本发明专利技术公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明专利技术的目的是提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步兀吾。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案:，其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。如上所述的，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源溅的溅射功率为 15 ~20Kffo如上所述的，其特征在于步骤B中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氮气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 —3mbar，溅射功率 30 ~45KW。如上所述的，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率 20 ~25KW。 如上所述的，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率4~5KW。如上所述的，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50~65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50~65KW。如上所述的，其特征在于步骤F中所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率为4~5KW。如上所述的，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20~25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。如上所述的，其特征在于步骤H中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。综上所述，本专利技术的有益效果:本专利技术工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。膜层结构最少，阴极使用量少；节约成本；高透过率，双银透过率达80%左右，【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利技术做进一步描述:实施例1，其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为10nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，SP氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，所述直流电源溅的溅射功率为15KW。B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为20nm，氩气与氮气的体积比为1:3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10一3mbar，溅射功率30KW。C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20KW。D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率4KW。E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为50nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50KW。F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率为4KW。G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20KW。H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。实施例2，其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为12nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，SP氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，所述直流电源溅的溅射功率为18KW。B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为25nm，氩气与氮气的体积比为1:3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10一3mbar，溅射功率35KW。C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率23KW。D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率4.5KW。E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为60nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率55KW。F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率为4.5KW。G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，掺铝氧化锌陶瓷本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
【技术特征摘要】
1.一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层； B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层； C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层； D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层； E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层； F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层； G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层； H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。2.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源溅的溅射功率为15~20KW。3.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述Nb2O5...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈路玉，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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