一种像素单元、显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种像素单元、显示装置及其驱动方法，涉及显示技术领域，能够在降低显示装置的结构的复杂程度和驱动难度的同时，提高其对光的利用率。所述像素单元包括至少四个子像素，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了，涉及显示
，能够在降低显示装置的结构的复杂程度和驱动难度的同时，提高其对光的利用率。所述像素单元包括至少四个子像素，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置。【专利说明】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
近年来，随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。薄膜场效应晶体管液晶显不装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。其中，TFT-1XD的基本结构包括阵列基板和彩膜基板，其间充满液晶，通过对盒工艺形成液晶盒结构，配合上外部电路和背光源，通过调整阵列基板和彩膜基板之间的电压差调控液晶盒中的液晶是否偏转来实现彩色显示。专利技术人发现，现有的彩膜基板中仅包括红色区域、绿色区域和蓝色区域，这三种颜色的区域均为方形，且紧密排布。由于三种颜色的区域均是采用色阻材料涂布在相应区域形成的，使得TFT-LCD对背光源发出的光的利用率较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供，能够提高其对光的利用率。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:`本专利技术第一方面提供了一种像素单元，所述像素单元包括至少四个子像素，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置。进一步的，所述三个多边形子像素的像素电极紧密排列。进一步的，所述三个多边形子像素的形状相同。进一步的，所述多边形子像素的形状为五边形或七边形。在本专利技术实施例技术方案中，由于该像素单元包括至少四个子像素，使得该像素单元相对于现有的像素单元而言，所包括的颜色较多，可减少背光源被滤除的光，提高对背光源发出的光的利用率；并且其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置，使得该像素单元的结构较为紧凑，有利于高分辨率显示装置的实现。本专利技术第二方面提供了一种显示装置，包括多个排布紧密的上所述的像素单元，还包括划分各像素单元的黑矩阵，其中，所述黑矩阵围绕各子像素的彩膜结构设置。进一步的，所述黑矩阵对应各子像素的像素电极的边缘设置。进一步的，所述显示装置包括阵列基板及其对盒基板，其中，所述黑矩阵位于所述阵列基板或所述对盒基板上。本专利技术的第三方面提供了一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括多个排布紧密的像素单元，所述像素单元包括至少四个子像素，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置，所述驱动方法包括:所述三个多边形子像素的像素电极共同驱动位于空隙位置的子像素。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中的像素单元的结构示意图一；图2为本专利技术实施例中的像素单元的像素电极的结构示意图；图3为本专利技术实施例中的像素单元的结构示意图二 ；图4为本专利技术实施例中的像素单元的结构示意图三。附图标记说明:I一第一子像素； 2—第二子像素； 3—第三子像素；4一第四子像素； 5—像素电极；6—TFT ；7—黑矩阵； 8—引线。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例提供一种像素单元，所述像素单元包括至少四个子像素，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置。在本专利技术实施例技术方案中，由于该像素单元包括至少四个子像素，使得该像素单元相对于现有的像素单元而言，所包括的颜色较多，可减少背光源被滤除的光，提高对背光源发出的光的利用率；并且其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置，使得该像素单元的结构较为紧凑，有利于高分辨率显示装置的实现。具体的，以像素单元包括四个子像素为例具体说明，其中，如图1所示，所述多边形子像素的形状为五边形，为方便描述，分别命名为第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3，这三个多边形子像素的颜色各不相同，例如，第一子像素I为红色区域，第二子像素2为蓝色区域，第三子像素3为绿色区域，其中，第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3共同围出了一块三角形的空隙，可将该空隙限定为一个子像素，即第四子像素4。为了提高对背光源发出的光的利用率，该第四子像素4可为黄色区域或白色区域。若第四子像素4为黄色区域，即背光源发出的光经过第四子像素时，黄光得以滤过第四子像素4并在显示时加以利用；若第四子像素4为白色区域，及背光源发出的任意颜色的任意波长的光均可透过第四子像素4，提高了显示装置的亮度。进一步的，结合图1和图2可知，第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3均对应有一个像素电极5，并且第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3的像素电极5紧密排列，即所述三个多边形子像素的像素电极5紧密排列。同时，结合图1和图2可知，第四子像素4的对应区域由三个多边形子像素的像素电极5拼成，即该第四子像素4由三个多边形子像素的像素电极5共同驱动，即所述三个多边形子像素的像素电极5共同驱动位于空隙位置的子像素。结合图1和图2可知，若是任一个多边形子像素的TFT6的漏极输出的电流改变时，都将改变对应的像素电极的电压值，进而改变该像素电极5和公共电极之间的电压差，改变该像素电极5对应区域的液晶分子的偏转程度，进而改变该多边形子像素的亮度值，因此当子像素的TFT6的漏极输出的电流改变时，还改变了第四子像素4的亮度值。则在本专利技术实施例技术方案中，由于所述三个多边形子像素的像素电极共同驱动位于空隙位置的子像素，因此，若某一多边形子像素的像素电极的电压发生改变，将导致该多边形子像素的像素电极的对应区域的液晶分子的偏转程度发生改变，进而改变该多边形子像素的亮度值，同时，还改变了位于空隙位置的像素的亮度值。则无需设置TFT2和可感应并分析亮度的芯片等即可使得位于空隙位置的子像素的亮度值与其周围的多边形子像素的亮度值一同改变，降低了 TFT-LCD的结构的复杂程度和驱动难度，同时可以保证TFT-1XD的显示画面的色彩饱和度和对比度，提高TFT-1XD对背光源发出的光的利用率。具体的，第四子像素4的大小可根据实际情况设置，以使得TFT-1XD的亮度和色彩饱和度都为最佳。需要说明的是，为了方便制作，在本专利技术实施例中，所述各多边形子像素的形状相同，除了图1所示的五边形之外，多边形子像素的形状还可为图3所示的七边形，本专利技术不对多边形子像素的形状做具体限定。出于加工工艺、美观程度、显示效果等因素的考虑，在本专利技术实施例中，优选的，各多边形子像素围城的空白区域为正多边形，即所述第四子像素4为正多边形。如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，所述像素单元包括至少四个子像素，其特征在于，其中三个子像素为多边形，另外至少一个子像素设置在三个多边形子像素围设形成的空隙位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹小斌，朴求铉，孙东领，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：