微凸块结构的制造方法技术

本揭露涉及一种微凸块(micro bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本揭露涉及一种微凸块(micro?bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值。【专利说明】
本专利技术系关于一种，特别是关于一种使用一般尺寸锡球即可形成之微凸块结构之制造方法。
技术介绍
电子装置结合许多不同的电子元件和电连接器以执行预先决定的功能。锡球是电子装置中广泛使用的导电元件。近年来由于可携式产品的潮流，电子装置面临体积上的大幅减少。因此，安装于电子装置中的电子元件和导电元件必须制造出更小的体积以符合小型电子装置的需求。因此为了缩小导电元件，一般都适用价格较高的微凸块来形成微凸块结构。是故，产业界对于价格适中的微凸块结构制造方法仍有一定需求。
技术实现思路
本揭露内容的一个目的系提供一成本便宜的微凸块结构制造方法，此方法可利用原尺寸锡球制作成微凸块结构。为达上述目的，本揭露内容提供一种，包含提供一基板的步骤；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球的步骤；设置一缓冲层于该基板上的步骤；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合的步骤；以及研磨该锡球使其高度达到一预定值的步骤，以供完成微凸块结构。本揭露内容亦提供另一种，包含提供一基板的步骤；形成一球下冶金层于该基板中，该球下冶金层供容置一锡球的步骤；提供一离型层的步骤；设置一锡球于该离型层上的步骤；研磨该锡球使该锡球高度达到一预定值的步骤；接合具有该预定值之该锡球于该球下冶金层的步骤；以及去除该离型层的步骤，以供完成微凸块结构。上文已相当广泛地概述本揭露内容的技术特征，俾使下文之本揭露详细描述得以获得较佳了解。构成本揭露内容的申请专利范围标的的其他技术特征将描述于下文。本揭露内容所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示之概念与特定实施例可作为修改或设计其他结构或制程而实现与本揭露内容相同之目的。本揭露内容所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附之申请专利范围所界定的本揭露内容的精神和范围。【专利附图】【附图说明】图1显示为本揭露内容一实施例之之步骤流程图；图2显不为本揭露内容一实施例之提供基板之不意图；图3显示为本揭露内容一实施例之形成球下冶金层于基板之示意图；图4显示为本揭露内容一实施例之设置缓冲层于基板之球下冶金层上之示意图；图5显示为本揭露内容一实施例之经由曝光显影方式移除部分缓冲层之示意图；图6显示为本揭露内容一实施例之置放锡球于球下冶金层上并与其接合之示意图；图7显示为本揭露内容一实施例之研磨锡球使其高度达到一预定值之示意图；图8显示为本揭露内容一实施例之回焊步骤加热研磨后的锡球之示意图；图9显示为本揭露内容一实施例之自基板剥离缓冲层进而完成微凸块结构之示意图；图10显示为本揭露内容另一实施例之将锡球设置于球下冶金层上并与其接合之示意图；图11显示为本揭露内容另一实施例之将缓冲层设置于基板之锡球上并覆盖锡球之不意图；图12显示为本揭露内容另一实施例之之步骤流程图；图13显示为本揭露 内容又一实施例之提供离型层之示意图；图14显示为本揭露内容又一实施例之设置锡球于离型层上之示意图；图15显示为本揭露内容又一实施例之研磨锡球，进而使锡球高度达到一预定值之不意图；图16显示为本揭露内容又一实施例之自该基层剥离该缓冲层之示意图；图17显示为本揭露内容又一实施例之接合具有预定值高度之锡球于球下冶金层之不意图；图18显示为本揭露内容又一实施例之去除离型层之示意图；以及图19显示为本揭露内容再一实施例之微凸块结构之示意图。【主要元件符号说明】10 基板110 晶圆层120 氮化物层12 球下冶金层14 缓冲层20 锡球21 微凸块结构30 离型层31 基层33 缓冲层40 铜柱【具体实施方式】本专利技术在此所探讨的方向为。为了能彻底地了 5解本专利技术，将在下列的描述中提出详尽的步骤及结构。显然地，本专利技术的施行并未限定于相关领域之技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的结构或步骤并未描述于细节中，以避免造成本专利技术不必要之限制。本专利技术的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本专利技术还可以广泛地施行在其他实施例中，且本专利技术的范围不受限定，其以之后的申请专利范围为准。在下文中本揭露的实施例系配合所附图式以阐述细节。说明书所提及的「实施例」、「此实施例」、「其他实施例」等等，意指包含在本专利技术之该实施例所述有关之特殊特性、构造、或特征。说明书中各处出现之「在此实施例中」的片语，并不必然全部指相同的实施例。此外，本专利技术之申请专利范围及专利技术说明描述的元件若无特别标示其数量时则为单数。若标示元件的量词为一时，则量词包含一单位或至少一单位。若标示元件的量词为复数个时，贝1J量词包含两个以上的单位。若标示元件的量词未显示时，贝1J量词包含一单位或两个以上的单位。如图1所示，包含步骤1010提供一基板；步骤1020形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；步骤1030设置一缓冲层于该基板上；步骤1040置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及步骤1050研磨该锡球使其高度达到一预定值。上述步骤的数字并不必然为各步骤的顺序，如步骤1040亦可先于步骤1030执行。图1所示之步骤流程图配合图2至图9所示各步骤结构的描述如下。在步骤1010中，提供如图2所示之基板10。基板10包含复数层结构层(例如晶圆层110及氮化物层120)，可为晶圆或晶片等。在步骤1020中，如图3所示，形成一球下冶金层12于该基板10上以供容置锡球(图未示)。在步骤1030中，如图4所示，设置一缓冲层14于该基板10之球下冶金层12上，因此缓冲层14完全覆盖该球下冶金层12。由于球下冶金层12系用于容置锡球(图未示)，因此覆盖球下冶金层12的缓冲层14需被移除。此外，本揭露内容之另包含步骤以供曝光显影或加入蚀刻缓冲层14而去除部分缓冲层14，如图5所示。此外，在其他实施例中，缓冲层14设置步骤亦可将缓冲层14设置于基板10，同时缓冲层14并不覆盖球下冶金层12，而如图5所示。换言之，缓冲层14亦可设置于供锡球接合之球下冶金层12周围。在此实施例中，缓冲层14的材质可选自负型光阻、正型光阻、液态光阻及干膜(Dry Film)，因此缓冲层14经由曝光显影后，缓冲层14则暴露球下冶金层12。缓冲层14厚度范围介于锡球20高度的1/2至1/3之间。在步骤1040中，如图6所示，置放一锡球20于该球下冶金层12上并与其接合。在步骤1050中，如图7所示，研磨该锡球20使其高度达到一预定值(小于原本高度)。如图8所示，本揭露内容的另包含一回焊步骤，其加热研磨后的锡球20，进而使锡球20形成微凸块结构，经由回焊步骤加热后的锡球20高度小于或等于研磨前锡球20高度的一半。参照图8及图9所示，本揭露内容的另包含一步骤，此步骤自基板10移除(如剥离)缓冲层14进而完成微凸块结构21。本揭露的之另一实施例中，当步骤1010及1020执行后，先执行步骤1040而将锡球20设置于球下冶金层12上并与其接合，如图10所示。在步骤1030中，如图11所示，将缓冲层14设置于基板10的锡球20上并覆盖锡球20。在此实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微凸块结构的制造方法，包含：提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及研磨该锡球使其高度达到一预定值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖宗仁，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71