Ａｌ↓［９］Ｏ↓［１９］陶瓷材料采用常规等离子喷涂工艺制备时出现的非晶态涂层以及常规等离子喷涂涂层抗热冲击性能低的问题，本发明公开了一种带有柱状晶结构陶瓷层的热障涂层制备方法，是在常规等离子...

磁控溅射真空室Ｈ↓［２］Ｏ内－外压差逐级导入装置包括：密封抽滤瓶、Ｈ↓［２］Ｏ气化导流管、至少三级Ｈ↓［２］Ｏ气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室，密封抽滤瓶通过Ｈ↓［２］Ｏ气化导流管与至少三级Ｈ↓［２］Ｏ气化用浮标式流量计连接，...

本发明公开了一种采用大气等离子喷涂制备ＢａＬｎ↓［２］Ｔｉ↓［３＋Ｘ］Ｏ↓［１０＋Ｙ］封严涂层的工艺方法，由于ＢａＬｎ↓［２］Ｔｉ↓［３＋Ｘ］Ｏ↓［１０＋Ｙ］熔点较低，本发明人提出：（Ａ）降低等离子喷枪的功率，使得材料熔化并且材料保持其...

本发明公开了一种Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ复合涂层，以及采用低压３０～４０×１０↑［３］ｐａ等离子喷涂工艺在Ｎｂ－２４Ｔｉ－１６Ｓｉ－６Ａｌ－６Ｃｒ－２Ｈｆ基体上制备Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｒ复合涂层的方法。...

本发明公开了一种密度梯度变化的Ａｌ－Ｗ复合材料，由第一层、第二层、第三层、第四层、……、第Ｎ层组成，第一层的密度为１２．０～１３．９ｇ／ｃｍ↑［３］，第二层的密度为１０．０～１２．０ｇ／ｃｍ↑［３］，第三层的密度为８．０～１０．０ｇ／ｃ...

本发明公开了一种具有层状梯度变化的二元金属基复合材料的制备方法，通过调节喷涂工艺参数：喷枪（１）的工作温度为５０～２５０℃，喷枪（１）的工作压力为０．３～０．８ＭＰａ，喷枪（１）的移动速度为２５～５０ｍｍ／ｓ，喷枪（１）的出射口与基板（...

本发明公开了一种复合阻碳涂层材料及其在基体上制备复合阻碳涂层的方法，该复合阻碳涂层材料由过渡层和阻碳层组成，所述过渡层为ＳｉＣ或Ｍｏ材料，所述阻碳层为Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］材料。所述过渡层厚度为４０～１２０μｍ，所述阻碳层厚度为１００～２...

本发明公开了一种抗高温氧化的镍－铝－镝热障涂层粘结层材料，该粘结层材料由纯度９９．９９％的原子百分比为０．０１～３的镝Ｄｙ、纯度９９．９９９％的原子百分比为４０～５０铝Ａｌ和纯度９９．９９９％的余量的镍Ｎｉ组成。熔炼得到的粘结层材料中的...

本发明公开了一种耐瞬态超高温的热障涂层陶瓷层材料，是由摩尔百分比为１～５的氧化钇Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］、摩尔百分比为１～４０的氧化铪ＨｆＯ↓［２］、摩尔百分比为１～５的氧化铌Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］以及余量的氧化锆ＺｒＯ↓［２］组成的Ｎｂ↓...

本发明公开了一种以空心微球为填料的雷达波吸波涂料，该雷达波吸波涂料由３０～４０ｗｔ％的环氧有机硅树脂、０．２～０．４ｗｔ％的流平剂、０．２～０．４ｗｔ％的增稠剂、４０～５５ｗｔ％的表面包覆金属镀层的空心微球和余量的溶剂组成。所述以空心微...

本发明公开了一种雷达波吸收剂及其采用化学镀工艺的制备方法，雷达波吸收剂是由空心微球和金属镀层组成，金属镀层包覆在空心微球的表面，且金属镀层的厚度５０～２５０ｎｍ；所述金属镀层的成分可以是单质的镍（Ｎｉ）、铁（Ｆｅ）或钴（Ｃｏ），也可以是...

本发明公开了一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开卷机（２）送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止，生产流水线上设备的顺序为焊接机（３）、预热室（４）、磁控溅射室（...

本发明公开了一种强磁场诱发获得大磁致应变ＮｉＭｎＧａ单变体的方法，是针对ＮｉＭｎＧａ单晶材料，采用一种在室温２５℃条件下，对ＮｉＭｎＧａ单晶的马氏体状态下进行强磁场５～１０Ｔ处理，通过马氏体孪晶再取向，诱发单变体的方法，其原理在于对Ｎｉ...

本发明公开了一种ＴｉＮｉＦｅＭｏＳｃＮｄ形状记忆合金，其由４３～５５ａｔ％的钛（Ｔｉ）、４２～４８ａｔ％的镍（Ｎｉ）、０．１～４ａｔ％的铁（Ｆｅ）、０．１～２ａｔ％的钼（Ｍｏ）、０．０１～３ａｔ％的钪（Ｓｃ）和０．０１～３ａｔ％的钕（Ｎ...

本发明公开了一种获得具有筏状初生α相的双态组织的双相钛合金热处理方法，先在钛合金β转变温度Ｔ↓［β］以下５～４５℃进行１０～６０ｍｉｎ高温热处理，并根据零件截面厚度选择空冷、风冷、喷水冷却等方式冷却至室温，再在６５０～８５０℃根据截面厚...