一种晶体位错腐蚀检测方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体位错腐蚀检测方法，属于缺陷腐蚀检测技术领域，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，属于缺陷腐蚀检测
，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。【专利说明】
本专利技术属于缺陷腐蚀检测
，具体涉及。
技术介绍
晶体材料的位错是晶体材料完整性的重要指标，从可靠性要求的角度来看，希望晶体为完美的、无任何缺陷的晶体。但是，就目前的技术水平而言，并不能达到这样的状态，只能尽量降低晶体材料本身的缺陷。目前常用的表征晶体材料完整性的标准有《GB/T5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》、《GB/T1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》、《GB/T11297.6-1989锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》等一系列位错测试方法。《GB/T5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》标准的腐蚀方法主要为:步骤1，用热的抛光液抛光至镜面。步骤2，对于(100)锗晶面采用腐蚀液腐蚀IOmin ;对于(113)锗晶面采用腐蚀液腐蚀IOmin0步骤3，用热水将吸附在晶面上的化学药品充分洗净。步骤4，根据如图5所示确定观测点。步骤5，使用金相显微镜观察观测点位错，并计算出样品的位错密度。《GB/T1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》标准的腐蚀方法主要为:步骤1，将硅单晶用抛光液或机械方式抛光至镜面，且无划道、无浅坑、无氧化，并充分清洗。步骤2，对于抛光好的(111)硅晶面采用sirtl腐蚀液腐蚀IOmin~15min ;对于抛光好的(100)或(110)娃晶面采用Schimmel腐蚀液腐蚀IOmin~15min。步骤3，用水将晶面充分洗净。步骤4，在两条与主参考面不相交的相互垂直的直径上取9点(B卩，边缘4点，R/2处4点，中心I点)为观测点。步骤5，使用金相显微镜观察观测点位错，并计算出样品的位错密度。《GB/T11297.6-1989锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》标准的腐蚀方法主要为:步骤1，用ΙΟμ--金相砂纸或粒度不大于ΙΟμ--的金相砂将(111)锑化铟研磨，经清洗后表面无肉眼可见的划痕。步骤2，对于(111)锑化铟晶面采用腐蚀液腐蚀5s~10s。步骤4，根据如图5所示确定观测点。步骤5，使用金相显微镜观察观测点位错，并计算出样品的位错密度。按照标准中所提供的腐蚀液和腐蚀方法，均为全样品腐蚀，且腐蚀后确定观察点。由于很难控制腐蚀液温度，腐蚀效果差，导致不同人操作结果差异很大，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量都较大。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是:如何实现位错测试中温度的有效控制，同时减少晶体及腐蚀液的消耗。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供:1.，其特征在于，包括以下步骤:步骤S1:按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6 μ m ;步骤S2:在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤S3:将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤S4:将样品放入抛光液中进行抛光或将抛光液滴到样品观测点上进行抛光；步骤S5:用去离子水将抛光后的样品清洗干净；步骤S6:对样品待测面进行观测，涂覆层残缺不全或涂覆层不抗腐蚀液的，对涂覆层进行修补或重新涂覆；步骤S7:将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤S8:用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤S9:对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。2.，其特征在于，包括以下步骤:步骤Xl:按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6 μ m ;步骤X2:将样品放入抛光液中进行抛光或采用机械方式抛光；步骤X3:用去离子水将抛光后的样品清洗干净；步骤X4:在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤X5:将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤X6:将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤X7:用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤X8:对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。3.，其特征在于，包括以下步骤:步骤Yl:按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6 μ m ;步骤Y2:在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤Y3:将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤Y4:将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤Y5:用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤Y6:对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。4.，其特征在于，包括以下步骤:步骤Zl:按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6 μ m ;步骤Z2:在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤Z3:将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤TA:将样品放入抛光液中进行抛光或将抛光液滴到样品观测点上进行抛光；步骤Z5:用去离子水将抛光后的样品清洗干净；步骤Z6:将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤Z7:用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤Z8:对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。以上的所述的晶体位错腐蚀检测方法,位错密度通过公式【权利要求】1.，其特征在于，包括以下步骤: 步骤S1:按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6 μ m ; 步骤S2:在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识； 步骤S3:将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡； 步骤S4:将样品放入抛光液中进行抛光或将抛光液滴到样品观测点上进行抛光； 步骤S5:用去离子水将抛光后的样品清洗干净； 步骤S6:对样品待测面进行观测，涂覆层残缺不全或涂覆层不抗腐蚀液的，对涂覆层进行修补或重新涂覆； 步骤S7:将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀； 步骤S8:用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净； 步骤S9:对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。2.，其特征在于，包括以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体位错腐蚀检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6μm；步骤S2：在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤S3：将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤S4：将样品放入抛光液中进行抛光或将抛光液滴到样品观测点上进行抛光；步骤S5：用去离子水将抛光后的样品清洗干净；步骤S6：对样品待测面进行观测，涂覆层残缺不全或涂覆层不抗腐蚀液的，对涂覆层进行修补或重新涂覆；步骤S7：将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤S8：用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤S9：对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵逸群，木锐，程海娟，朱俊，李茂忠，姜杰，贾钰超，朱智勇，罗永芳，王培钰，褚祝军，
申请(专利权)人：云南北方驰宏光电有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53