【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种蚀刻方法,包括(1)使含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与固体材料的表面接触的工序;和(2)对上述固体材料进行加热的工序,由此,能够不使用引起地球变暖的环境负荷高的气体类、或者反应性、毒性高且危险的氟气、氢氟酸,能够安全且简便地进行蚀刻,并且蚀刻速度提高。上述蚀刻方法还可以包括:(3)对固体材料从含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料一侧进行曝光的工序、和/或(4)将含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与该材料和固体材料之间的残渣一起除去的工序。特别是通过使加热温度达到高温实施光照射,能够形成适合用于太阳能电池用固体材料的表面的陷光和/或防反射加工的倒金字塔形状的凹部。【专利说明】
本专利技术涉及蚀刻方法。
技术介绍
作为半导体制造工序中的蚀刻方法,有干式蚀刻方法和湿式蚀刻方法。通常,干式蚀刻方法所使用的碳氟化合物类气体或NF3的地球变暖的系数高、对于环境的负荷非常大。此外,也报道了使用氟气的干式蚀刻方法(例如参照专利文献1),氟气的反应性、毒性非常高,操作困难,对于残留气体的处理也需要使碱水循环的涤气器(S ...
【技术保护点】
一种固体材料的蚀刻方法,其特征在于,包括:(1)使含有至少一种具有N?F键的有机化合物的材料与固体材料的表面接触的工序;和(2)对所述固体材料进行加热的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:森田瑞穗,打越纯一,塚本健太郎,永井隆文,足达健二,
申请(专利权)人:国立大学法人大阪大学,大金工业株式会社,
类型:
国别省市:
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