半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体部，其包括位于其一侧的第一布线层；第二半导体部，其包括位于其一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及导电材料件，其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。本发明专利技术能够提供诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置本申请是申请日为2010年12月17日、专利技术名称为“半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置”的申请号为2010l0593726.2专利申请的分案申请。
本专利技术涉及诸如固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包含该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。
技术介绍
固体摄像器件包括以诸如互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)等MOS型图像传感器为范例的放大型固体摄像器件。另外，固体摄像器件还包括以电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，CCD)图像传感器为范例的电荷转移型固体摄像器件。这些固体摄像器件广泛地应用于数码相机、数码摄像机等中。近年来，由于低电源电压、低功耗等优点，MOS图像传感器已经普遍地用作固体摄像器件而被安装于诸如带有照相机的便携电话或个人数字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)等移动装置中。MOS固体摄像器件包括像素阵列(像素区域)和周边电路区域，在所述像素阵列中以二维阵列形式布置有多个单位像素，这些单位像素的每一者都包括用作光电转换单元的光电二极管和多个像素晶体管。该多个像素晶体管被形成为MOS晶体管。且该多个像素晶体管可以包括三个晶体管，即传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管，或者可以包括四个晶体管，即还包括选择晶体管。在过去，人们提出了各种MOS固体摄像器件，在这些MOS固体摄像器件中，其中形成有排列了多个像素的像素阵列的半导体芯片与其中形成有用于进行信号处理的逻辑电路的半导体芯片彼此电连接从而形成一个器件。日本专利申请公开公报特开第2006-49361号公开了一种半导体模块，在该半导体模块中，每个像素单元中的包括有微焊盘(micropad)的背面照射型图像传感器芯片与包括有信号处理电路和微焊盘的信号处理芯片通过微凸块(microbump)相互连接。国际申请WO2006/129762公开了一种半导体图像传感器模块，在该模块中，堆叠有包括图像传感器的第一半导体芯片、包括模拟/数字转换器阵列的第二半导体芯片和包括存储元件阵列的第三半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片通过作为导电性连接导体的凸块而彼此连接起来。第二半导体芯片和第三半导体芯片利用贯穿第二半导体芯片的贯通接触件而彼此连接起来。如日本专利申请公开公报特开第2006-49361号中所披露的那样，曾提出了将诸如图像传感器芯片和用于进行信号处理的逻辑电路等不同类型的电路芯片组合起来的各种技术。在相关技术的各类技术中，是通过形成贯通连接孔或者通过凸块来使处于几乎已完成状态的功能芯片相互连接。本申请的专利技术人已意识到结合起来的半导体芯片部所带来的问题：对接地电容(pairgroundcapacitance)和相邻耦合电容会作为寄生电容而出现。对接地电容是在布线与例如具有地电位的半导体基板之间出现的寄生电容。相邻耦合电容是在相邻的铺设布线之间或在相邻的导体之间的寄生电容。虽然当电源增强时或者当设有允许电流流过的缓冲电路时可以消除计数器接地电容，但由于相邻线路之间存在干扰，因而可能无法消除相邻耦合电容。关于寄生电容的这一问题也可能会发生在如下的半导体器件中：在该半导体器件中，各自包括有半导体集成电路的半导体芯片部相互结合，并且各个半导体芯片部都是通过连接导体和贯通连接导体来予以连接。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的是期望提供一种诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件，以及用于制造该半导体器件的方法。本专利技术的另一个目的是期望提供一种包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。本专利技术的一个实施方式提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体部，其包括位于其一侧的第一布线层；第二半导体部，其包括位于其一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及导电材料件，其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且所述第一布线层与所述第二布线层借助于所述导电材料件而实现电连通。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过等离子体结合方式而被固定在一起。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过粘合剂而被固定在一起。在本专利技术另一实施方式中，所述半导体器件包括位于像素阵列区域与移除区域之间的控制区域。在本专利技术另一实施方式中，所述导电材料件被形成在所述半导体器件的所述移除区域中。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部的位于所述移除区域中的一部分被移除。在本专利技术另一实施方式中，所述半导体器件还包括遮光膜，所述遮光膜形成在所述半导体器件的所述控制区域中的所述第一半导体部上方。本专利技术的一个实施方式提供了一种半导体器件制造方法，该制造方法包括如下步骤：形成第一半导体部，所述第一半导体部包括位于其一侧的第一布线层；形成第二半导体部，所述第二半导体部包括位于其一侧的第二布线层；以所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对的方式，将所述第一半导体部和所述第二半导体部相结合；并且设置导电材料件，所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。在本专利技术另一实施方式中，通过等离子体结合方式将所述第一半导体部和所述第二半导体部固定在一起。在本专利技术另一实施方式中，通过粘合剂将所述第一半导体部和所述第二半导体部固定在一起。在本专利技术另一个实施方式中，所述半导体器件包括位于像素阵列区域与移除区域之间的控制区域。在本专利技术另一实施方式中，所述导电材料件是形成在所述半导体器件的所述移除区域中。在本专利技术另一实施方式中，将所述第一半导体部的位于所述移除区域中的一部分移除。在本专利技术另一实施方式中，所述方法包括在所述半导体器件的所述控制区域中的所述第一半导体部上方形成遮光膜的步骤。本专利技术的一个实施方式提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体部，其包括位于其一侧的第一布线层和位于与所述第一布线层侧相反的侧的器件层；第二半导体部，其包括位于其一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；第一导电材料件，其穿过所述第一半导体部的所述器件层而延伸至所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点；以及第二导电材料件，其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点，使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过等离子体结合而被固定在一起。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过粘合剂而被固定在一起。在本专利技术另一实施方式中，所述半导体器件包括位于像素阵列区域与移除区域之间的控制区域。在本专利技术另一实施方式中，所述第一导电材料件和所述第二导电材料件被形成在所述半导体器件的所述移除区域中。在本专利技术另一实施方式中，所述第一半导体部的位于所述移除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：第一半导体部，所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层；第二半导体部，所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及导电材料件，所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。

【技术特征摘要】
2009.12.25 JP 2009-2946981.一种半导体器件，其包括：第一半导体部，所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的至少一个第一布线层和位于所述第一布线层的相反侧的器件层；第二半导体部，所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的至少一个第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起；多个第一导电材料件，所述多个第一导电材料件穿过所述第一半导体部的所述器件层而延伸至所述第一半导体部的所述第一布线层中的第一连接点；及多个第二导电材料件，所述多个第二导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层中的第二连接点，其中，所述第一连接点和所述第二连接点沿第一方向交替地布置在所述第一半导体部上，且所述第一连接点和所述第二连接点沿第二方向交替地布置在所述第一半导体部上，所述第二方向与所述第一方向彼此正交，其中，所述第一导电材料件和所述第二导电材料件电连接，所述第一连接点和所述第二连接点分别连接到对应于垂直信号线的布线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层一侧与所述第二半导体部的所述第二布线层一侧彼此面对。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而被固定在一起。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过粘合剂而被...

【专利技术属性】
技术研发人员：糸长总一郎，堀池真知子，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：