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本发明的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明提供由通式1表示的螺芴衍生物。（在该通式中，R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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