本发明专利技术涉及耐热冲击性固化物的制造方法，还涉及得到的固化物，该制造方法具有：以特定比例、在酸催化剂的存在下使下述通式（1）～（5）所示的单体共缩聚而得到固化物前体的缩合工序，和使上述固化物前体具有的烯属不饱和键的至少一部分聚合而使固化物前体固化的固化工序。[式（1）～（5）中，（X）为硅氧烷键生成基，R1、R2和R4各自为从氢原子、烷基、芳烷基、环烷基、环芳烷基、芳基和具有烯属不饱和键的基团中选择的基团，R3和R5各自为从氢原子、烷基、芳烷基、环烷基、环芳烷基和芳基中选择的基团，R1、R2和R4中的至少一个为具有烯属不饱和键的基团。]Si(X)4????(1)R1Si(X)3????(2)
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及耐热冲击性固化物的制造方法，还涉及得到的固化物，该制造方法具有：以特定比例、在酸催化剂的存在下使下述通式（1）～（5）所示的单体共缩聚而得到固化物前体的缩合工序，和使上述固化物前体具有的烯属不饱和键的至少一部分聚合而使固化物前体固化的固化工序。Si(X)4----(1)R1Si(X)3----(2)【专利说明】
本专利技术涉及耐热冲击性优异、能够用于半导体器件、印刷配线板等中的电子部件用的粘合材料部、密封部、保护膜等的。
技术介绍
半导体器件、印刷配线板等的电子设备在例如包含树脂、玻璃、金属等的基板具有各种电子部件。为了将电子部件固定，根据目的或用途，使用了焊料、粘合剂等。例如，从环境问题的观点出发，用于将电子部件与基板连接的焊料进行着从以往的锡-铅系焊料向无铅焊料的替代。无铅焊料的熔点为比以往的锡-铅系焊料高的220°C，与其相伴，使用无铅焊料的电子电路基板的回流加工温度从以往的230°C升高到260°C。对于电子电路基板中使用的材料，要求耐受该260 V下的热冲击。此外，伴随着半导体芯片的高集成化、大容量化，半导体器件的发热量不断增加，而内包半导体器件的电子设备的壳体正轻薄短小化。因此，电子设备内部的高密度化进一步发展，电子电路基板和电子部件的热环境变得严酷。而且，成为了伴随着使用了电子设备时的负荷的变动、环境变化，温度的急剧变动反复的状况。这样的状况也可针对发光二极管(LED)而言。伴随着LED的用途的扩大，也有时在屋外等严酷的环境中使用，因此对于伴有发热的部件的保护膜的必要性提高。但是，对于与LED的高亮度化相伴的高发热量，难以进行充分的除热，每次开关时包含LED的电子部件的温度大幅度地升降的情况下，保护膜中有时产生热冲击导致的剥离、开裂。这样，需要用于电子电路材料的耐热冲击性高的固化膜。专利文献I中公开了基板，其具有使通式R’ ffl (H) kSiX4_(m+k)所示的硅烷化合物和氢化硅烷化反应剂反应而得到的热固化性有机硅聚合体含有树脂。实施例中，记载了通过288°C、30秒的焊料回流而没有发生开裂。此外，上述的专利技术中为了引起氢化硅烷化反应而在高温下反应，或者氯钼酸等催化剂是必要的。但是，高温下的反应对半导体芯片具有不良影响。此外，使用了催化剂的情况下，反应后将催化剂除去困难，如果使用催化剂残留的聚合物，容易引起变色等劣化，因此尚不足以作为电子材料用途、保护膜的用途使用。作为不采用氢化硅烷化反应的聚硅氧烷化合物，例如，专利文献2中有采用使至少2种烷氧基硅烷在碱性条件下水解共缩聚的制造方法得到的聚硅氧烷化合物的记载。对于作为固化物的耐热冲击性，没有研究。此外，采用在酸性条件下水解共缩聚的制造方法得到的聚硅氧烷化合物的保存稳定性差而没有采用。即，除了使至少2种的烷氧基硅烷水解共缩聚而得到的聚硅氧烷化合物以外，还已知形成包含该聚硅氧烷化合物的固化性组合物。但是，对于耐热冲击性高的固化物的课题未研究，对于采用何种制法得到的何种特定组成的组合物给予耐热冲击性高的固化物，尚属未知。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2011-61211号公报专利文献2:W02009/131038国际公开公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的课题在于提供耐热冲击性优异、难以发生从包含金属、玻璃、树脂等的基材中的粘合状态剥离的固化物及其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术人发现:采用下述制造方法得到的固化物的耐热冲击性优异，与基材的密合性也优异，该制造方法具有:使下述通式(I)所示的单体、下述通式(2)所示的单体、下述通式(3)所示的单体、下述通式(4)所示的单体和下述通式(5)所示的单体分别以a摩尔、w摩尔、X摩尔、y摩尔和c摩尔的比例，在酸催化剂的存在下共缩聚而得到固化物前体的缩合工序，和使上述固化物前体具有的烯属不饱和键的至少一部分聚合而使固化物前体固化的固化工序，W和X为正数，a、y和c为O或正数,并且a、W、x、y和c的关系为O < w/(a+x+y+2c) ^ 10。Si(X)4 (I)R1Si(X)3 (2)R2Si(X)2 P) R3 R4-Si(X) (4) p5P 5R 5.1 I ^ FT-S1-O-S1-R4 (5) R5 R5通式(I)~(5)中，(X)为硅氧烷键生成基，R^R2和R4各自为从氢原子、烷基、芳烷基、环烷基、环芳烷基、芳基和具有烯属不饱和键的基团中选择的基团，R3和R5各自为选自氢原子、烷基、芳烷基、环烷基、环芳烷基和芳基中选择的基团，R1 > R2和R4中的至少一个为具有烯属不饱和键的基团。此外，各单体中存在多个(X)的情况下(X)的一部分或全部可以相同，也可不同。此外，通式(5)的R4的一部分或全部可以相同，也可不同。此外，通式(4)和(5)的R5的一部分或全部可以相同，也可不同。专利技术的效果本专利技术的固化物，即使受到反复的热冲击也难以产生开裂，因此耐热冲击性优异。此外，与基材接合的固化物，由于也难以发生从基材的剥离，因此可用作将基材与水、空气阻隔的保护膜。此外，如果在一构件与其他构件之间、或者、基材与基材的间隙存在，即使受到反复的热冲击也难以从接合部剥离，因此也可用作耐热冲击性优异的层间接合材料。使用酸性催化剂使通式(I)~(5)所示的单体共缩聚的情况下，单体大致按照单体的进料份数定量地进入共缩聚物，得到固化物前体。因此，对于所需的固化物前体的组成，确定通式(I)~(5)所示的各单体的进料量。此外，实际得到的固化物前体的组成能够采用NMR等分析手法确定，因此要进一步提高固化物的性能的情况下，根据分析结果进行进料组成的微调节，能够得到期望的性能的固化物前体。【具体实施方式】以下对本专利技术详细说明。应予说明，本说明书中，“(甲基)丙烯酸”意味着丙烯酸和甲基丙烯酸，“(甲基)丙烯酸酯”意味着丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。此外，“(甲基)丙烯酰基”意味着丙烯酰基和甲基丙烯酰基。本专利技术的耐热冲击性固化物的制造方法具有:使上述通式(I)所示的单体、上述通式(2)所示的单体、上述通式(3)所示的单体、上述通式(4)所示的单体和上述通式(5)所示的单体分别以a摩尔、 w摩尔、X摩尔、y摩尔和c摩尔的比例，在酸催化剂的存在下共缩聚而得到固化物前体的缩合工序，和使上述固化物前体具有的烯属不饱和键的至少一部分聚合而使固化物前体固化的固化工序。本专利技术中，上述通式(I)~(5)所示的单体各自可只使用I种，也可使用2种以上。上述通式(I)~(5)中，(X)意味着能够通过缩合生成硅氧烷键的硅氧烷键生成基。在I分子中具有4个硅氧烷键生成基的单体也称为“Q单体”。在I分子中具有3个硅氧烷键生成基的单体也称为“T单体”，在I分子中具有2个硅氧烷键生成基的单体也称为“D单体”，在I分子中具有I个硅氧烷键生成基的单体也称为“M单体”。本专利技术中的上述通式(I)的单体为“Q单体”，上述通式(2)的单体为“T单体”，上述通式(3)的单体为“D单体”，上述通式(4)的单体为“M单体”。此外，上述通式(5)的单体是共缩合时形成2倍量的与由M单体生成的结构单元同样的结构单元的单体，以下将通式(5)的单体称为“M2单体”。如果将多个Q单体缩合，成为含有具有4个硅氧烷键的结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：北村昭宪，古田尚正，
申请(专利权)人：东亚合成株式会社，
类型：
国别省市：
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