【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之
。常温下，AlSb的带隙为1.62eV，很适合作为薄膜太阳电池的吸收层，其理论转换效率高达28%以上。Al和Sb的自然资源丰富，在生产和使用过程中无毒。因此，AlSb基太阳电池具有良好的应用前景。然而，当AlSb薄膜直接暴露在空气中时，非常容易自潮解。故迄今为止，尚未见报道有光电转换效率的AlSb薄膜太阳电池。本专利技术旨在使用248nmKrF气体脉冲激光轰击计算机控制转靶的多种化合物材料及电极材料靶材，在衬底上依次沉积多层无组分偏析的晶态薄膜，当生成AlSb薄膜后随即覆盖上背接触层，遂即隔断了自潮解发生，最后沉积上背电极，制备完成AlSb基薄膜太阳电池。【专利说明】一种使用脉冲激光法制备AI Sb薄膜太阳电池的技术
本专利技术属于新型薄膜太阳能电池的制备
。
技术介绍
新型薄膜太阳电池材料与器件，已成为太阳能电池领域的重点研究对象。现有的太阳电池材料因原材料的供应、成本和毒性等问题，尚不能完全满足未来廉价的、大规模使用的需求；因此，寻求新型高效光电转换材料的工作显得尤为重要...
【技术保护点】
本专利的特征是利用脉冲激光沉积（PLD）技术，制备新型AlSb基薄膜太阳电池的新技术，包括：新型AlSb基薄膜太阳电池的结构；新型AlSb基薄膜太阳电池的PLD技术制备细节。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黎兵，王文武，武莉莉，冯良桓，曾广根，张静全，李卫，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
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