一种显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板、包括该显示面板的显示装置。该显示面板包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述基板划分为多个子像素区域，所述子像素区域包括透光区和不透光区，所述薄膜晶体管设置于所述不透光区内，其中，所述不透光区内还设置有像素限定层，所述透光区内设置有导电层，所述导电层的上表面与所述像素限定层的上表面位于同一平面，且所述导电层与所述薄膜晶体管的漏极电连接。本发明专利技术的有益效果是：可以采用COA模式与喷墨法结合制备该显示面板，使得像素限定层还作为喷墨法形成导电层的挡墙，导电层还兼具平坦层的功能，结构更简单，简化了工艺，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
—种显示面板、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种显示面板、包括该显示面板的显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT显示装置成为目前的主流显示装置。目前，常用的平板显示装置包括LCD(Liquid Crystal Display:液晶显示装置)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有机电致发光二极管)显示装置。其中，OLED是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，OLED显示装置正是利用OLED来实现图像显示的显示装置。尤其以白光有机发光二极管(White OLED:SPW0LED)的技术最为成熟，其稳定性好、制备工艺简单，故在显示装置中获得了广泛应用。在WOLED显示装置中，每个外界可见的最小像素点(即“可见像素”)由多个像素单元构成，每个像素单元中具有不同颜色的彩膜层(每个像素单元由红绿蓝三个子像素构成)，经过不同像素单元的光线在经过彩膜层后变为不同颜色，从而实现图像显示。通常，WOLED显示装置包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板中包括成阵列分布的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管是决定光线是否能够射出的控制部件，彩膜层是WOLED显示装置实现彩色化的关键部件。在WOLED显示装置的制备中，一般是将彩膜基板和阵列基板分别制造出来，然后再将彩膜基板与阵列基板对合封装起来。为保证显示面板的正常工作，阵列基板和彩膜基板的对位压盒精度要求很高。随着显示技术的进步，目前，在WOLED显示装置中出现了将彩膜层设在阵列基板上(Color Filter on Array,简称C0A)以实现彩色显示的显示面板的模式。即，将薄膜晶体管阵列和彩膜层制备到同一基板上，并将彩膜层设置在相对薄膜晶体管阵列的上方。如图1所示为采用构图工艺在基板上形成WOLED COA的结构，其在彩膜层完成后在其上涂覆平坦保护层，然后再形成WOLED器件。具体的，在已经形成了薄膜晶体管(主要包括栅极21、栅绝缘层22、有源层23、同层设置的源极24和漏极25)后的阵列基板上，采用构图工艺(包括涂布、曝光、显影等多个步骤)在薄膜晶体管的上方形成钝化层3 (Passivation,简称PVX),接着在钝化层3的上方形成黑矩阵4、彩膜层5 ;然后在彩膜层5上方形成树脂层IO(Resin),再在树脂层10的上方形成与漏极相连的金属阳极11，然后进一步制备像素限定层7(PixelDefine Layer,简称F1DL)以及涂覆发光层6 (Emitting Layer:简称EL),最后派射形成金属阴极12，并封装形成WOLED显示装置。其中，树脂层10有利于提高显示面板的开口率，使得有效像素面积增大；同时也减少了逻辑功耗，极大地降低了产品功耗，提高了产品的性倉泛。采用这种显示面板的结构，可以省去单独的彩膜基板的制造，不需要考虑彩膜基板与阵列基板的对位压盒精度；而且制成的显示面板具有较好的稳定性，可以较好的实现OLED显示装置的大尺寸化，所以成为目前较常采用的WOLED显示装置全彩实现方法。但是，这种显示面板结构复杂，制备工艺较多，且需要薄膜晶体管阵列和彩膜层的高精度匹配，因此难以取得较高的产品良率；并且，在采用ITO (IndiumTin Oxide，氧化铟锡)制备阳极的过程中，因ITO沉积在彩膜层的上方，由于彩膜层的厚度较大，形成的段差较大，而ITO—般厚度较小，因此难以沉积而容易发生ITO断线和不良，不仅造成这种结构的WOLED显示装置成本高,还进一步降低了产品良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种显示面板、包括该显示面板的显示装置，该显示面板的结构更简单，简化了工艺，降低了成本。—种显示面板，包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述基板划分为多个子像素区域，所述子像素区域包括透光区和不透光区，所述薄膜晶体管设置于所述不透光区内，其中，所述不透光区内还设置有像素限定层，所述透光区内设置有导电层，所述导电层的上表面与所述像素限定层的上表面位于同一平面，且所述导电层与所述薄膜晶体管的漏极电连接。优选的是，所述导电层的光透过率大于等于95%，所述导电层的面电阻范围为45-90 Ω/sq。优选的是，所述导电层由导电树脂形成，所述导电树脂包括树脂以及均匀分布于所述树脂中的导电粒子、光引发剂、单体、分散剂、表面活性剂，所述导电粒子包括纳米级掺锑SnO2、纳米级ITO或均匀分散的纳米银溶液。优选的是，所述像素限定层采用构图工艺形成在所述不透光区，所述导电层采用喷墨法形成在所述透光区。优选的是，在所述子像素区域内，所述薄膜晶体管的上方、所述导电层和所述像素限定层的下方还设置有彩膜层，所述彩膜层对应着所述漏极的区域开设有第一过孔，所述导电层通过所述第一过孔与所述漏极电连接。优选的是，在所述子像素区域内，所述薄膜晶体管的上方、所述彩膜层的下方还设置有钝化层，所述钝化层中对应着所述漏极的区域开设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔在孔轴方向上重合，所述导电层还通过所述第二过孔与所述漏极电连接。优选的是，所述钝化层上方、所述彩膜层的下方还设置有黑矩阵，所述黑矩阵分别与所述薄膜晶体管的源极和漏极在正投影方向上至少部分重叠。优选的是，在所述子像素区域内，以所述导电层为一个电极，在所述导电层的上方还设置有发光层，并在所述发光层的上方设置有另一电极。优选的是，所述钝化层、所述黑矩阵、所述彩膜层通过构图工艺形成。一种显示装置，包括显示面板与所述显示面板电连接的驱动电路，其中，所述显示面板采用上述的显示面板。本专利技术的有益效果是:本专利技术提供了一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置。该显示面板采用COA模式与喷墨法结合制备形成，在彩膜层的上方，直接经曝光、显影即可形成像素限定层，并在像素限定层限定的区域内采用喷墨法形成导电层。该像素限定层除了限定WOLED器件的发光区和不发光区外，同时还作为喷墨法形成导电层的挡墙；而导电层除了代替ITO作为WOLED器件的阳极，同时还兼具平坦层的功能。相比现有技术，该显示面板的结构更简单，而且还相应减少了现有技术中显示面板中形成平坦层以及单独形成像素限定层的步骤，减少了采用ITO形成阳极所必须的溅射工艺，简化了工艺，降低了成本。【附图说明】图1为现有技术中显示面板的剖视图；图2为本专利技术实施例1中显示面板的剖视图。图3A-3G为图2中显示面板形成过程的剖视图；其中:图3A为在基板上方形成薄膜晶体管；图3B为在薄膜晶体管上方形成包括钝化层的图形的剖视图；图3C为在钝化层上方形成包括黑矩阵的图形的剖视图；图3D为在黑矩阵上方形成包括彩膜层的图形的剖视图；图3E为在彩膜层上方形成包括像素限定层的图形的剖视图；图3F为采用喷墨法在图3E的像素限定层限定的区域内形成包括导电层的图形的首丨J视图;图3G为在像素限定层和导电层的上方依次形成WOLED的发光层和阴极的剖视图；图中:1-基板；21-栅极；22-栅绝缘层；23-有源层；24-源极；25-漏极；3_纯化层；31_第二过孔；4_黑矩阵；5_彩膜层；51_第一过孔；6_发光层；7_像素限定层；8-导电层；10_树脂层；11-阳极；12_阴极；14_喷头。【具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述基板划分为多个子像素区域，所述子像素区域包括透光区和不透光区，所述薄膜晶体管设置于所述不透光区内，其特征在于，所述不透光区内还设置有像素限定层，所述透光区内设置有导电层，所述导电层的上表面与所述像素限定层的上表面位于同一平面，且所述导电层与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述基板划分为多个子像素区域，所述子像素区域包括透光区和不透光区，所述薄膜晶体管设置于所述不透光区内，其特征在于，所述不透光区内还设置有像素限定层，所述透光区内设置有导电层，所述导电层的上表面与所述像素限定层的上表面位于同一平面，且所述导电层与所述薄膜晶体管的漏极电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层的光透过率大于等于95%，所述导电层的面电阻范围为45-90 Ω/sq。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电层由导电树脂形成，所述导电树脂包括树脂以及均匀分布于所述树脂中的导电粒子、光引发剂、单体、分散剂、表面活性剂，所述导电粒子包括纳米级掺锑SnO2、纳米级ITO或均匀分散的纳米银溶液。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层采用构图工艺形成在所述不透光区，所述导电层采用喷墨法形成在所述透光区。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述子像素区域内，所述薄膜晶体管的上方、所述导电层和所述像素限...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐永莲，舒适，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11