【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】在一个总的方面中，一种设备能包括半导体衬底和第一导电熔断母线，该第一导电熔断母线具有三角形形状部分，该第一导电熔断母线具有沿着基本上平行于半导体衬底的表面的平面排列的底表面。该设备能包括第二导电熔断母线和多个熔断连接件，该第二导电熔断母线具有沿着该平面排列的底表面，多个熔断连接件耦接于第一导电熔断母线的三角形形状部分与第二导电熔断母线之间。【专利说明】不平衡并联电路保护熔断装置
本说明书涉及一种不平衡并联电路保护熔断装置(protection fuse device,熔断器装置)。
技术介绍
各种半导体部件可以使用熔断装置保护不受不良的电力条件(例如，过电流条件)损害。一些实施例中，可能由电源产生不良的电力条件，其可能包括电压尖峰(与电源噪声有关)和/或电流尖峰(由下游过电流事件(比如短路)产生)。可以被熔断装置保护的下游部件能够包括可能被在由电源产生的电流和/或电压上的相对快速的增大以不期望的方式(例如，以灾难性的方式)损坏的电子部件(例如，传感器、晶体管、微处理器、专用集成电路(ASIC)、分立部件、电路板)。一些已知的熔断装置当封装时可能...
【技术保护点】
一种设备，包括：半导体衬底；导电熔断层，所述导电熔断层具有沿着基本上平行于所述半导体衬底的表面的平面排列的底表面并且具有这样的区域：所述区域沿着边缘从所述区域的第一部分处的第一宽度渐缩到所述区域的第二部分处的第二宽度；第一熔断连接件，所述第一熔断连接件沿着所述平面排列并且在所述区域的所述第一部分处耦接到所述区域的所述边缘；以及第二熔断连接件，所述第二熔断连接件沿着所述平面排列并且在所述区域的所述第二部分处耦接到所述区域的所述边缘。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·R·纽伯里，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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