【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种使用等离子体的基板处理装置。该基板处理装置包括其内具有处理空间的室、设置在该室中以支撑该基板的支撑构件、将气体供应到该室中的气体供应单元、以及设置在该室上部的等离子体源，该等离子体源包括从供应到该室中的气体产生等离子体的天线，其中，该室包括具有开口的顶面的壳体，该壳体内具有处理空间，以及覆盖该壳体的开口的顶面的电介质组件，并且其中该电介质组件包括电介质窗口和具有比电介质窗口的强度更大的强度的加强膜。【专利说明】用于处理基板的装置
本文中公开的本专利技术涉及一种用于处理基板的装置，并且更具体而言涉及一种使用等离子体的基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体器件,执行例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺、清洗工艺等多种工艺以在基板上形成期望的图案。在这些工艺中，蚀刻工艺移除了从形成于基板上的层中所选的区域。蚀刻工艺可以包括湿法(wet)蚀刻工艺和干法(dry)蚀刻工艺。在这些中，使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻工艺。通常，为了生成等离子体，在室的内部空间中引起电磁场，并且该电磁场将室中提供的处理气体激发...
【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：其内具有处理空间的室；设置在所述室中用以支撑所述基板的支撑构件；将气体供应到所述室中的气体供应单元；以及设置在所述室上部的等离子体源，所述等离子体源包括从供应到所述室中的所述气体产生等离子体的天线；其中，所述室包括：具有开口的顶面的壳体，所述壳体内具有处理空间；以及覆盖了所述壳体的开口的顶面的电介质材料组件，并且其中所述电介质材料组件包括电介质材料窗口和具有比所述电介质材料窗口的强度更大的强度的加强膜。
【技术特征摘要】
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