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本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层...
该专利属于中山市创科科研技术服务有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山市创科科研技术服务有限公司授权不得商用。

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