【技术实现步骤摘要】
—种高可靠性的静电防护电路
本专利技术涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种高可靠性的静电防护电路。
技术介绍
静电是一种处于静止状态的电荷，当电荷聚集在某个物体上或表面时就形成了静电，而静电也分为正静电和负静电。在干燥和多风的冬季，最易产生静电。在对静电进行泄放时，在电子设备领域，由于电子设备内部有集成电路，其集成电路内有太多的电子元器件。人在地毯沙发上的静电电压可高达一万多伏，其对电子设备的破坏力极强。尤其对于手持设备，经常与人接触的电子设备。在电子设备上一般都会连接静电泄放电路，其利用接地来对静电进行泄放，其对静电的泄放不完全。
技术实现思路
本专利技术提供一种高可靠性的静电防护电路，其采用两级静电泄放，可对静电进行有效泄放，其可靠性高。为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案:一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOSl和场效应管M0S2,所述的场效应管MOSl的源极连接在场效应管M0S2的源极上，所述的场效应管MOSl的栅极和源极之间连接有电容Cl，所述的场效应管MOSl的栅极和漏极之间连接有电阻Rl，所述的场效应管M0S2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管M0S2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOSl的栅极连接在三极管Tl的集电极上，所述的三极管Tl的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管Tl的发射极接地，所述的场效应管MOSl的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T...
【技术保护点】
一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于：它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管T1为NPN型三极管。
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于:它包括场效应管MOSl和场效应管M0S2，所述的场效应管MOSl的源极连接在场效应管M0S2的源极上，所述的场效应管MOSl的栅极和源极之间连接有电容Cl，所述的场效应管MOSl的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管M0S2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管M0S2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOSl的栅极连接在三极管Tl的集电极上，所述的三极管Tl的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管Tl的发射极接地，所述的场效应管MOSl的源极通过电阻R3同...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄友华，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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