等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和等离子显示器技术

本发明专利技术提供了一种等离子显示器的介质保护膜，其制作方法以及包括该介质保护膜的等离子显示器。该制作方法是在介质保护膜的制作过程中采用间歇式通氧工艺，从而得到了具有多层氧化镁层的介质保护膜。根据本发明专利技术的制作方法，工艺过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。通过本发明专利技术提供的方法所得到的介质保护膜具有多层氧化镁层，通氧条件下形成的氧化镁层结晶度较高，无氧条件下形成的氧化镁层较致密，使得含有其的等离子显示器能够在较低的电压下获得较高的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种等离子显示器的介质保护膜，其制作方法以及包括该介质保护膜的等离子显示器。该制作方法是在介质保护膜的制作过程中采用间歇式通氧工艺，从而得到了具有多层氧化镁层的介质保护膜。根据本专利技术的制作方法，工艺过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。通过本专利技术提供的方法所得到的介质保护膜具有多层氧化镁层，通氧条件下形成的氧化镁层结晶度较高，无氧条件下形成的氧化镁层较致密，使得含有其的等离子显示器能够在较低的电压下获得较高的发光效率。【专利说明】等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和等离子显示器
本专利技术涉及气体放电
，具体而言涉及一种等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和含有其的等离子显示器。
技术介绍
等离子体显示器(rop)是一种利用气体放电产生紫外线，进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示面板是实现放电发光的主要结构，其由前后两个基板组成，在前基板上，设置有横向的维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜；在后基板上，设置有纵向的寻址电极和障壁结构，放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等尚子显不器的放电性能决定着等尚子显不器的売度、光效、功耗等指标，而提闻放电性能的主要手段是提高等离子显示面板介质保护膜的性能。当前，等离子体显示面板介质保护膜主要由MgO构成，其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示器的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流，从而改善等离子显示器的放电性能。在现有的等离子显示面板保护膜的制备工艺中，通常使用电子束蒸镀工艺，所用的最为成熟的保护膜材料是氧化镁，在蒸镀氧化镁的时候一般要通入适量氧气，以提升MgO薄膜的结晶度，通氧条件下能够获得较低的着火电压但是显示屏的发光效率较低。理想的保护膜应该是具有较高的光效和较低的电压，这对于现有介质保护膜制备工艺而言是难以实现的。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种等离子显示器的介质保护膜，以解决现有技术中等离子显示屏的发光效率低而且放电电压高的问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种等离子显示器介质保护膜的制作方法，包括介质保护膜材料在介质层上生长，形成介质保护膜的步骤，在介质保护膜材料的生长过程中，米用间歇式通氧工艺。进一步地，上述制作方法包括以下步骤:A.进行无氧生长阶段，并检测形成的氧化镁层厚度，达到第一预定厚度；B.通入氧气，进行有氧生长阶段，达到第二预定厚度；以及C.重复步骤A和步骤B。进一步地，上述制作方法包括以下步骤:a.进行无氧生长阶段，生长时间为30?480s ；b.通入氧气30?480s，氧气的通入量为30?50SCCM，进行有氧生长阶段；以及c.重复步骤a和步骤b。进一步地，上述无氧生长和有氧生长的方法为电子束蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法或化学气相沉积法。进一步地,上述第一预定厚度和/或第二预定厚度为30?50nm。进一步地，上述介质保护膜的厚度为500?lOOOnm。进一步地，上述介质保护膜材料为氧化镁或掺杂型氧化镁，其中，掺杂型氧化镁掺杂有 Be、Ca、Sr 或 Ba。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种等离子显示器的介质保护膜，其特征在于，介质保护膜上述制作方法制作而成。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种等离子显示器，包括:前基板、PDP放电电极和后基板，其特征在于，前基板包含上述介质保护膜。本专利技术达到的技术效果:根据本专利技术的制作方法，工艺实现过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。本专利技术得到的介质保护膜具有多层氧化镁层，通氧条件下形成的氧化镁层结晶度较高，无氧条件下形成的氧化镁层较致密，使得含有其的等离子显示器能够在较低的电压下获得较高的发光效率。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明。【专利附图】【附图说明】说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1示出了根据本专利技术的等离子显示器的前基板的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本专利技术，而不能限制本专利技术，本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。在本专利技术的一种典型的实施方式中，提供了一种等离子显示器介质保护膜的制作方法，包括介质保护膜材料在介质层上生长，形成介质保护膜的步骤，在介质保护膜材料的生长过程中，采用间歇式通氧工艺。 本专利技术通过间歇通氧工艺控制氧化镁层的形成，从而在有氧条件下形成的氧化镁层和在无氧条件下形成的氧化镁层交替排列，该制作方法的工艺实现过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。在本专利技术的一种【具体实施方式】中，该制作方法包括以下步骤:A.进行无氧生长阶段，并检测形成的氧化镁层厚度，达到第一预定厚度；B.通入氧气，进行有氧生长阶段，达到第二预定厚度；以及C.重复步骤A和步骤B。在氧化镁层的形成过程中，采用晶体测厚仪控制无氧生长阶段和有氧生长阶段氧化镁层的厚度，使两者以较均匀的厚度交替排列，每层氧化镁层厚度的可控性较好，在小型的氧化镁层形成设备上实现起来也比较容易，厚度可以得到精确控制。在本专利技术的另一种【具体实施方式】中，本专利技术制作方法包括以下步骤:a.进行无氧生长阶段，生长时间为30?480s ；b.通入氧气30?480s，氧气的通入量为30?50SCCM，进行有氧生长阶段；以及C.重复步骤a和步骤b。控制氧气的间歇通入量和通入时间使无氧生长阶段和有氧生长阶段氧化镁层的厚度不同，而且，由于无氧条件下形成的氧化镁层和有氧条件下形成的氧化镁层的折射率不同，当不同厚度的氧化镁层相互叠加时，导致其对应厚度波长的紫外线反射率更高，这种紫外线的反射能够增强放电单元内的紫外线数量，有助于提升发光效率，此制作方法适合大型的氧化镁层形成设备。本专利技术无氧生长和有氧生长的方法包括并不限于电子束蒸镀法、离子镀法、溅射法、化学气相沉积法。本专利技术的氧化镁层的形成方法按照现有技术实施即可，只是需要添加控制氧气间歇通入的设备，所以，本专利技术可以在基本上不改变现有方法和设备结构的基础上实现，工艺成本大大降低。本专利技术第一预定厚度和/或第二预定厚度为30?50nm。本专利技术的第一预定厚度和第二预定厚度可以相同也可以不同，控制厚度在30?50nm之间，既可以发挥无氧条件下形成的氧化镁层和有氧条件下形成的氧化镁层的抵抗水分和二氧化碳的污染作用，又能保证足够的氧化镁层的交替层数，保证了介质保护膜在较低的电压下获得较高的发光效率。本专利技术介质保护膜的厚度为500?lOOOnm。根据本专利技术的制作方法得到的保护膜的厚度和现有技术的介质保护膜的厚度相差不大，从而可以广泛应用在现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗向辉，邢芳丽，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：