一种C/C-SiC复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种C/C-SiC复合材料的制备方法，属于C/C复合材料制备技术领域。本发明专利技术将密度为0.4-0.55g/cm3的碳毡置于浸渍剂中浸渍后在保护气氛下，进行固化处理和碳化处理，重复真空浸渍、加压浸渍、固化处理、碳化处理直至获得密度为1.2～1.3g/cm3的C/C多孔预制体后将所得预制体置于聚苯胺甲基硅烷溶液中浸渍，然后进行固化处理，重复浸渍、固化工艺2～3次后，在保护气氛下裂解，按浸渍、固化2～3次进行一次裂解的制度，重复浸渍、固化、裂解工艺直至获得密度为1.9～2.1g/cm3的C/C-SiC复合材料。本发明专利技术制备周期短、成本低、所得C/C-SiC复合材料性能优良，便于产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种C/C?SiC复合材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：步骤一将密度为0.4～0.55g/cm3的碳毡置于浸渍剂中进行第一次浸渍后，在保护气氛下，进行固化处理和碳化处理；第一次浸渍是先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍1～1.5小时，然后在2～3MPa下进行加压浸渍2～3小时；所述浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺0.6～1份、乙醇106～110份；步骤二重复进行浸渍、固化处理、碳化处理，直至获得密度为1.2～1.3g/cm3的C/C多孔预制体；重复浸渍时，所用浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺1.05～1.6份、乙醇21.2～22份；步骤三将步骤二所得C/C多孔预制体置于含有机硅的浸渍剂中进行浸渍后，在保护气氛下进行固化处理，经过2～3次浸渍、固化后，在保护气氛下进行一次裂解，重复上述操作直至获得密度为1.9～2.1g/cm3的C/C?SiC复合材料；所述含有机硅的浸渍剂由苯胺与聚甲基氢硅烷按质量比苯胺：聚甲基氢硅烷=1～2：5混合组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李效东，熊伟，钟丹，陈林涛，
申请(专利权)人：湖南中坚科技有限公司，
类型：发明
国别省市：