螺芴衍生物,发光元件用材料,发光元件,发光设备和电子设备制造技术

本发明专利技术的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明专利技术提供由通式1表示的螺芴衍生物。（在该通式中，R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。）

【技术实现步骤摘要】
螺芴衍生物，发光元件用材料，发光元件，发光设备和电子设备本申请为申请号为200680035328.0、申请日为2006年9月22日、专利技术名称为“螺芴衍生物，发光元件用材料，发光元件，发光设备和电子设备”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及新型材料。具体来说，本专利技术涉及理想用于发光元件的材料，在该发光元件中，有机化合物用于至少一个部件。此外，本专利技术涉及包括所述材料的发光元件，发光设备和电子设备。
技术介绍
已经开发了使用发光元件的发光设备，该发光元件包括在一对电极之间的含有机材料的层并且当电流在该电极之间流动时发光。与现在称作薄显示设备的其它显示设备相t匕，此种发光设备的优点是薄且轻。此种设备还具有高的可见度，原因在于它是自发光元件，并且具有快的响应速度。因此，已经积极地开发这种发光设备作为下一代显示设备，并且已经部分地投入实际使用。在电极之间提供的含有机化合物的层可以具有包括一个发光层的单层结构或包括彼此具有不同功能的层的层状结构，然而，通常使用后一种(功能独立型层状结构)。作为功能独立型层状结构的一个实例，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层顺序地堆叠在充当阳极的电极上的结构是典型的，并且每个层是使用对每种功能特异的材料形成的。应指出，可以使用具有这些作用中两种或更多种的层，如既发挥发光层作用又发挥电子传输层作用的层或具有另一种作用的层如载流子阻挡层。用于这些功能层的材料要求是对每个层发挥的作用特异性的材料并且要求具有高的耐热性，原因在于该材料的耐热性本身极大地影响发光元件的耐热性。当形成层状结构时，还要求该材料是不会不利地影响另一个层的材料，并且已经进行研究以找到更好的材料。例如，因为常用作空穴注入材料或空穴传输材料的4，4’ -双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写:TPD)具有67°C的低玻璃化转变温度(Tg)并具有低的耐热性，已经提出了通过用萘基取代TPD中的甲基苯基以使Tg提高到96°C而形成的4，4’-双[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(缩写NPB)并且广泛地得到使用(例如，参考文献l.S.A.VanSlyke, C.H.Chen, and C.ff.Tang, “具有改进的稳定性的有机电致发光设备”，Appl.Phys.Lett.69 (15)，1996 年 10 月 7 日)。然而，虽然NPB具有较高的玻璃化转变温度(Tg)，但是其能隙较低。因此，TH)发射紫区域的光，而NPB发射蓝区域的光。换言之，NPB可以说成是通过牺牲其能隙而获得比TPD好的Tg的材料。NPB和TH)通常用于空穴传输层，并且在很多情况下，与发光层相邻地提供。在此情况下，如果邻近提供的空穴传输层的能隙较小，则存在激发能将从发光材料或在该发光层中激发的主体材料转移至空穴传输层的风险。当激发能从发光层转移到相邻层时，发光元件的发光效率发生恶化，或色纯度降低。发光元件的发光效率的降低，和色纯度的减少在使用该发光元件的发光设备或电子设备中分别引起功耗的提高和显示质量的下降。因此，与发光层接触的层令人希望地具有尽可能大的能隙。专利技术公开考虑到上述情况，本专利技术的目的是提供具有足够的玻璃化转变温度(Tg)和足够的带隙的新型材料。本专利技术的另一个目的是提供发光元件用材料，该材料具有足够的耐热性和足够的带隙。形成空穴传输层的材料希望具有尽可能高的能隙，该空穴传输层如上所述通常与发光层相邻地形成。然而，已经对具有有利的空穴传输性能、高的玻璃化转变温度(Tg)，此外还有大的能隙的材料报道的不多。因此，本专利技术的一个目的是提供具有足够的空穴传输性能、足够大的能隙和高的玻璃化转变温度(Tg)的作为形成空穴传输层的材料的新型材料。 此外，本专利技术的另一个目的是提供发光元件用材料，该材料具有作为形成空穴传输层的材料的足够的空穴传输性能、足够大的能隙和高的玻璃化转变温度(Tg)。本专利技术的另一个目的是提供具有高耐热性的发光元件。本专利技术的又一个目的是提供具有高的发光效率的发光元件。本专利技术的另一个目的是提供具有高的耐热性的发光设备。本专利技术的又一个目的是提供具有小功耗的发光设备。本专利技术的目的是提供具有高的耐热性的电子设备。本专利技术的又一个目的是提供具有小功耗的电子设备。本专利技术的又一个目的是提供具有高显示质量的电子设备。本专利技术的一个特征是由通式I表示的螺芴衍生物。(在该通式中，R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。)本文档来自技高网...

【技术保护点】
由通式5表示的螺芴衍生物，其中R13是氢、含1?4个碳原子的烷基和由通式6表示的基团中的任一种；其中R14和R15中的每一个是氢和含1?4个碳原子的烷基中的任一种并且是相同或不同的；其中R16是含6?15个碳原子的芳基；其中R17是氢、含1?4个碳原子的烷基和含6?15个碳原子的芳基中的任一种；和其中R18是含含6?15个碳原子的芳基FDA0000398679700000011.jpg

【技术特征摘要】
2005.09.30 JP 2005-2894181.由通式5表示的螺芴衍生物， 其中R13是氢、含1-4个碳原子的烷基和由通式6表示的基团中的任一种； 其中R14和R15中的每一个是氢和含1-4个碳原子的烷基中的任一种并且是相同或不同的； 其中R16是含6-15个碳原子的芳基； 其中R17是氢、含1-4个碳原子的烷基和含6-15个碳原子的芳基中的任一种；和 其中R18是含含6-15个碳原子的芳基 2.根据权利要求1的螺芴衍生物，其由通式11表示， 其中R31是氢、含1-4个碳原子的烷基和由通式12表示的基团中的任一种； 其中R32和R33中的每一个是氢和含1-4个碳原子的烷基中的任一种并且是相同或不同的； 其中R34是氢、含1-4个碳原子的烷基和含6-15个碳原子的芳基中的任一种； 其中R35是氢、含1-4个碳原子的烷基和含6-15个碳原子的芳基中的任一种；和 其中R36是氢、含1-4个碳原子的烷基和含6-15个碳原子的芳基中的任一种3.根据权利要求2的螺芴衍生物，其由通式17表示， 其中R43是氢、含1-4个碳原子的烷基和由通式18表示...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，中岛晴惠，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：