有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。该有源矩阵有机发光二极管面板包括：第一导电层；栅极绝缘层，形成于第一导电层的上方；氧化物半导体层，具有预设图案；蚀刻阻止层；以及第二导电层。其中，氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。相比于现有技术，本发明专利技术可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，因此有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形，提升了产品制程的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示面板，尤其涉及一种。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AM0LED)两种。其中，PMOLED是当数据未写入时并不发光，只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计，主要适用于中小尺寸的显示器。AMOLED与PMOLED最大的差异是在于，每一像素都有一电容存储数据，让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PM0LED，加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器，使得AMOLED成为未来发展的主要方向。在现有技术中，针对下栅极(Bottom Gate)晶体管结构组件，为增加栅极开启时可以导通最大的电流量，栅极与上层的源极/漏极往往会设计为部分重叠。但是，该重叠区域存在的风险是在于，一旦处在下层栅极与上层源极/漏极间的夹层栅极绝缘层(GateInsulator，GI)出现破损，栅极端将有非常高的机率会与源极/漏极发生短路现象，而这种情形也是目前蚀刻阻止型氧化物半导体(诸如IGZ0)组件合格率偏低的最大主因，其产量损失大约为50%?90%。具体地，IGZO氧化物半导体层为组件的载子传输层，位于下层栅极与上层源极/漏极之间，在IGZO蚀刻制程后，于下层栅极边缘处十分容易发生侧向蚀刻现象进而产生裂缝，随后，蚀刻阻止层的干蚀刻制程将透过上述产生的裂缝侵蚀栅极绝缘层，造成下层栅极外露，出现栅极与源极/漏极间的短路情形。此外，在栅极线和数据线彼此相交的区域上，栅极绝缘层在栅极线的上面部分沉积得比栅极线的侧表面更薄，由此产生台阶部分，导致在栅极线的侧表面发生缺陷，诸如栅极线与数据线之间的短路。有鉴于此，如何设计一种有源矩阵有机发光二极管面板，以改善或消除现有技术中的上述缺陷，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的有源矩阵有机发光二极管面板存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种新颖的、可有效防止栅极与源极/漏极之间出现短路情形的。依据本专利技术的一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括:—第一导电层，具有一栅极图案；一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方；一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案；一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区，其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。在其中的一实施例中，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，当所述氧化物半导体层被蚀刻时，于其侧向形成一侧蚀裂缝，所述侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。在其中的一实施例中，所述侧蚀裂缝的长度小于9微米。在其中的一实施例中，该氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。依据本专利技术的另一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，该制造方法包括以下步骤:形成一第一导电层，该第一导电层具有一栅极图案；形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方；形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案；形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。在其中的一实施例中，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成一侧蚀裂缝，该侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。依据本专利技术的又一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，该有源矩阵有机发光二极管面板还包括:一第一导电层，具有一栅极图案；一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方；—氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案；一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区，其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。[0031 ] 在其中的一实施例中，所述尖端部的夹角小于90度。在其中的一实施例中，该氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。依据本专利技术的再一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，该制造方法包括以下步骤:形成一第一导电层,该第一导电层具有一栅极图案；形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方；形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案；形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。在其中的一实施例中，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成所述侧蚀裂缝。采用本专利技术的，依次形成第一导电层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻止层以及第二导电层，该第一导电层具有一栅极图案，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对该蚀刻阻止层进行处理，以定义出薄膜晶体管的源极区和漏极区，该氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域为长方形图案并且与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。此外，本专利技术还可改善第一导电层上的栅极图案的形状，使其转角位置具有小于90度的尖端部，通过每一尖端部阻挡氧化物半导体层的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸，同样也可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。相比于现有技术，本专利技术可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使得氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可以避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，如此一来，蚀刻阻止层的干蚀刻制程并不会透过上述侧蚀裂缝侵蚀栅极绝缘层而导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括：一第一导电层，具有一栅极图案；一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方；一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案；一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区，其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括: 一第一导电层，具有一栅极图案； 一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方； 一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案； 一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区， 其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，当所述氧化物半导体层被蚀刻时，于其侧向形成一侧蚀裂缝，所述侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述侧蚀裂缝的长度小于9微米。4.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 形成一第一导电层，该第 一导电层具有一栅极图案； 形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方； 形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案； 形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及 形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案， 其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。5.根据权利要求4所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：林冠宇，张凡伟，李仁佑，丁宏哲，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：